公开(公告)号：CN117096099A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202310942561.2

申请日：2023-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡忠浩 ,  王朝勋 ,  姚佳贤 ,  薛婉容 ,  黄谚钧 ,  杨复凯 ,  王美匀

IPC: H01L21/768 ,  H01L29/78 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L27/105 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

Abstract: 形成半导体结构的方法包括提供其上形成有源极/漏极部件和栅极结构的半导体衬底；在半导体衬底上形成层间介电层；图案化层间介电层以形成沟槽来将源极/漏极部件暴露在沟槽内；在沟槽的侧壁上形成介电衬垫；在沟槽中填充金属层；使沟槽中的金属层的部分凹进，从而在金属层中形成凹槽；以及在凹槽中再填充介电材料层。本发明的实施例还提供了半导体结构。

公开(公告)号：CN114520191A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202210036327.9

申请日：2022-01-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡忠浩 ,  黄谚钧 ,  方婷 ,  姚佳贤 ,  李振铭 ,  杨复凯 ,  王美匀

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开涉及半导体结构及其制造方法。提供了半导体结构和方法。根据本公开，一种半导体结构，包括：第一鳍结构和第二鳍结构，在衬底之上；第一源极/漏极特征和第二源极/漏极特征，该第一源极/漏极特征设置在第一鳍结构之上，并且该第二源极/漏极特征设置在第二鳍结构之上；电介质特征，设置在第一源极/漏极特征之上；以及接触件结构，形成在第一源极/漏极特征和第二源极/漏极特征之上。接触件结构电耦合到第二源极/漏极特征并且通过电介质特征与第一源极/漏极特征分隔开。

公开(公告)号：CN117096098A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202310938758.9

申请日：2023-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡忠浩 ,  姚佳贤 ,  黄谚钧 ,  杨复凯 ,  王美匀

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/105 ,  H01L29/78 ,  H01L23/528 ,  H01L23/522

Abstract: 方法包括：形成设置在衬底上的第一鳍和第二鳍；在第一鳍和第二鳍上方形成栅极结构；在第一鳍上外延生长第一源极/漏极(S/D)部件，并且在第二鳍上外延生长第二S/D部件；沉积覆盖第一S/D部件和第二S/D部件的介电层；蚀刻介电层以形成暴露第一S/D部件和第二S/D部件的沟槽；在沟槽中形成从第一S/D部件延伸至第二S/D部件的金属结构；实施切割金属工艺以形成开口，开口将金属结构分成第一S/D部件上方的第一段和第二S/D部件上方的第二段；以及在开口中沉积隔离部件。隔离部件将第一段与第二段分隔开。本申请的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。