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发明公开
测试、制造和封装半导体器件的方法无效

公开(公告)号：CN107437512A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201611258101.4

申请日：2016-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄立贤 , 郑咏守 , 林彦甫 , 苏安治 , 吴伟诚 , 陈锦贤 , 陈宪伟 , 叶德强

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开了测试、制造和封装半导体器件的方法。在一些实施例中，测试半导体器件的方法包括提供了具有设置在其上的接触件的集成电路管芯，在集成电路管芯和接触件上方形成绝缘材料，并且在绝缘材料中且在接触件上方形成开口。在开口中且在接触件上方形成共晶材料，并且通过接触设置在接触件上方的共晶材料来电测试集成电路管芯。去除共晶材料。

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