公开(公告)号：CN106252279A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610010220.1

申请日：2016-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 亚历山大·卡尔尼茨基 ,  雷弋昜 ,  王玺清 ,  郭震宇 ,  黄宗隆 ,  谢静华 ,  刘重希 ,  余振华 ,  古进誉 ,  廖德堆 ,  刘国洲 ,  吴凯第 ,  张国彬 ,  杨胜斌 ,  黄以撒

IPC: H01L21/78

Abstract: 本发明的实施例提供了一种制造半导体结构的方法，包括：接收第一衬底，第一衬底包括第一表面、与第一表面相对的第二表面以及设置在第一表面上方的多个导电凸块；接收第二衬底；在第一衬底或第二衬底上方设置粘合剂；在第一环境中加热粘合剂；通过在第一衬底或第二衬底上施加小于约10,000N的力以及在第二环境中加热粘合剂来将第一衬底与第二衬底接合；以及从第二表面减薄第一衬底的厚度。

公开(公告)号：CN106252279B

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201610010220.1

申请日：2016-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 亚历山大·卡尔尼茨基 ,  雷弋昜 ,  王玺清 ,  郭震宇 ,  黄宗隆 ,  谢静华 ,  刘重希 ,  余振华 ,  古进誉 ,  廖德堆 ,  刘国洲 ,  吴凯第 ,  张国彬 ,  杨胜斌 ,  黄以撒

IPC: H01L21/78

Abstract: 本发明的实施例提供了一种制造半导体结构的方法，包括：接收第一衬底，第一衬底包括第一表面、与第一表面相对的第二表面以及设置在第一表面上方的多个导电凸块；接收第二衬底；在第一衬底或第二衬底上方设置粘合剂；在第一环境中加热粘合剂；通过在第一衬底或第二衬底上施加小于约10,000N的力以及在第二环境中加热粘合剂来将第一衬底与第二衬底接合；以及从第二表面减薄第一衬底的厚度。

公开(公告)号：CN107230645A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710185864.9

申请日：2017-03-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄伟立 ,  翁正杰 ,  苏祥盛 ,  黄宗隆 ,  刘国洲 ,  黄信傑 ,  廖德堆 ,  古进誉 ,  陈承先

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。一种制造半导体结构的方法，所述方法包含形成传导层于第一绝缘层上；蚀刻所述传导层的一部分，以暴露所述第一绝缘层的一部分；变形所述第一绝缘层的所述部分的表面，以形成所述第一绝缘层的粗糙表面；以及从所述第一绝缘层的所述粗糙表面移除所述传导层的残留物。