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公开(公告)号：CN113345891A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110529803.6
申请日：2021-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 半导体结构包括：半导体衬底；鳍有源区域，在半导体衬底之上突出；以及栅极堆叠件，设置在鳍有源区域上，其中，栅极堆叠件包括高k介电材料层和设置在高k介电材料层上的各个金属层。栅极堆叠件在截面图中具有不均匀轮廓，在顶面处具有第一尺寸D1，在底面处具有第二尺寸D2，并且在顶面和底面之间的位置处具有第三尺寸D3，并且其中，D1和D2的每个大于D3。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN118571841A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410386367.5
申请日：2024-04-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 提供半导体装置及其方法，依据本发明实施例的例示性方法包含在基底上方形成半导体鳍；在基底上方形成介电层，其中介电层包含沿半导体鳍的侧壁表面延伸的第一部分及设置于半导体鳍上方的第二部分，介电层的第二部分的厚度大于介电层的第一部分的厚度，在基底上方形成虚设栅极电极层，将介电层及虚设栅极电极层图案化，以在半导体鳍的通道区上方形成虚设栅极结构，形成源极/漏极部件耦接半导体鳍的通道区并相邻于虚设栅极结构，以及以栅极堆叠物取代虚设栅极结构。
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公开(公告)号：CN115497875A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210841760.X
申请日：2022-07-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体结构包含从基底延伸且沿第一方向纵向定向的鳍片，其中鳍片包含半导体层堆叠，设置于基底上且沿与第一方向垂直的第二方向纵向定向的隔离部件，其中隔离部件邻近鳍片设置，及具有设置于半导体层堆叠上的顶部及与半导体层堆叠交错的底部的金属栅极结构。再者，金属栅极结构的底部的侧壁由隔离部件的第一侧壁定义，且金属栅极结构的顶部横向延伸至隔离部件的顶面。
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公开(公告)号：CN113284943A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110190252.5
申请日：2021-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/28
Abstract: 半导体结构包括：SiGe鳍，从衬底突出，其中，SiGe鳍包括具有第一侧壁和第二侧壁的顶部以及具有第三侧壁和第四侧壁的底部，并且其中，将第一侧壁连接至第三侧壁的第一过渡区域和将第二侧壁连接至第四侧壁的第二过渡区域的每个具有分别远离第一侧壁和第二侧壁延伸的锥形轮廓；以及含Si层，设置在SiGe鳍的顶部上，其中，含Si层的位于第一过渡区域上的部分远离第一侧壁延伸第一横向距离，并且含Si层的位于第二过渡区域上的部分远离第二侧壁延伸与第一横向距离不同的第二横向距离。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113284943B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110190252.5
申请日：2021-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/28
Abstract: 半导体结构包括：SiGe鳍，从衬底突出，其中，SiGe鳍包括具有第一侧壁和第二侧壁的顶部以及具有第三侧壁和第四侧壁的底部，并且其中，将第一侧壁连接至第三侧壁的第一过渡区域和将第二侧壁连接至第四侧壁的第二过渡区域的每个具有分别远离第一侧壁和第二侧壁延伸的锥形轮廓；以及含Si层，设置在SiGe鳍的顶部上，其中，含Si层的位于第一过渡区域上的部分远离第一侧壁延伸第一横向距离，并且含Si层的位于第二过渡区域上的部分远离第二侧壁延伸与第一横向距离不同的第二横向距离。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115513139A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210909257.3
申请日：2022-07-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体结构，包括：第一半导体鳍片，位于基板之上；第二半导体鳍片，位于基板之上，且邻近第一半导体鳍片；金属栅极堆叠，位于基板之上，金属栅极堆叠包括第一区域、第二区域、及第三区域，第一区域位于第一半导体鳍片之上，第二区域位于第二半导体鳍片之上，且第三区域以连续的轮廓连接第一区域至第二区域，以及以第一栅极长度定义第一区域，且以小于第一栅极长度的第二栅极长度定义第二区域；以及源极/漏极部件，位于每一第一半导体鳍片及第二半导体鳍片之中以与金属栅极堆叠接合。
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公开(公告)号：CN106206437A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510267172.X
申请日：2015-05-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/08
CPC classification number: H01L27/092 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/26506 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/3086 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823871 , H01L27/0922 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/66636 , H01L29/7848
Abstract: 本发明公开了FinFET接触结构及其形成方法。一种器件包括：衬底，包括通过隔离区域分离的第一部分和第二部分；第一栅极结构，位于第一部分上方；第一漏极/源极区域和第二漏极/源极区域，位于第一部分中并位于第一栅极结构的相对侧，其中，第一漏极/源极区域和第二漏极/源极区域具有凹面；第二栅极结构，位于第二部分上；以及第三漏极/源极区域和第四漏极/源极区域，位于第二部分中且位于第二栅极结构的相对侧，其中，第三漏极/源极区域和第四漏极/源极区域具有凹面。
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公开(公告)号：CN113345891B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202110529803.6
申请日：2021-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体结构包括：半导体衬底；鳍有源区域，在半导体衬底之上突出；以及栅极堆叠件，设置在鳍有源区域上，其中，栅极堆叠件包括高k介电材料层和设置在高k介电材料层上的各个金属层。栅极堆叠件在截面图中具有不均匀轮廓，在顶面处具有第一尺寸D1，在底面处具有第二尺寸D2，并且在顶面和底面之间的位置处具有第三尺寸D3，并且其中，D1和D2的每个大于D3。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN114078766A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110791183.3
申请日：2021-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本发明的半导体装置包括介电鳍状物，包括盖层；栅极结构，位于盖层的第一部分上并沿着方向延伸；以及介电层，与栅极结构相邻并位于盖层的第二部分上。第一部分沿着方向的宽度，大于第二部分沿着方向的宽度。
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公开(公告)号：CN112201627A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011008140.5
申请日：2015-05-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/165 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/308
Abstract: 本发明公开了FinFET接触结构及其形成方法。一种器件包括：衬底，包括通过隔离区域分离的第一部分和第二部分；第一栅极结构，位于第一部分上方；第一漏极/源极区域和第二漏极/源极区域，位于第一部分中并位于第一栅极结构的相对侧，其中，第一漏极/源极区域和第二漏极/源极区域具有凹面；第二栅极结构，位于第二部分上；以及第三漏极/源极区域和第四漏极/源极区域，位于第二部分中且位于第二栅极结构的相对侧，其中，第三漏极/源极区域和第四漏极/源极区域具有凹面。
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