公开(公告)号：CN108630597A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810214160.4

申请日：2018-03-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄彦智 ,  陈育裕

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76802

摘要： 本公开涉及半导体元件及用于制造半导体元件的方法。一种用于制造半导体元件的方法包括：形成覆盖半导体元件的元件层的硬掩模层、在硬掩模层上形成心轴底层、以及在心轴底层上形成心轴层。心轴层具有沿第一方向延伸的多条心轴线。在心轴底层中形成在基本垂直于第一方向的第二方向上延伸的多个开口。在心轴底层和心轴层上形成间隔层。间隔层填充心轴底层中的多个开口。去除间隔层的一些部分以暴露心轴底层的上表面和心轴层的上表面，并且去除心轴层。通过使用间隔层的剩余部分作为掩模，去除心轴底层和硬掩模层，以形成具有沿第一方向延伸的第一硬掩模图案线和沿第二方向延伸的第二硬掩模图案线的硬掩模图案。

公开(公告)号：CN107958842A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201710494179.4

申请日：2017-06-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄彦智 ,  陈育裕

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/768

摘要： 本公开提供一种图案化形成一半导体结构特征的方法，此方法包括一掩模层形成于一目标层之上。一合并切割特征形成于此掩模层之上。一第一芯轴层形成于此掩模层和合并切割特征之上。此第一芯轴层进行图案化以形成第一开口于其中。第一侧壁子形成于此第一开口的侧壁。第一开口中填入一介电材料以形成栓塞。此第一芯轴层进行图案化以除去插在相邻第一侧壁子间的第一芯轴层部分。使用此第一侧壁子及栓塞作为一共同蚀刻掩模，将此合并切割特征进行图案化。除去此栓塞。使用此第一侧壁子作为蚀刻掩模，将此掩模层进行图案化。然后使用此掩模层及合并切割特征作为一共同蚀刻掩模，将此目标层进行图案化以形成第二开口于其中。