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公开(公告)号：CN110085667B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201910019508.9
申请日：2012-10-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了半导体器件、晶体管及其制造方法。在一个实施例中，半导体器件包括设置在工件上方的栅极介电层、设置在栅极介电层上方的栅极和设置在栅极和栅极介电层的侧壁上的间隔件。源极区被设置为邻接位于栅极的第一侧上的间隔件，而漏极区被设置为邻接位于栅极的第二侧上的间隔件。金属层设置在源极区和漏极区上方。金属层在间隔件下方延伸间隔件宽度的约25％或更多。
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公开(公告)号：CN107026134B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201611075274.2
申请日：2016-11-29
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
摘要： 一种半导体结构包括第一介电层、第一导电通孔、部分接合焊盘、第二介电层和第二导电通孔。第一导电通孔设置在第一介电层中。部分接合焊盘设置在第一导电通孔和第一介电层上，其中，部分接合焊盘具有顶面和底面，并且部分接合焊盘的顶面的宽度大于或基本等于部分接合焊盘的底面的宽度。第二介电层设置在部分接合焊盘上。第二导电通孔设置在第二介电层中并且电连接至部分接合焊盘。本发明的实施例还涉及半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN110085667A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910019508.9
申请日：2012-10-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了半导体器件、晶体管及其制造方法。在一个实施例中，半导体器件包括设置在工件上方的栅极介电层、设置在栅极介电层上方的栅极和设置在栅极和栅极介电层的侧壁上的间隔件。源极区被设置为邻接位于栅极的第一侧上的间隔件，而漏极区被设置为邻接位于栅极的第二侧上的间隔件。金属层设置在源极区和漏极区上方。金属层在间隔件下方延伸间隔件宽度的约25％或更多。
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公开(公告)号：CN107026134A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201611075274.2
申请日：2016-11-29
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
摘要： 一种半导体结构包括第一介电层、第一导电通孔、部分接合焊盘、第二介电层和第二导电通孔。第一导电通孔设置在第一介电层中。部分接合焊盘设置在第一导电通孔和第一介电层上，其中，部分接合焊盘具有顶面和底面，并且部分接合焊盘的顶面的宽度大于或基本等于部分接合焊盘的底面的宽度。第二介电层设置在部分接合焊盘上。第二导电通孔设置在第二介电层中并且电连接至部分接合焊盘。本发明的实施例还涉及半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN101740484A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910126308.X
申请日：2009-02-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/50
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05184 , H01L2224/05568 , H01L2224/05609 , H01L2224/05616 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/013 , H01L2924/01029
摘要： 本发明提供了一种形成具有穿透硅通孔(TSV)的半导体器件的方法。包括以下步骤：提供在其上形成有第一电介质层的半导体器件。在该第一电介质层上形成一个或多个电介质层，由此，每一个电介质层具有一个堆叠结构，其中一个或多个电介质层中的堆叠结构的垂直对齐。堆叠结构可能是，例如，金属环。该堆叠结构然后被去除从而形成第一凹口。由第一凹口延伸到到衬底中形成第二凹口。在第二凹口中填充导电物质从而形成TSV。
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公开(公告)号：CN101079425B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710002884.4
申请日：2007-02-09
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/11
CPC分类号： H01L27/0207 , H01L27/11
摘要： 本发明提供一种存储装置，包括一第一存储单元区域，其具有一第一栓锁区域，该第一栓锁区域上是建立着一个以上的电子元件以储存一数值，以及一第一周边区域，其环绕着该第一栓锁区域，以及一第二存储单元区域，其设置于该第一存储单元区域的一第一边缘的邻近区域并且具有一第二栓锁区域，该第二栓锁区域上是建立着一个以上的电子元件以储存一数值，以及一第二周边区域，其环绕着该第二栓锁区域。该第一存储单元区域的其中一边缘是移离该第二存储单元区域与其相对应的边缘。因此，该存储装置的面积及良率是可调整。
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公开(公告)号：CN103515423A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210397444.4
申请日：2012-10-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/088 , H01L29/42376 , H01L29/45 , H01L29/4975 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/78 , H01L29/41766 , H01L21/28506
摘要： 本发明公开了半导体器件、晶体管及其制造方法。在一个实施例中，半导体器件包括设置在工件上方的栅极介电层、设置在栅极介电层上方的栅极和设置在栅极和栅极介电层的侧壁上的间隔件。源极区被设置为邻接位于栅极的第一侧上的间隔件，而漏极区被设置为邻接位于栅极的第二侧上的间隔件。金属层设置在源极区和漏极区上方。金属层在间隔件下方延伸间隔件宽度的约25％或更多。
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公开(公告)号：CN101740484B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200910126308.X
申请日：2009-02-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/50
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05184 , H01L2224/05568 , H01L2224/05609 , H01L2224/05616 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/013 , H01L2924/01029
摘要： 本发明提供了一种形成具有穿透硅通孔(TSV)的半导体器件的方法。包括以下步骤：提供在其上形成有第一电介质层的半导体器件。在该第一电介质层上形成一个或多个电介质层，由此，每一个电介质层具有一个堆叠结构，其中一个或多个电介质层中的堆叠结构的垂直对齐。堆叠结构可能是，例如，金属环。该堆叠结构然后被去除从而形成第一凹口。由第一凹口延伸到到衬底中形成第二凹口。在第二凹口中填充导电物质从而形成TSV。
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公开(公告)号：CN101079425A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710002884.4
申请日：2007-02-09
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/11
CPC分类号： H01L27/0207 , H01L27/11
摘要： 本发明提供一种存储装置，包括一第一存储单元区域，其具有一第一栓锁区域，该第一栓锁区域上是建立着一个以上的电子元件以储存一数值，以及一第一周边区域，其环绕着该第一栓锁区域，以及一第二存储单元区域，其设置于该第一存储单元区域的一第一边缘的邻近区域并且具有一第二栓锁区域，该第二栓锁区域上是建立着一个以上的电子元件以储存一数值，以及一第二周边区域，其环绕着该第二栓锁区域。该第一存储单元区域的其中一边缘是移离该第二存储单元区域与其相对应的边缘。因此，该存储装置的面积及良率是可调整。
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