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    半导体器件及其制造方法
    1.
    发明公开
    半导体器件及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN106887463A

    公开(公告)日：2017-06-23

    申请号：CN201611114382.6

    申请日：2016-12-07

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 郑凯予

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

    摘要： 公开一种具有位于晶体管上方的复合阻挡结构的半导体器件及其制造方法。该方法包括一系列步骤，包括：形成晶体管，该晶体管具有位于鳍式结构内并且邻近跨越鳍式结构的栅极结构的源极/漏极区；在源极/漏极区正上方形成第一源极/漏极接触件，并且第一源极/漏极接触件电连接至源极/漏极区；在晶体管和第一源极/漏极接触件上方沉积复合阻挡结构；以及在第一源极/漏极接触件正上方形成第二源极/漏极接触件，并且第二源极/漏极接触件电连接至第一源极/漏极接触件。该方法还包括：在沉积复合阻挡结构之前沉积第二蚀刻停止层并且在第一源极/漏极接触件正上方形成第二源极/漏极接触件，并且第二源极/漏极接触件电连接至第一源极/漏极接触件。该方法还包括在第二源极/漏极接触件上方形成接触件，并且接触件电连接至第二源极/漏极接触件。

    半导体结构及其制造方法
    3.
    发明公开
    半导体结构及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN107026134A

    公开(公告)日：2017-08-08

    申请号：CN201611075274.2

    申请日：2016-11-29

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 郑凯予 ,  田世纲 ,  黄庆坤

    IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

    摘要： 一种半导体结构包括第一介电层、第一导电通孔、部分接合焊盘、第二介电层和第二导电通孔。第一导电通孔设置在第一介电层中。部分接合焊盘设置在第一导电通孔和第一介电层上，其中，部分接合焊盘具有顶面和底面，并且部分接合焊盘的顶面的宽度大于或基本等于部分接合焊盘的底面的宽度。第二介电层设置在部分接合焊盘上。第二导电通孔设置在第二介电层中并且电连接至部分接合焊盘。本发明的实施例还涉及半导体结构的制造方法。

    半导体器件及其制造方法
    4.
    发明授权
    半导体器件及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN106887463B

    公开(公告)日：2020-08-11

    申请号：CN201611114382.6

    申请日：2016-12-07

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 郑凯予

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

    摘要： 公开一种具有位于晶体管上方的复合阻挡结构的半导体器件及其制造方法。该方法包括一系列步骤，包括：形成晶体管，该晶体管具有位于鳍式结构内并且邻近跨越鳍式结构的栅极结构的源极/漏极区；在源极/漏极区正上方形成第一源极/漏极接触件，并且第一源极/漏极接触件电连接至源极/漏极区；在晶体管和第一源极/漏极接触件上方沉积复合阻挡结构；以及在第一源极/漏极接触件正上方形成第二源极/漏极接触件，并且第二源极/漏极接触件电连接至第一源极/漏极接触件。该方法还包括：在沉积复合阻挡结构之前沉积第二蚀刻停止层并且在第一源极/漏极接触件正上方形成第二源极/漏极接触件，并且第二源极/漏极接触件电连接至第一源极/漏极接触件。该方法还包括在第二源极/漏极接触件上方形成接触件，并且接触件电连接至第二源极/漏极接触件。

    半导体结构及其制造方法
    5.
    发明授权
    半导体结构及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN107026134B

    公开(公告)日：2019-08-23

    申请号：CN201611075274.2

    申请日：2016-11-29

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 郑凯予 ,  田世纲 ,  黄庆坤

    IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

    摘要： 一种半导体结构包括第一介电层、第一导电通孔、部分接合焊盘、第二介电层和第二导电通孔。第一导电通孔设置在第一介电层中。部分接合焊盘设置在第一导电通孔和第一介电层上，其中，部分接合焊盘具有顶面和底面，并且部分接合焊盘的顶面的宽度大于或基本等于部分接合焊盘的底面的宽度。第二介电层设置在部分接合焊盘上。第二导电通孔设置在第二介电层中并且电连接至部分接合焊盘。本发明的实施例还涉及半导体结构的制造方法。