公开(公告)号：CN102254900A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201010624051.3

申请日：2010-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姚欣洁 ,  王宪程 ,  黄建凯 ,  陈俊光

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/28 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70683 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路装置及其制造方法。一例示性装置包含具有对位区域的基材、位于上述基材的对位区域中的对位特征、以及设置在上述对位特征之内的虚拟特征。虚拟特征的一尺寸小于对位标记侦测器的分辨率。

公开(公告)号：CN102254900B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201010624051.3

申请日：2010-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姚欣洁 ,  王宪程 ,  黄建凯 ,  陈俊光

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/28 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70683 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路装置及其制造方法。一例示性装置包含具有对位区域的基材、位于上述基材的对位区域中的对位特征、以及设置在上述对位特征之内的虚拟特征。虚拟特征的一尺寸小于对位标记侦测器的分辨率。