公开(公告)号：CN107204278B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN201611197347.5

申请日：2016-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 严永松 ,  刘如淦 ,  黄介志

IPC: H01L21/027

Abstract: 制造半导体器件的方法包括在材料层上方沿着第一方向形成硬掩模(HM)芯轴，沿着HM芯轴的侧壁形成第一间隔件，沿着第一间隔件的侧壁形成第二间隔件并且在HM芯轴、第一间隔件和第二间隔件上方形成具有第一线开口的图案化的光刻胶层。在第一线开口内暴露HM芯轴、第一间隔件和第二间隔件的第一部分。该方法也包括通过第一线开口去除第一间隔件的第一部分以暴露材料层的第一部分并且通过使用HM芯轴和第二间隔件的暴露的第一部分作为子蚀刻掩模蚀刻材料层的暴露的第一部分以在材料层中形成第一开口。本发明的实施例还涉及在材料层中形成开口的方法。

公开(公告)号：CN107204278A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201611197347.5

申请日：2016-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 严永松 ,  刘如淦 ,  黄介志

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/2633 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/0273

Abstract: 制造半导体器件的方法包括在材料层上方沿着第一方向形成硬掩模(HM)芯轴，沿着HM芯轴的侧壁形成第一间隔件，沿着第一间隔件的侧壁形成第二间隔件并且在HM芯轴、第一间隔件和第二间隔件上方形成具有第一线开口的图案化的光刻胶层。在第一线开口内暴露HM芯轴、第一间隔件和第二间隔件的第一部分。该方法也包括通过第一线开口去除第一间隔件的第一部分以暴露材料层的第一部分并且通过使用HM芯轴和第二间隔件的暴露的第一部分作为子蚀刻掩模蚀刻材料层的暴露的第一部分以在材料层中形成第一开口。本发明的实施例还涉及在材料层中形成开口的方法。