公开(公告)号：CN113121238A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110408481.X

申请日：2021-04-16

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 钟志宏 ,  陈成民 ,  欧阳维 ,  吴玉程 ,  宋奎晶 ,  陈畅

IPC: C04B35/563 ,  C04B35/81 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明公开了一种高性能碳化硼基复合陶瓷材料及其制备方法。所述高性能碳化硼基复合陶瓷材料是以原位反应形成的HfB2和SiC以及添加的SiCnw为增强增韧相，B4C为基体，经过压力烧结而成。其原料由以下材料组成：HfSi2粉40‑45％，SiCnw 0.88‑4.45％，余量为B4C粉。通过机械混粉方法制得混合粉末，对混合粉末进行放电等离子烧结成坯体，最终得到碳化硼复合陶瓷材料。本发明实现了B4C复合陶瓷的低温短时烧结，使用本发明方法制得的碳化硼基复合陶瓷材料与传统的碳化硼陶瓷相比，具有更高的致密度和优异的综合力学性能。

公开(公告)号：CN117139894A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311102426.3

申请日：2023-08-30

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 钟志宏 ,  陶国芸 ,  梁飚 ,  欧阳维 ,  宋奎晶 ,  吴玉程

IPC: B23K31/02 ,  B23K37/00 ,  B32B9/04 ,  B32B15/18 ,  B32B15/20 ,  B32B15/04 ,  B32B33/00 ,  B23K103/16

Abstract: 本发明公开了的一种用于低活化钢/Ti3SiC2陶瓷连接件的复合中间层及使用方法，其中，复合中间层包括从上到下依次排列的金属Ⅰ、中间金属层和金属II；金属Ⅰ和金属Ⅱ均选自钛或锆，金属Ⅰ和金属Ⅱ的厚度均为10～50μm；中间金属层为铜或铜合金，厚度为0.4～0.6mm；还公开了复合中间层用于低活化钢/Ti3SiC2陶瓷连接件的瞬间液相连接方法。本发明中的复合中间层不含高活化元素，在低于低活化钢的正火热处理温度下进行焊接并形成强度较高有望应用于核环境的耐高温连接件。

公开(公告)号：CN113121238B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202110408481.X

申请日：2021-04-16

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 钟志宏 ,  陈成民 ,  欧阳维 ,  吴玉程 ,  宋奎晶 ,  陈畅

IPC: C04B35/563 ,  C04B35/81 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明公开了一种高性能碳化硼基复合陶瓷材料及其制备方法。所述高性能碳化硼基复合陶瓷材料是以原位反应形成的HfB2和SiC以及添加的SiCnw为增强增韧相，B4C为基体，经过压力烧结而成。其原料由以下材料组成：HfSi2粉40‑45％，SiCnw 0.88‑4.45％，余量为B4C粉。通过机械混粉方法制得混合粉末，对混合粉末进行放电等离子烧结成坯体，最终得到碳化硼复合陶瓷材料。本发明实现了B4C复合陶瓷的低温短时烧结，使用本发明方法制得的碳化硼基复合陶瓷材料与传统的碳化硼陶瓷相比，具有更高的致密度和优异的综合力学性能。

公开(公告)号：CN113816747A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202110998353.5

申请日：2021-08-27

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 钟志宏 ,  刘成友 ,  欧阳维 ,  林俐菁 ,  宋奎晶 ,  吴玉程

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/622 ,  C04B35/80 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明涉及一种制备具有优异综合力学性能的TiC增强MAX相高熵陶瓷材料基复合材料的方法，以及由该方法制备得到的TiC增强MAX相高熵陶瓷材料基复合材料。所述方法包括如下步骤：1)将TiC粉末与MAX相粉末，进行配料混合，所述MAX相粉末为任意三种以上的过渡金属MAX相碳化物粉末；2)将在步骤一得到的混合粉末分散于助磨剂中，进行球磨得到陶瓷浆料，并进行真空干燥，并进行过筛；3)将步骤二得到的混合粉末置于钢模中，进行预压成形，得到陶瓷素胚；4)将步骤三得到陶瓷素胚置于将石墨模具中，在真空环境下压力烧结。通过在MAX相高熵陶瓷基体中引入TiC第二相进一步提升材料的性能。

公开(公告)号：CN113185295A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110626195.0

申请日：2021-06-04

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 钟志宏 ,  刘成友 ,  欧阳维 ,  吴玉程

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明提供了一种制备MAX相高熵陶瓷材料的方法，其包括如下步骤：1)配制复合粉末，将过渡金属粉末、过渡金属氢化物粉末、对应的过渡金属碳化物粉末以及铝粉进行混合配制复合粉末；2)将在步骤1)得到所述复合粉末分散于助磨剂中，进行球磨得到混合浆料，并进行真空干燥，并进行过筛；3)将步骤2)得到的混合粉末置于钢模中，进行预压成形，得到陶瓷素胚；4)将步骤3)得到陶瓷素胚置于将石墨模具中，在真空条件下，在45～55MPa的加载压力下，1300～1500℃的温度下进行压力烧结，即得到MAX相高熵陶瓷。本发明还提供一种通过所述方法制备的MAX相高熵陶瓷材料，所述的MAX相高熵陶瓷材料具有优异的力学性能。