公开(公告)号：CN109582991B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN201711240590.5

申请日：2017-11-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 江嘉评 ,  池明辉 ,  许志玮 ,  吴秉杰 ,  张雅婷 ,  王琮瑜 ,  郑文立 ,  鄞晖恩 ,  黄文俊 ,  刘如淦 ,  高蔡胜

IPC分类号： G06F30/392

公开(公告)号：CN109582995B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN201810939965.5

申请日：2018-08-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄旭霆 ,  周自翔 ,  刘如淦

IPC分类号： G03F1/36

摘要： 本公开提供一种集成电路制造方法，包括建立一掩模模型以及一复合光刻计算(compound lithography computational,CLC)模型，上述掩模模型用以模拟一掩模图像，上述复合光刻计算模型用以模拟一晶圆图案；使用一测量的掩模图像校正上述掩模模型；使用一测量的晶圆数据及校正后的上述掩模模型校正上述复合光刻计算模型；以及使用校正后的上述复合光刻计算模型对一集成电路图案执行一光学邻近校正(OPC)程序，从而产生用于掩模工艺的一掩模图案。

公开(公告)号：CN108228956B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN201710882024.8

申请日：2017-09-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘如淦 ,  张世明 ,  周硕彦 ,  赖建文 ,  赵增勤

IPC分类号： G06F30/39 ,  G06F30/398 ,  G06F111/10 ,  G06F111/06

摘要： 一种优化晶圆制程模拟的方法，包括建立用于模拟在晶圆中制造结构的模拟程序。模拟程序包括各自用于模拟多个晶圆制造操作的多个模拟操作，且还包括测试该结构的操作，此操作产生表示结构的品质的结果。每一个模拟操作具有相应的可调整制程参数。上述方法还包括为每一个制程参数指定相应的可工作范围，以及使用晶圆制程模拟器通过迭代操作来运行模拟程序直到结果实现最佳化。在运行模拟程序的期间，每两次连续的迭代操作在两个不同的制程参数的可工作范围中调整制程参数，或在相同制程参数的可工作范围中以相反趋势调整相同制程参数。

公开(公告)号：CN111125995B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN201911036040.0

申请日：2019-10-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 田福安 ,  黄旭霆 ,  刘如淦

IPC分类号： G06F30/398

摘要： 本揭露的实施例提供用于产生测试图案的系统和方法。在不同实施例中，系统和方法利用机器学习使其符合特定于半导体制程或特殊元件型态的设计规则。一种测试图案产生系统，包含测试图案产生电路，其在使用时包括以下步骤：接收杂讯影像；根据杂讯影像产生图案影像；以及根据图案影像产生测试图案，测试图案由电子元件设计布局的复数个几何形状所表示，其中电子元件设计布局不具有设计规则检查错误。

公开(公告)号：CN107204277B

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN201611219717.0

申请日：2016-12-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 严永松 ,  刘如淦 ,  林纬良 ,  陈欣志

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本公开实施例涉及制造半导体元件的方法。此方法包括形成第一可流动材料层于基板之上。第一区域中第一可流动材料层的上表面高于第二区域中第一可流动材料层的上表面。此方法亦包括在第一区域中形成牺牲插塞以覆盖第一可流动材料层，在第一区域中牺牲插塞之上及第二区域中第一可流动材料层之上形成第二可流动材料层。执行第一下凹工艺以致第一区域中的第二可流动材料层被移除。执行第二下凹工艺于第二区域中的第二可流动材料层，此时第一可流动材料层被第一区域的牺牲插塞保护。

公开(公告)号：CN110647009B

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN201910566208.2

申请日：2019-06-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘如淦 ,  林进祥 ,  黄正儀 ,  赖志明 ,  赖建文 ,  谢艮轩 ,  张世明 ,  侯元德

IPC分类号： G03F1/76 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

摘要： 一种使用光罩的图案形成方法、光罩及其制造方法。用于制造半导体元件的光罩包含沿第一方向延伸的第一图案、沿第一方向延伸且对齐第一图案的第二图案、以及沿第一方向延伸的次解析度图案。次解析度图案设置于第一图案的端部与第二图案的端部之间。第一图案的宽度与第二图案的宽度彼此相等，并且第一图案与第二图案用于半导体元件内的各别电路元件。

公开(公告)号：CN110021664B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201811446592.4

申请日：2018-11-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈志良 ,  赖志明 ,  蔡庆威 ,  杨超源 ,  曾健庭 ,  江国诚 ,  刘如淦 ,  吴伟豪 ,  林义雄 ,  张家豪 ,  周雷峻

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明的实施例描述了非平面半导体器件及其制造方法，非平面半导体器件诸如为具有一个或多个金属轨导体的鳍式场效应晶体管(finFET)。在一些情况下，一个或多个金属轨导体可以电连接至这些非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域。在这些情况下，可以利用一个或多个金属轨导体将各个非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域电连接至各种非平面半导体器件和/或其它半导体器件的其它栅极、源极和/或漏极区域。然而，在其它情况下，一个或多个金属轨导体可以与这些各个非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域隔离。这种隔离防止了一个或多个金属轨导体与这些非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域之间的电连接。

公开(公告)号：CN109782528B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN201811334345.5

申请日：2018-11-09

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑东祐 ,  谢艮轩 ,  张世明 ,  李志杰 ,  周硕彦 ,  刘如淦

IPC分类号： G03F1/36

摘要： 本文提供了用于执行光学邻近修正和用于形成光掩模的技术的各个实例。在一些实例中，接收布局，布局包括要在光掩模上形成的形状。确定用于形状的多个目标光刻轮廓，多个目标光刻轮廓包括用于第一组工艺条件的第一目标轮廓和用于第二组工艺条件的与第一目标轮廓不同的第二目标轮廓。执行布局的光刻模拟以在第一组工艺条件下产生第一模拟轮廓，并且在第二组工艺条件下产生第二模拟轮廓。基于第一模拟轮廓和第一目标轮廓之间以及第二模拟轮廓和第二目标轮廓之间的边缘放置误差确定对布局的修改。本发明的实施例还涉及光学邻近修正和光掩模。

公开(公告)号：CN107424958B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201710298768.5

申请日：2017-04-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈志良 ,  赖志明 ,  杨超源 ,  曾晋沅 ,  曾健庭 ,  萧锦涛 ,  刘如淦 ,  林纬良 ,  周雷峻

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/11 ,  H01L27/088

摘要： 本发明的实施例提供了一种制造包括FinFET的半导体器件的鳍的方法，包括：形成包括半导体衬底和加盖半导体鳍的结构，加盖半导体鳍被组织成至少第一集合和第二集合，第一集合的每个构件包含具有第一蚀刻灵敏度的第一盖，并且第二集合的每个构件包含具有第二蚀刻灵敏度的第二盖，第二蚀刻灵敏度不同于第一蚀刻灵敏度；以及从结构去除消除第一集合的选择构件和第二集合的选择构件。本发明的实施例还提供了一种包括鳍的半导体器件。

公开(公告)号：CN112687642A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202010363265.3

申请日：2020-04-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王朝勋 ,  薛婉容 ,  赵高毅 ,  王美匀 ,  刘如淦

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/535 ,  H01L21/768

摘要： 本文公开了互连结构及其形成方法。示例性互连结构包括位于第一介电层中的第一接触部件、位于第一介电层上方的第二介电层、位于第一接触部件上方的第二接触部件、位于第二介电层和第二接触部件之间的阻挡层以及位于阻挡层和第二接触部件之间的衬垫。第一接触部件和第二接触部件之间的界面包括衬垫，但是没有阻挡层。本发明的实施例还涉及半导体器件的接触结构及其形成方法。