公开(公告)号：CN101924035B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN200910167343.6

申请日：2009-08-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 叶明熙 ,  林舜武 ,  陈启群 ,  陈嘉仁 ,  陈薏新 ,  陈建豪 ,  赵元舜 ,  黄国宾

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28105 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/401

摘要： 本发明提供形成半导体元件及其栅极结构的方法，其包括多种含有高介电常数的栅极介电层的图案化金属栅极结构的形成方法。在一实施例中，可溶硬掩模层可作为图案化金属栅极的掩模单元。通过水或光致抗蚀剂显影液可将可溶硬掩模自基板上移除。在一实施例中，硬掩模层包含高介电常数的介电材料。在另一实施例中，保护层形成于光致抗蚀剂图案下。在剥除光致抗蚀剂的步骤中，保护层可保护基板上的一层或多层结构。与公知技术相较，上述方法改善光致抗蚀剂层的附着力。公知干灰化和/或湿蚀刻等工艺在移除光致抗蚀剂层和/或硬掩模层时，可能损伤金属栅极和/或高介电常数的栅极介电层的问题可通过上述方法改善。

公开(公告)号：CN101924035A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200910167343.6

申请日：2009-08-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 叶明熙 ,  林舜武 ,  陈启群 ,  陈嘉仁 ,  陈薏新 ,  陈建豪 ,  赵元舜 ,  黄国宾

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28105 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/401

摘要： 本发明提供形成半导体元件及其栅极结构的方法，其包括多种含有高介电常数的栅极介电层的图案化金属栅极结构的形成方法。在一实施例中，可溶硬掩模层可作为图案化金属栅极的掩模单元。通过水或光致抗蚀剂显影液可将可溶硬掩模自基板上移除。在一实施例中，硬掩模层包含高介电常数的介电材料。在另一实施例中，保护层形成于光致抗蚀剂图案下。在剥除光致抗蚀剂的步骤中，保护层可保护基板上的一层或多层结构。与公知技术相较，上述方法改善光致抗蚀剂层的附着力。公知干灰化和/或湿蚀刻等工艺在移除光致抗蚀剂层和/或硬掩模层时，可能损伤金属栅极和/或高介电常数的栅极介电层的问题可通过上述方法改善。