公开(公告)号：CN105612459B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201480055095.5

申请日：2014-10-03

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 中岛诚 ,  柴山亘 ,  若山浩之 ,  武田谕

IPC分类号： G03F7/11 ,  C08G77/04 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  G03F7/40

CPC分类号： C09D183/04 ,  C08G77/04 ,  C08G77/06 ,  C08G77/26 ,  C08G77/58 ,  C08G77/80 ,  C08K3/22 ,  C08K3/24 ,  C08K2003/2244 ,  C08L83/04 ,  C08L85/00 ,  C09D1/00 ,  C09D5/00 ,  C09D5/006 ,  C09D7/61 ,  C09D183/08 ,  C09D183/14 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/168 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

摘要： 一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有，(A)成分：同多酸或杂多酸或它们的盐或它们的组合、和(B)成分：聚硅氧烷、聚氧化铪或氧化锆或它们的组合，基于(A)成分和(B)成分的合计量，以0.1～85质量％的比例含有(A)成分，该聚硅氧烷为R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)所示的水解性硅烷的水解缩合物，在全部水解性硅烷中含有60～85摩尔％的(a+b)为0的水解性硅烷，该聚氧化铪为Hf(R4)4所示的水解性铪的水解缩合物，该氧化锆为Zr(R5)4、或ZrO(R6)2所示的水解性锆或它们的组合的水解缩合物。

公开(公告)号：CN108885409A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780022627.9

申请日：2017-04-05

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： K·沙赫 ,  A·克罗斯

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G06T7/0004 ,  G06T2207/30148 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0338 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

摘要： 本发明提供一种用于检测多重图案化制造装置中与重叠相关的缺陷的设计感知系统、方法及计算机程序产品。在使用期间，由计算机系统接收多重图案化制造装置的设计。接着，所述计算机系统自动从所述设计确定所述设计的易于引起重叠误差的一或多个区域。此外，由所述计算机系统将所确定的一或多个区域的指示输出到检验系统以用于检验根据所述设计制造的多重图案化装置。

公开(公告)号：CN108630597A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810214160.4

申请日：2018-03-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄彦智 ,  陈育裕

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76802

摘要： 本公开涉及半导体元件及用于制造半导体元件的方法。一种用于制造半导体元件的方法包括：形成覆盖半导体元件的元件层的硬掩模层、在硬掩模层上形成心轴底层、以及在心轴底层上形成心轴层。心轴层具有沿第一方向延伸的多条心轴线。在心轴底层中形成在基本垂直于第一方向的第二方向上延伸的多个开口。在心轴底层和心轴层上形成间隔层。间隔层填充心轴底层中的多个开口。去除间隔层的一些部分以暴露心轴底层的上表面和心轴层的上表面，并且去除心轴层。通过使用间隔层的剩余部分作为掩模，去除心轴底层和硬掩模层，以形成具有沿第一方向延伸的第一硬掩模图案线和沿第二方向延伸的第二硬掩模图案线的硬掩模图案。

公开(公告)号：CN108475640A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780006952.6

申请日：2017-01-04

申请人： 应用材料公司

发明人： 托马斯·琼万·权 ,  程睿 ,  阿布海杰特·巴苏·马利克 ,  平尔萱 ,  安在洙

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/033 ,  H01L21/02 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/0338 ,  H01L21/02109 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/00

摘要： 本公开内容的实施方式涉及改善的硬模材料和用于基板的图案化和蚀刻的方法。多个硬模可与图案化和蚀刻工艺共同使用以实现先进的装置架构。在一个实施方式中，第一硬模和第二硬模设置于基板上，所述基板具有设置于所述基板上的各种材料层。在第一蚀刻工艺期间可使用第二硬模以图案化第一硬模。可在第一硬模和第二硬模上沉积第三硬模，并且可使用第二蚀刻工艺以在材料层中形成通道。

公开(公告)号：CN108364858A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810111778.8

申请日：2017-04-18

申请人： 睿力集成电路有限公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： H01L21/033

CPC分类号： H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

摘要： 本发明揭示了一种半导体器件及其制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底具有多个第一区域以及多个第二区域；在所述衬底上形成多个第一图案，所述第一图案位于所述第一区域上，所述第一图案具有一显露所述第二区域的缺口；在所述衬底上形成一第一调整层；在所述第一调整层上形成一第二调整层，所述第二调整层填补所述缺口；去除所述第一图案上方的第二调整层残留的所述第二调整层与所述第二调整层下方的所述第一调整层共同形成为多个第二图案；去除在所述第一图案与所述第二图案之间的所述第一调整层，在所述第一图案和第二图案之间形成间隙，所述间隙的宽度小于所述第一图案之间的距离，有利于实现小尺寸图案的制备。

公开(公告)号：CN108140545A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680056619.1

申请日：2016-08-11

申请人： 应用材料公司

发明人： P·K·库尔施拉希萨 ,  段子青 ,  K·T·纳拉辛哈 ,  K·D·李 ,  金柏涵

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/36 ,  C23C16/24

CPC分类号： H01L21/0338 ,  C23C16/32 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3065

摘要： 本公开的实施例大体而言涉及集成电路制造。更具体而言，本文所述实施例提供用于在基板上沉积硼-碳膜的技术。在一实施例中，提供处理基板的方法。方法包含使含烃气体混合物流动至具有基板定位于内的处理腔室的处理容积，其中基板经加热达约400℃至约700℃的基板温度；使含硼气体混合物流动至处理容积；及在处理容积内产生RF等离子体，以于加热基板上沉积硼-碳膜，其中硼-碳膜具有约200GPa至约400GPa的弹性模量和约-100MPa至约100MPa的应力。

公开(公告)号：CN107868194A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710869088.4

申请日：2017-09-22

申请人： SK新技术株式会社 ,  韩国科学技术院

发明人： 咸珍守 ,  郑连植 ,  金善英 ,  许允衡 ,  李光国 ,  宋承垣

IPC分类号： C08F293/00 ,  C08F220/14 ,  C08F212/08 ,  C08F212/14 ,  G03F7/00 ,  G03F7/09 ,  G03F7/16 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC分类号： C08F220/18 ,  C08F12/20 ,  C08F114/185 ,  C08F212/08 ,  C08F293/005 ,  C08F2438/03 ,  C09D153/00 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31138 ,  C08F212/14 ,  C08F220/14 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/091 ,  G03F7/165 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32139

摘要： 本发明提供了一种形成精细图案的方法，该方法通过使用具有优异蚀刻选择性的嵌段共聚物而能够最小化LER和LWR，从而形成高质量纳米图案。本发明提供了一种嵌段共聚物，其包含具有由以下化学式1表示的重复单元的第一嵌段和具有由以下化学式2表示的重复单元的第二嵌段：[化学式1][化学式2]其中R1-R5、X1-X5、l、n和m如权利要求1中所定义。

公开(公告)号：CN107799402A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201711000796.0

申请日：2017-10-24

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 李天慧 ,  龙海凤

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/033

CPC分类号： H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

摘要： 一种二次图形的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面形成有第一硬掩膜层，第一硬掩膜层表面形成有第二硬掩膜层；图形化所述第二硬掩膜层，在第一硬掩膜表面形成若干分立的第一图形；形成覆盖所述第一图形和第一硬掩膜层表面的光刻胶层，所述光刻胶层中包括光致产酸剂；对第一图形之间的光刻胶层进行第一曝光，被曝光的光刻胶层中的光致产酸剂产生酸；进行负显影工艺，去除未曝光的光刻胶层，在相邻的第一图形之间形成第二图形；以第二图形和第一图形为掩膜，刻蚀所述第一硬掩膜层。本发明的方法形成的第一图形和第二图形尺寸和间距较小的同时，减小了对含有光致产酸剂的光刻胶层进行曝光时所采用的光掩模板的制作难度和成本。

公开(公告)号：CN107430984A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680019953.X

申请日：2016-03-11

申请人： 美光科技公司

发明人： 斯科特·E·西里斯 ,  古尔特杰·S·桑胡

IPC分类号： H01L21/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L21/02118 ,  B81C1/00031 ,  B81C1/00206 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02227 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31138 ,  H01L29/02 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/66007 ,  B82Y10/00

摘要： 本发明揭示一种形成纳米结构的方法，其包括在图案化衬底上形成核酸结构的定向自组装。所述图案化衬底包括多个区域。所述图案化衬底上的所述区域中的每一者经具体调适用于所述定向自组装中的特定核酸结构的吸附。

公开(公告)号：CN107403719A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201610340101.2

申请日：2016-05-20

申请人： 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 张翼英 ,  陈卓凡

IPC分类号： H01L21/033

CPC分类号： H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0338

摘要： 本发明揭示了一种在半导体器件中形成图形的方法，包括：在一目标层上形成一具有第一图形的第一掩膜层；形成一第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖部分所述目标层、所述第一掩膜层的顶部以及所述第一掩膜层的侧壁；对位于部分所述目标层上以及位于所述第一掩膜层的顶部的第二掩膜层进行第一等离子体处理；去除经所述第一等离子体处理的所述第二掩膜层，剩余的所述第二掩膜层形成第二图形；去除所述第一掩膜层；以及对所述目标层进行刻蚀。本发明提供的在半导体器件中形成图形的方法，可以有效控制图形的形状以及图形两侧间隔的深度，有利于提高刻蚀图形的准确性。