公开(公告)号：CN116224715A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310028733.5

申请日：2023-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘瑞雄 ,  李柏璇 ,  吕安云 ,  陈冠廷 ,  陈柏熊 ,  林本坚

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 一种光阻剂、半导体装置的制造方法及极紫外线微影术方法，制造半导体装置的方法包括以下步骤：在基板上形成光阻剂层，将光阻剂层选择性地曝露于EUV辐射，及显影选择性地曝光的光阻剂层。光阻剂层的组成物包括溶剂及光敏化合物，该光敏化合物溶解于溶剂且由结合六聚体锡及两个氯配体的分子簇化合物组成。

公开(公告)号：CN117518719A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311303826.0

申请日：2023-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘瑞雄 ,  高蔡胜 ,  林本坚 ,  吴晏如 ,  林庭安 ,  蔡函璁 ,  陈柏熊

IPC: G03F7/004

Abstract: 一种光阻组成物、形成光阻组成物的方法及极紫外线微影方法。光阻组成物包含一混合物。该混合物包含一第一感光材料及一第二感光材料。该第一感光材料为一6‑Sn氧化物簇、一12‑Sn氧化物簇或它们的一组合。该第二感光材料具有与该第一感光材料的一组成物不同的一组成物。