公开(公告)号：CN108122861B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN201710478033.0

申请日：2017-06-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林彦甫 ,  余振华 ,  陈宪伟 ,  李孟灿 ,  吴伟诚

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/522 ,  H01L25/065

Abstract: 本发明实施例提供一种形成封装结构的方法及一种封装结构。所述方法包括将主管芯与虚设管芯并排地放置在载体衬底上。所述方法还包括沿所述主管芯的侧壁及所述虚设管芯的侧壁形成模塑料。所述方法还包括在所述主管芯及所述虚设管芯之上形成包括多个通孔及多个导电线的重布线层，其中所述多个通孔及所述导电线电连接到所述主管芯的连接件。所述方法还包括移除所述载体衬底。

公开(公告)号：CN102347312B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201110139903.4

申请日：2011-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林彦甫 ,  林俊成 ,  邱文智 ,  郑心圃 ,  余振华

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，具体是一种测定底胶扩展的系统和方法。该方法包括顺应着一基底的一上表面形成遮覆标记；将一半导体基底贴合至基底的上表面；将底胶材料置入半导体基底与基底之间；以及利用遮覆标记来测定基底的上表面上方的底胶扩展。另外，也可在半导体基底的上表面形成遮覆标记，且位于基底上与半导体基底上的对准标记可在基底与半导体基底的对准期间，一同作为对准标记。本发明通过在基底上形成遮覆标记，有助于防止底胶材料占用比所需的基底面积更多的面积，且有助于将半导体装置的尺寸越缩越小；另外，通过使用遮覆标记作为半导体基底与基底之间的对准标记，也可让操作者在进行目视对准时降低误对准。

公开(公告)号：CN102280423B

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201110025101.0

申请日：2011-01-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  黄雅希 ,  陈新瑜 ,  蔡柏豪 ,  林彦甫 ,  黄震麟 ,  蔡方文 ,  邱文智

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/488 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13578 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/81805

Abstract: 本发明公开了一种集成电路装置及其制造方法。本发明的集成电路装置的工作件(work？piece)包括具有上表面和侧壁的铜凸块。在铜凸块的侧壁上形成保护层，但其上表面没有保护层。保护层包括铜的化合物和聚合物，且为介电层。本发明提供的集成电路装置及其制造方法，在裸片对晶片接合工艺中，即使工作件的温度高时，保护层也可避免铜凸块的氧化。

公开(公告)号：CN108122861A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710478033.0

申请日：2017-06-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林彦甫 ,  余振华 ,  陈宪伟 ,  李孟灿 ,  吴伟诚

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/522 ,  H01L25/065

Abstract: 本发明实施例提供一种形成封装结构的方法及一种封装结构。所述方法包括将主管芯与虚设管芯并排地放置在载体衬底上。所述方法还包括沿所述主管芯的侧壁及所述虚设管芯的侧壁形成模塑料。所述方法还包括在所述主管芯及所述虚设管芯之上形成包括多个通孔及多个导电线的重布线层，其中所述多个通孔及所述导电线电连接到所述主管芯的连接件。所述方法还包括移除所述载体衬底。

公开(公告)号：CN107546183A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201610932928.2

申请日：2016-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王景德 ,  谢正贤 ,  陈宪伟 ,  许立翰 ,  许子训 ,  吴伟诚 ,  林彦甫

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/492 ,  H01L23/50

Abstract: 本发明提供一种包括集成电路、保护层及导通孔的半导体装置。所述集成电路包括至少一个导通垫。所述保护层覆盖所述集成电路。所述保护层包括接触开口，且所述导通垫被所述保护层的所述接触开口暴露出。所述导通孔嵌置在所述保护层的所述接触开口中，且所述导通孔通过所述接触开口电连接至所述导通垫。

公开(公告)号：CN107437512A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201611258101.4

申请日：2016-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄立贤 ,  郑咏守 ,  林彦甫 ,  苏安治 ,  吴伟诚 ,  陈锦贤 ,  陈宪伟 ,  叶德强

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开了测试、制造和封装半导体器件的方法。在一些实施例中，测试半导体器件的方法包括提供了具有设置在其上的接触件的集成电路管芯，在集成电路管芯和接触件上方形成绝缘材料，并且在绝缘材料中且在接触件上方形成开口。在开口中且在接触件上方形成共晶材料，并且通过接触设置在接触件上方的共晶材料来电测试集成电路管芯。去除共晶材料。

公开(公告)号：CN102347312A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110139903.4

申请日：2011-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林彦甫 ,  林俊成 ,  邱文智 ,  郑心圃 ,  余振华

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，具体是一种测定底胶扩展的系统和方法。该方法包括顺应着一基底的一上表面形成遮覆标记；将一半导体基底贴合至基底的上表面；将底胶材料置入半导体基底与基底之间；以及利用遮覆标记来测定基底的上表面上方的底胶扩展。另外，也可在半导体基底的上表面形成遮覆标记，且位于基底上与半导体基底上的对准标记可在基底与半导体基底的对准期间，一同作为对准标记。本发明通过在基底上形成遮覆标记，有助于防止底胶材料占用比所需的基底面积更多的面积，且有助于将半导体装置的尺寸越缩越小；另外，通过使用遮覆标记作为半导体基底与基底之间的对准标记，也可让操作者在进行目视对准时降低误对准。

公开(公告)号：CN102280423A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110025101.0

申请日：2011-01-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  黄雅希 ,  陈新瑜 ,  蔡柏豪 ,  林彦甫 ,  黄震麟 ,  蔡方文 ,  邱文智

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/488 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13578 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/81805

Abstract: 本发明公开了一种集成电路装置及其制造方法。本发明的集成电路装置的工作件(work piece)包括具有上表面和侧壁的铜凸块。在铜凸块的侧壁上形成保护层，但其上表面没有保护层。保护层包括铜的化合物和聚合物，且为介电层。本发明提供的集成电路装置及其制造方法，在裸片对晶片接合工艺中，即使工作件的温度高时，保护层也可避免铜凸块的氧化。

公开(公告)号：CN102234830A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201010173762.3

申请日：2010-05-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林咏淇 ,  林彦甫 ,  陈庭悦 ,  林俊成 ,  眭晓林 ,  余振华

IPC: C25D17/00 ,  C25D5/02 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明一实施例提供一种电镀装置及于基板上电镀导电层的方法，其中电镀装置包括：基座，用以承载承载基板及设置于承载基板上的待电镀基板，其中待电镀基板上具有图案化材料层，图案化材料层具有至少一开口，露出待电镀基板上的待电镀区，以及密封环，用于设置于待电镀基板上以将电镀液局限于待电镀区之上，其中密封环包括至少一凸出部分，用以接触承载基板以阻挡电镀液溢流至基座上。通过密封环的设置而使密封环上的凸出部抵住并接触承载基板，可有效阻挡电镀液的溢流。尤其，当承载基板所设置的待电镀基板中因需形成穿基底导电结构而薄化时，确实且有效地避免电镀工艺所用的电镀液渗透至基座更形重要。

公开(公告)号：CN102234830B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201010173762.3

申请日：2010-05-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林咏淇 ,  林彦甫 ,  陈庭悦 ,  林俊成 ,  眭晓林 ,  余振华

IPC: C25D17/00 ,  C25D5/02 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明一实施例提供一种电镀装置及于基板上电镀导电层的方法，其中电镀装置包括：基座，用以承载承载基板及设置于承载基板上的待电镀基板，其中待电镀基板上具有图案化材料层，图案化材料层具有至少一开口，露出待电镀基板上的待电镀区，以及密封环，用于设置于待电镀基板上以将电镀液局限于待电镀区之上，其中密封环包括至少一凸出部分，用以接触承载基板以阻挡电镀液溢流至基座上。通过密封环的设置而使密封环上的凸出部抵住并接触承载基板，可有效阻挡电镀液的溢流。尤其，当承载基板所设置的待电镀基板中因需形成穿基底导电结构而薄化时，确实且有效地避免电镀工艺所用的电镀液渗透至基座更形重要。