用于前馈先进工艺控制的方法和系统

    公开(公告)号:CN102737960A

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201210032012.3

    申请日:2012-02-13

    CPC classification number: G06F17/50 G03F7/705 G03F7/70558 G03F7/70625

    Abstract: 一种用于前馈先进工艺控制的方法包括:提供通过光刻工具处理的现有晶圆;从多个处理的晶圆选择具有过去的芯片设计的处理的晶圆,先前通过光刻工具处理该处理的晶圆,选择从在处理的晶圆上的多个区域所提取的多个关键尺寸(CD)数据点;通过CD与未处理的晶圆上的位置相关的函数对多个CD数据点进行建模;在用于新芯片设计的现有晶圆上创建区域布局;使用函数和区域布局创建用于新芯片设计的初始曝光剂量图;以及根据初始曝光剂量图控制光刻工具的曝光,从而在现有晶圆上形成新芯片设计。

    抗静电光罩的制造方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1215374C

    公开(公告)日:2005-08-17

    申请号:CN02105017.1

    申请日:2002-02-10

    Abstract: 本发明公开了一种抗静电光罩(reticle)的制造方法,其依藉在光罩制造过程中,采用马南根尼干燥技术(Marangoni dryer)进行干燥处理并将抗静电材料加入异丙醇(IPA),以在干燥处理期间同时于光罩表面上涂布形成一抗静电层作为光罩的保护层,防止静电电荷放电(electric static discharge,ESD)造成光罩图案的损害。

    用于前馈先进工艺控制的方法和系统

    公开(公告)号:CN102737960B

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201210032012.3

    申请日:2012-02-13

    CPC classification number: G06F17/50 G03F7/705 G03F7/70558 G03F7/70625

    Abstract: 一种用于前馈先进工艺控制的方法包括:提供通过光刻工具处理的现有晶圆;从多个处理的晶圆选择具有过去的芯片设计的处理的晶圆,先前通过光刻工具处理该处理的晶圆,选择从在处理的晶圆上的多个区域所提取的多个关键尺寸(CD)数据点;通过CD与未处理的晶圆上的位置相关的函数对多个CD数据点进行建模;在用于新芯片设计的现有晶圆上创建区域布局;使用函数和区域布局创建用于新芯片设计的初始曝光剂量图;以及根据初始曝光剂量图控制光刻工具的曝光,从而在现有晶圆上形成新芯片设计。

    抗静电光罩的制造方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1438542A

    公开(公告)日:2003-08-27

    申请号:CN02105017.1

    申请日:2002-02-10

    Abstract: 本发明公开了一种抗静电光罩(reticle)的制造方法,其依藉在光罩制造过程中,采用马南根尼干燥技术(Marangoni dryer)进行干燥处理并将抗静电材料加入异丙醇(IPA),以在干燥处理期间同时于光罩表面上涂布形成一抗静电层作为光罩的保护层,防止静电电荷放电(electric static discharge,ESD)造成光罩图案的损害。

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