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公开(公告)号:CN102737960A
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN201210032012.3
申请日:2012-02-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G06F17/50 , G03F7/705 , G03F7/70558 , G03F7/70625
Abstract: 一种用于前馈先进工艺控制的方法包括:提供通过光刻工具处理的现有晶圆;从多个处理的晶圆选择具有过去的芯片设计的处理的晶圆,先前通过光刻工具处理该处理的晶圆,选择从在处理的晶圆上的多个区域所提取的多个关键尺寸(CD)数据点;通过CD与未处理的晶圆上的位置相关的函数对多个CD数据点进行建模;在用于新芯片设计的现有晶圆上创建区域布局;使用函数和区域布局创建用于新芯片设计的初始曝光剂量图;以及根据初始曝光剂量图控制光刻工具的曝光,从而在现有晶圆上形成新芯片设计。
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公开(公告)号:CN102737960B
公开(公告)日:2015-04-22
申请号:CN201210032012.3
申请日:2012-02-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G06F17/50 , G03F7/705 , G03F7/70558 , G03F7/70625
Abstract: 一种用于前馈先进工艺控制的方法包括:提供通过光刻工具处理的现有晶圆;从多个处理的晶圆选择具有过去的芯片设计的处理的晶圆,先前通过光刻工具处理该处理的晶圆,选择从在处理的晶圆上的多个区域所提取的多个关键尺寸(CD)数据点;通过CD与未处理的晶圆上的位置相关的函数对多个CD数据点进行建模;在用于新芯片设计的现有晶圆上创建区域布局;使用函数和区域布局创建用于新芯片设计的初始曝光剂量图;以及根据初始曝光剂量图控制光刻工具的曝光,从而在现有晶圆上形成新芯片设计。
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