公开(公告)号：CN101339945B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200710180149.2

申请日：2007-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 魏启珊 ,  吴国铭 ,  林怡君

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/1083 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包含：半导体衬底；n型杯状结构，自该半导体衬底的上表面延伸至该半导体衬底中，其中该n型杯状结构包含底部其埋藏于该半导体衬底中及四个各自具有第一高压n型阱区的侧边；p型埋藏层，其位于该n型杯状结构的该底部上，其中该p型埋藏层埋藏于该半导体衬底中；高压p型阱区，其位于该p型埋藏层上；第二高压n型阱区，其位于该p型埋藏层上；以及高压n型金属氧化物半导体元件，其位于该高压p型阱区和第二高压n型阱区上，且位于由该n型杯状结构的侧边所围绕的区域中。借助本发明，易于增加n型与p型埋藏层的杂质浓度，能够施加正的和负的两种源极/漏极至衬底电压而不会有显著的漏电流和/或击穿。

公开(公告)号：CN101339956A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200710186913.7

申请日：2007-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 魏启珊 ,  吴国铭 ,  李建兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：半导体基底；栅极电极，位于该半导体基底之上，其中该栅极电极具有栅极宽度方向；源极/漏极区，位于该半导体基底中，且邻接该栅极电极，其中该源极/漏极区具有第一宽度，且该第一宽度平行于该栅极宽度方向；以及主体拾取区，位于该半导体基底中且邻接该源极区，其中该主体拾取区具有第二导电类型，且该第二导电类型与该源极区的第一导电类型相反，其中该主体拾取区在该栅极宽度方向上具有第二宽度，且该第二宽度实质上小于该第一宽度。本发明能够改善LDMOS装置的静电放电能力。

公开(公告)号：CN101339945A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200710180149.2

申请日：2007-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 魏启珊 ,  吴国铭 ,  林怡君

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/1083 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包含：半导体衬底；n型杯状结构，自该半导体衬底的上表面延伸至该半导体衬底中，其中该n型杯状结构包含底部其埋藏于该半导体衬底中；p型埋藏层，其位于该n型杯状结构的该底部上，其中该p型埋藏层埋藏于该半导体衬底中；以及高压n型金属氧化物半导体元件，其位于该p型埋藏层上，且位于由该n型杯状结构的侧边所围绕的区域中。借助本发明，易于增加n型与p型埋藏层的杂质浓度，能够施加正的和负的两种源极/漏极至衬底电压而不会有显著的漏电流和/或击穿。