公开(公告)号：CN118123033A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410146305.7

申请日：2024-02-02

申请人： 合肥工业大学 ,  安徽尚欣晶工新材料科技有限公司

发明人： 张久兴 ,  李响 ,  罗时峰 ,  王楠 ,  王衍 ,  杨新宇 ,  韩翠柳 ,  李东辉

IPC分类号： B22F9/14 ,  C22C1/02 ,  C22C28/00 ,  B22F1/052 ,  B22F1/065 ,  C09K5/14

摘要： 本发明提供了等离子旋转电极雾化制备HoCu2球形颗粒的方法，包括以下步骤：S1)使用真空感应炉将Ho金属和Cu金属以1∶2的摩尔比熔炼得到铸锭，然后加工制成HoCu2金属棒材；S2)将步骤S1)制备得到的HoCu2金属棒材作为自耗电极，抽真空处理后通入氩气作为保护气体，在氩气氛围下高速旋转，进行等离子旋转电极雾化，得到HoCu2球形粉末颗粒；S3)对步骤S2)得到的球形颗粒进行筛分，得到粒径范围在150～500μm的HoCu2球形粉末颗粒。粒径范围在150～500μm的HoCu2球形粉末颗粒的收率在90wt％以上，且制备出HoCu2球形粉末颗粒球形度高、表面光洁、低温比热大，适用于小型低温制冷机中填充的蓄冷材料。

公开(公告)号：CN118955132A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410866887.6

申请日：2024-07-01

申请人： 合肥工业大学 ,  安徽尚欣晶工新材料科技有限公司

发明人： 张久兴 ,  王楠 ,  罗时峰 ,  李响 ,  王衍 ,  杨新宇 ,  韩翠柳 ,  李东辉

IPC分类号： C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  F28D20/00 ,  C09K5/14

摘要： 本发明提供了一种制备硫氧化钆微球的方法，以及由该方法制备得到的硫氧化钆微球。所述方法包括如下步骤：(S1)将Gd2O3、升华硫、碳酸钠混合搅拌得到混合粉体，并在保护气氛下进行煅烧，经稀盐酸、酒精、去离子水洗后获得纯净的硫氧化钆粉末；(S2)将步骤(S1)获得的硫氧化钆粉末进行预压得到生坯，在真空条件下对该生坯采用放电等离子烧结炉进行烧结得到硫氧化钆块体，并机械破碎筛取颗粒径为100～500μm的颗粒；(S3)采用等离子球化技术将步骤(S2)获得的硫氧化钆颗粒处理为硫氧化钆微球。该方法制备的硫氧化钆微球球形度高、表面光洁、低温比热大，将其填充到蓄冷机中，可作为深低温蓄冷材料使用。

公开(公告)号：CN118461129A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410524808.3

申请日：2024-04-29

申请人： 合肥工业大学

发明人： 杨新宇 ,  占强胜 ,  赵威 ,  罗时峰 ,  张久兴

IPC分类号： C30B28/02 ,  C30B29/10

摘要： 本发明提供了一种制备六硼化物(LaxBa1‑x)B6单相固溶体多晶的方法，由该方法制备得到单相固溶体多晶，以及包括该单相固溶体多晶的阴极。根据本发明的方法包括如下步骤：1)首先对La2O3、B4C、BaCO3、B粉按摩尔比0.5x:(1‑x):1:(2+0.5x)进行球磨、干燥、过筛使得粉末粒径为8微米以下；2)将混合粉末预压成块在石墨坩埚中在进行反应；3)对粉末进行净化处理，用新鲜配制的盐酸溶液进行酸洗；4)将步骤3)得到的粉末进行SPS烧结得到(LaxBa1‑x)B6单相固溶体多晶。根据本发明的(LaxBa1‑x)B6单相固溶体多晶具有优异的热发射性能。

公开(公告)号：CN118910452A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411407426.9

申请日：2024-10-10

申请人： 合肥工业大学

发明人： 王衍 ,  马志高 ,  张久兴 ,  罗时峰 ,  徐健飞

IPC分类号： C22C1/051 ,  C22C29/14 ,  B22F9/04 ,  B22F3/02 ,  B22F3/105 ,  B22F3/10

摘要： 本发明提供一种高致密LaB6‑Ni复合材料的放电等离子液相烧结制备方法，涉及稀土六硼化物阴极材料技术领域;包括有通过引入微量的低熔点金属Ni第二相，在放电等离子烧结过程中金属Ni随着烧结温度的升高形成液相，进而润湿LaB6粉末颗粒，显著降低烧结温度和烧结时间，即通过放电等离子液相烧结制得了一种LaB6‑Ni复合材料，其以LaB6粉末和金属Ni粉末为原料，经过称量、球磨、干燥、预压成型后，采用放电等离子液相烧结技术制备；该材料致密度高、硬度大、热电子发射性能优异，该方法节省能源和成本，适合材料的工业化生产和应用。

公开(公告)号：CN115058775B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202210632542.5

申请日：2022-06-07

申请人： 合肥工业大学

发明人： 杨新宇 ,  董存超 ,  王可 ,  张久兴 ,  邓陈辉 ,  王衍 ,  罗时峰

IPC分类号： C30B29/10 ,  C30B13/00 ,  B23K15/06

摘要： 本发明提供了一种三元稀土六硼化物(LaxPr1‑x)B6[100]单晶体，其制备方法和包含该单晶体的电子束焊机的阴极器件。在所述单晶体中，0

公开(公告)号：CN114908422B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202210746466.0

申请日：2022-06-29

申请人： 合肥工业大学

发明人： 王衍 ,  鲍妍 ,  张久兴 ,  杨新宇 ,  罗时峰 ,  蔡铭辉

IPC分类号： C30B29/10 ,  C30B13/28 ,  B22F3/105

摘要： 本发明提供了一种锶元素掺杂的六硼化镧单晶体、其制备方法，及包括其的阴极器件。所述锶元素掺杂的六硼化镧单晶体的分子式为La1‑xSrxB6，其中，0

公开(公告)号：CN115418721A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202211081992.6

申请日：2022-09-06

申请人： 合肥工业大学

发明人： 王衍 ,  鲍妍 ,  张久兴 ,  杨新宇 ,  罗时峰

IPC分类号： C30B29/10 ,  C30B13/00

摘要： 本发明提供了一种六硼化钕[100]单晶块体材料、其制备方法以及包括其的制品。所述NdB6单晶体生长沿[100]方向，并且没有亚晶界。X‑ray摇摆曲线分析表明，根据本发明的NdB6单晶体的摇摆曲线光滑对称，无劈裂，半高宽0.049°～0.082°，表明单晶体晶体质量高、完整性好。

公开(公告)号：CN113563080B

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202110889044.4

申请日：2021-08-04

申请人： 合肥工业大学

发明人： 杨新宇 ,  王可 ,  张久兴 ,  彭天帅 ,  韩翠柳 ,  罗时峰

IPC分类号： C04B35/56 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

摘要： 本发明提供了一种制备高致密度HfC制品的方法，包括步骤：1)将HfC粉末装入石墨模具；对装好HfC粉末的石墨模具进行预压，调整上下压头高度，使HfC粉末位于石墨模具的中心；2)将石墨模具装入SPS炉腔中，将炉腔真空抽到10Pa以下，通入直流脉冲电流，对HfC粉末进行烧结成形；3)烧结结束，随炉冷却，保压降温，待烧结腔温度降至100℃以下，将样品从烧结腔里取出高致密度的HfC制品，所述高致密度的HfC制品的致密度为90％以上。本发明采用放电等离子烧结技术制备了高致密度的HfC制品，所述方法具有烧结温度低、实现快速致密化、能保持严格的化学计量比且无杂质、致密度高的优点。

公开(公告)号：CN116334754A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310303995.8

申请日：2023-03-27

申请人： 合肥工业大学

发明人： 杨新宇 ,  董存超 ,  赵威 ,  王衍 ,  罗时峰 ,  张久兴

IPC分类号： C30B29/10 ,  C01B35/04 ,  C30B28/08

摘要： 本发明提供了一种高性能的LaB6[100]‑TiB2共晶复合材料及其制备方法，以及包括该材料的阴极器件。在所述LaB6[100]‑TiB2共晶复合材料，其中LaB6[100]与TiB2的摩尔比为11∶4，LaB6为基体且晶体取向为[100]；TiB2是以纤维形式存在的增强相。所述LaB6[100]‑TiB2共晶复合材料中的晶体均匀、具有非常好的热发射性能。

公开(公告)号：CN115386778B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202210965529.1

申请日：2022-08-12

申请人： 合肥工业大学

发明人： 杨新宇 ,  王可 ,  董存超 ,  张久兴 ,  王衍 ,  罗时峰

IPC分类号： C22C29/14 ,  B22F3/105 ,  B22F9/04 ,  C30B13/16 ,  C30B13/28 ,  C30B29/10

摘要： 本发明提供一种LaB6[100]‑HfB2共晶复合材料、其制备方法、包括该共晶复合材料的阴极器件和包括该阴极器件的电子束焊机。在所述LaB6[100]‑HfB2共晶复合材料中，基于100wt％的LaB6‑HfB2共晶复合材料，LaB6的含量为77wt％，HfB2的含量为23wt％，所述LaB6[100]‑HfB2共晶复合材料微观组织中无初生相。所述LaB6[100]‑HfB2共晶复合材料组织分布均匀、高纯度、无初生相，从而具有提高材料的性能。