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公开(公告)号：CN115513139A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210909257.3
申请日：2022-07-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体结构，包括：第一半导体鳍片，位于基板之上；第二半导体鳍片，位于基板之上，且邻近第一半导体鳍片；金属栅极堆叠，位于基板之上，金属栅极堆叠包括第一区域、第二区域、及第三区域，第一区域位于第一半导体鳍片之上，第二区域位于第二半导体鳍片之上，且第三区域以连续的轮廓连接第一区域至第二区域，以及以第一栅极长度定义第一区域，且以小于第一栅极长度的第二栅极长度定义第二区域；以及源极/漏极部件，位于每一第一半导体鳍片及第二半导体鳍片之中以与金属栅极堆叠接合。
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