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公开(公告)号：CN119300455A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411279408.7
申请日：2024-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开实施例提供了半导体器件及其形成方法。根据本公开的一个实施例的方法包括：在半导体衬底上形成沟道层和牺牲层的外延堆叠件；图案化外延堆叠件以在第一区域中形成第一鳍形结构并且在第二区域中形成第二鳍形结构；蚀刻第一鳍形结构以形成第一源极/漏极凹槽；蚀刻第二鳍形结构以形成第二源极/漏极凹槽；在第一区域中形成第一内部间隔件；在第二区域中形成第二内部间隔件；使第二内部间隔件横向凹进；在第一源极/漏极凹槽中形成第一源极/漏极部件；以及在第二源极/漏极凹槽中形成第二源极/漏极部件。在使第二内部间隔件横向凹进之后，第二内部间隔件具有小于第一内部间隔件的厚度。
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公开(公告)号：CN113345891A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110529803.6
申请日：2021-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 半导体结构包括：半导体衬底；鳍有源区域，在半导体衬底之上突出；以及栅极堆叠件，设置在鳍有源区域上，其中，栅极堆叠件包括高k介电材料层和设置在高k介电材料层上的各个金属层。栅极堆叠件在截面图中具有不均匀轮廓，在顶面处具有第一尺寸D1，在底面处具有第二尺寸D2，并且在顶面和底面之间的位置处具有第三尺寸D3，并且其中，D1和D2的每个大于D3。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN113345891B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202110529803.6
申请日：2021-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体结构包括：半导体衬底；鳍有源区域，在半导体衬底之上突出；以及栅极堆叠件，设置在鳍有源区域上，其中，栅极堆叠件包括高k介电材料层和设置在高k介电材料层上的各个金属层。栅极堆叠件在截面图中具有不均匀轮廓，在顶面处具有第一尺寸D1，在底面处具有第二尺寸D2，并且在顶面和底面之间的位置处具有第三尺寸D3，并且其中，D1和D2的每个大于D3。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN115910787A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210891977.1
申请日：2022-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 方法包括在衬底上形成沟道层和牺牲层的堆叠件。沟道层和牺牲层具有不同的材料组分并且在垂直方向上交替设置。方法还包括：图案化堆叠件以形成半导体鳍；在半导体鳍的侧壁上形成隔离部件；使半导体鳍凹进，从而形成源极/漏极凹槽，从而使得半导体鳍的凹进顶面位于隔离部件的顶面下方；从半导体鳍的凹进顶面生长基底外延层；在源极/漏极凹槽中沉积绝缘层；以及在源极/漏极凹槽中形成外延部件，其中，外延部件位于绝缘层之上。绝缘层位于基底外延层之上并且位于最底部沟道层之上。本申请的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN114078766A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110791183.3
申请日：2021-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本发明的半导体装置包括介电鳍状物，包括盖层；栅极结构，位于盖层的第一部分上并沿着方向延伸；以及介电层，与栅极结构相邻并位于盖层的第二部分上。第一部分沿着方向的宽度，大于第二部分沿着方向的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113363205A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110221056.X
申请日：2021-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 公开了包括具有增大的背面部分的背面通孔的半导体器件及其形成方法。在实施例中，一种器件包括：第一晶体管结构，在第一器件层中；正面互连结构，在第一器件层的正面上；第一介电层，在第一器件层的背面上；第一接触件，穿过第一介电层延伸到第一晶体管结构的源极/漏极区；以及背面互连结构，在第一介电层和第一接触件的背面上，第一接触件包括具有第一锥形侧壁的第一部分和具有第二锥形侧壁的第二部分，第一锥形侧壁的宽度在朝着第二锥形侧壁的方向上变窄，并且第二锥形侧壁的宽度在朝向背面互连结构的方向上变宽。本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN102194755B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201010243829.6
申请日：2010-08-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/31 , H01L21/20 , H01L27/092
CPC classification number: H01L27/0924 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L29/165 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/7853
Abstract: 本发明公开了鳍式场效晶体管及其制造方法，其方法包含形成延伸至一半导体基底的上方的一第一鳍状物和一第二鳍状物、与位于二者之间的一浅沟槽隔离区。一间隔定义于浅沟槽隔离区的上表面上方的第一与第二鳍状物之间。一第一高度定义于该浅沟槽隔离区的上表面与第一、第二鳍状物的上表面之间。一流动性的介电材料经沉积而置入间隔内。介电材料的上表面位于浅沟槽隔离区的上表面的上方，而在介电材料的上表面与第一、第二鳍状物的上表面之间定义出一第二高度。第二高度小于第一高度。在沉积步骤之后，在第一、第二鳍状物上，分别以外延成长形成位于介电材料上方的第一、第二鳍状物延伸结构。本发明减少或避免相邻的鳍状物延伸结构之间的间隙的窄化。
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公开(公告)号：CN102194698B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201010502142.X
申请日：2010-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/28017 , H01L21/31116 , H01L29/66795
Abstract: 本发明提供在半导体元件的制造过程中移除硬掩模的方法，该方法包括如下步骤：于基底上的结构之上形成保护层，例如为底部抗反射涂层或其他介电层，并沿着结构的侧边形成间隙壁。在一实施例中，这些结构为栅极电极，具有硬掩模形成于其上，以及间隙壁沿着栅极电极的侧边形成。在保护层之上形成光致抗蚀剂层，且光致抗蚀剂层可以被图案化，以移除在部分保护层上的光致抗蚀剂层的一部分，之后进行回蚀工艺，使得邻接间隙壁的保护层残留以保护间隙壁，然后当保护层保护间隙壁时移除硬掩模。本发明有利于形成的元件的操作。
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公开(公告)号：CN116247005A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310095228.2
申请日：2023-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/08 , H01L29/423
Abstract: 提供了半导体结构及其形成方法。在实施例中，方法包含接收工作件，包含基板、自基板突出的主动区、以及设置于主动区的通道区上方的虚置栅极结构。方法亦包含形成沟槽于主动区的源极/漏极区中，形成牺牲结构于沟槽中，顺应地沉积介电膜于工作件上方，执行第一蚀刻制程以回蚀刻介电膜并形成沿着牺牲结构的多个侧壁延伸的多个鳍片侧壁间隔物，执行第二蚀刻制程以移除牺牲结构并露出沟槽，形成外延源极/漏极部件于沟槽中以使鳍片侧壁间隔物包夹外延源极/漏极部件的一部分，以及以栅极堆叠取代虚置栅极结构。
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公开(公告)号：CN115565949A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210925939.3
申请日：2022-08-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 在基底的前侧上方形成多个第一半导体层及多个第二半导体层。第一半导体层和第二半导体层在垂直方向交错。蚀刻第一半导体层及第二半导体层为堆叠物，进行蚀刻使得最底部第一半导体层在剖面示意图中具有渐缩轮廓。以介电层取代最底部第一半导体层，介电层承袭最底部第一半导体层的渐缩轮廓。在堆叠物上方形成栅极结构，栅极结构在第一水平方向延伸；在栅极结构上方形成第一互连结构；在基底的背侧上方形成第二互连结构。
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