公开(公告)号：CN107230702A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710183215.5

申请日：2017-03-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王朝勋 ,  王宪程 ,  王美匀

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在包括栅极结构的衬底上方形成第一介电层；在第一介电层中形成第一沟槽；沿着第一沟槽的侧壁形成介电间隔件；去除介电间隔件的一部分以暴露侧壁的一部分；在介电间隔件的另一部分上方并沿着第一沟槽的侧壁的暴露部分于第一沟槽中形成第一金属部件；在第一金属部件和栅极结构上方形成第二介电层；以及在同一蚀刻工艺中，形成穿过第二介电层以暴露第一金属部件的一部分的第二沟槽和穿过第二介电层和第一介电层以暴露栅极结构的一部分的第三沟槽。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。

公开(公告)号：CN102254900B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201010624051.3

申请日：2010-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姚欣洁 ,  王宪程 ,  黄建凯 ,  陈俊光

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/28 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70683 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路装置及其制造方法。一例示性装置包含具有对位区域的基材、位于上述基材的对位区域中的对位特征、以及设置在上述对位特征之内的虚拟特征。虚拟特征的一尺寸小于对位标记侦测器的分辨率。

公开(公告)号：CN101414131A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810170515.0

申请日：2008-10-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游大庆 ,  王宪程 ,  谢弘璋

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70833 ,  G03F7/70258 ,  G03F7/70641 ,  G03F7/70858

Abstract: 本发明是有关于一种微影制程的曝光装置及方法，该微影制程的曝光装置，至少包括可变聚焦元件。可变聚焦元件可包含在电场存在下可被变形的透明膜。透明膜的变形可允许放射光束的焦距作调整。在一实施例中，可调整可变聚焦元件，藉以提供曝光目标上的第一位置具有第一焦距的放射光束、和提供此曝光目标上的第二位置具有第二焦距的放射光束。也提供一种微影制程的方法和电脑可读取媒体。

公开(公告)号：CN102254899B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201010527199.5

申请日：2010-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 温明璋 ,  王宪程 ,  陈俊光

IPC: H01L23/544 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823493 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明提供一种具有对准标记的半导体结构及其形成方法。在一实施例的半导体结构中，多个栅极堆叠形成于半导体基板上并构成对准标记。多个掺杂结构形成于半导体基板中并位于每一栅极堆叠的两侧。多个通道区位于栅极堆叠下方，且通道区不具有任何通道掺质。

公开(公告)号：CN105304608B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201510204942.6

申请日：2015-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王朝勋 ,  刘仕文 ,  杨复凯 ,  王宪程 ,  王美匀

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76895 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L23/485 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种自对准接触件。在实施例中，通过从邻接于栅电极处部分地去除第一介电材料和从邻接于栅电极处完全去除第二介电材料来形成自对准接触件。导电材料被沉积到去除第一介电材料和第二介电材料之后的区域中，并且导电材料和金属栅极凹至隔离件下方。介电层被沉积在凹进的导电材料和凹进的金属栅极的上方，并且自对准接触件穿过介电层而形成。本发明还提供了一种制造自对准接触件的方法。

公开(公告)号：CN102569172B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201110398058.2

申请日：2011-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王宪程 ,  温明璋 ,  陈俊光 ,  辜耀进

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/265 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L22/32 ,  G03F7/70633 ,  H01L21/265 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 描述了覆盖标记及其制造方法。在一个实施例中，半导体覆盖结构包括：栅叠层结构，形成在半导体衬底上方并被配置作为覆盖标记；以及掺杂半导体衬底，设置在栅叠层结构的两侧，至少包括与器件区域中的栅叠层结构相邻的半导体衬底一样多的掺杂物。通过至少三次离子注入步骤形成掺杂半导体衬底。本发明还提供了一种用于覆盖标记的结构和方法。

公开(公告)号：CN106206435A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510262502.6

申请日：2015-05-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李振铭 ,  杨复凯 ,  王宪程 ,  王美匀

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823418 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明实施例提供了一种形成半导体器件的方法。方法包括在第一器件区中的第一源极/漏极区上方形成诸如氧化层的掩模层。形成诸如层间介电层的介电层并且图案化该介电层以暴露第一源极/漏极区和第二器件区中的第二源极/漏极区。对第二源极/漏极区实施硅化处理，同时掩模层保护第一源极/漏极区。然后去除掩模层并且在第一源极/漏极区上实施硅化处理。本发明实施例涉及无掩模双硅化工艺。

公开(公告)号：CN101414131B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200810170515.0

申请日：2008-10-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游大庆 ,  王宪程 ,  谢弘璋

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70833 ,  G03F7/70258 ,  G03F7/70641 ,  G03F7/70858

Abstract: 本发明是有关于一种微影制程的曝光装置及方法，该微影制程的曝光装置，至少包括可变聚焦元件。可变聚焦元件可包含在电场存在下可被变形的透明膜。透明膜的变形可允许放射光束的焦距作调整。在一实施例中，可调整可变聚焦元件，藉以提供曝光目标上的第一位置具有第一焦距的放射光束、和提供此曝光目标上的第二位置具有第二焦距的放射光束。也提供一种微影制程的方法和电脑可读取媒体。

公开(公告)号：CN102569172A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110398058.2

申请日：2011-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王宪程 ,  温明璋 ,  陈俊光 ,  辜耀进

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/265 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L22/32 ,  G03F7/70633 ,  H01L21/265 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 描述了覆盖标记及其制造方法。在一个实施例中，半导体覆盖结构包括：栅叠层结构，形成在半导体衬底上方并被配置作为覆盖标记；以及掺杂半导体衬底，设置在栅叠层结构的两侧，至少包括与器件区域中的栅叠层结构相邻的半导体衬底一样多的掺杂物。通过至少三次离子注入步骤形成掺杂半导体衬底。本发明还提供了一种用于覆盖标记的结构和方法。

公开(公告)号：CN107230702B

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201710183215.5

申请日：2017-03-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王朝勋 ,  王宪程 ,  王美匀

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在包括栅极结构的衬底上方形成第一介电层；在第一介电层中形成第一沟槽；沿着第一沟槽的侧壁形成介电间隔件；去除介电间隔件的一部分以暴露侧壁的一部分；在介电间隔件的另一部分上方并沿着第一沟槽的侧壁的暴露部分于第一沟槽中形成第一金属部件；在第一金属部件和栅极结构上方形成第二介电层；以及在同一蚀刻工艺中，形成穿过第二介电层以暴露第一金属部件的一部分的第二沟槽和穿过第二介电层和第一介电层以暴露栅极结构的一部分的第三沟槽。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。