公开(公告)号：CN118123033A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410146305.7

申请日：2024-02-02

申请人： 合肥工业大学 ,  安徽尚欣晶工新材料科技有限公司

发明人： 张久兴 ,  李响 ,  罗时峰 ,  王楠 ,  王衍 ,  杨新宇 ,  韩翠柳 ,  李东辉

IPC分类号： B22F9/14 ,  C22C1/02 ,  C22C28/00 ,  B22F1/052 ,  B22F1/065 ,  C09K5/14

摘要： 本发明提供了等离子旋转电极雾化制备HoCu2球形颗粒的方法，包括以下步骤：S1)使用真空感应炉将Ho金属和Cu金属以1∶2的摩尔比熔炼得到铸锭，然后加工制成HoCu2金属棒材；S2)将步骤S1)制备得到的HoCu2金属棒材作为自耗电极，抽真空处理后通入氩气作为保护气体，在氩气氛围下高速旋转，进行等离子旋转电极雾化，得到HoCu2球形粉末颗粒；S3)对步骤S2)得到的球形颗粒进行筛分，得到粒径范围在150～500μm的HoCu2球形粉末颗粒。粒径范围在150～500μm的HoCu2球形粉末颗粒的收率在90wt％以上，且制备出HoCu2球形粉末颗粒球形度高、表面光洁、低温比热大，适用于小型低温制冷机中填充的蓄冷材料。

公开(公告)号：CN118955132A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410866887.6

申请日：2024-07-01

申请人： 合肥工业大学 ,  安徽尚欣晶工新材料科技有限公司

发明人： 张久兴 ,  王楠 ,  罗时峰 ,  李响 ,  王衍 ,  杨新宇 ,  韩翠柳 ,  李东辉

IPC分类号： C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  F28D20/00 ,  C09K5/14

摘要： 本发明提供了一种制备硫氧化钆微球的方法，以及由该方法制备得到的硫氧化钆微球。所述方法包括如下步骤：(S1)将Gd2O3、升华硫、碳酸钠混合搅拌得到混合粉体，并在保护气氛下进行煅烧，经稀盐酸、酒精、去离子水洗后获得纯净的硫氧化钆粉末；(S2)将步骤(S1)获得的硫氧化钆粉末进行预压得到生坯，在真空条件下对该生坯采用放电等离子烧结炉进行烧结得到硫氧化钆块体，并机械破碎筛取颗粒径为100～500μm的颗粒；(S3)采用等离子球化技术将步骤(S2)获得的硫氧化钆颗粒处理为硫氧化钆微球。该方法制备的硫氧化钆微球球形度高、表面光洁、低温比热大，将其填充到蓄冷机中，可作为深低温蓄冷材料使用。

公开(公告)号：CN114908422B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202210746466.0

申请日：2022-06-29

申请人： 合肥工业大学

发明人： 王衍 ,  鲍妍 ,  张久兴 ,  杨新宇 ,  罗时峰 ,  蔡铭辉

IPC分类号： C30B29/10 ,  C30B13/28 ,  B22F3/105

摘要： 本发明提供了一种锶元素掺杂的六硼化镧单晶体、其制备方法，及包括其的阴极器件。所述锶元素掺杂的六硼化镧单晶体的分子式为La1‑xSrxB6，其中，0

公开(公告)号：CN115418721A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202211081992.6

申请日：2022-09-06

申请人： 合肥工业大学

发明人： 王衍 ,  鲍妍 ,  张久兴 ,  杨新宇 ,  罗时峰

IPC分类号： C30B29/10 ,  C30B13/00

摘要： 本发明提供了一种六硼化钕[100]单晶块体材料、其制备方法以及包括其的制品。所述NdB6单晶体生长沿[100]方向，并且没有亚晶界。X‑ray摇摆曲线分析表明，根据本发明的NdB6单晶体的摇摆曲线光滑对称，无劈裂，半高宽0.049°～0.082°，表明单晶体晶体质量高、完整性好。

公开(公告)号：CN111910249B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202010684686.6

申请日：2020-07-16

申请人： 合肥工业大学

发明人： 杨新宇 ,  宁舒羽 ,  张久兴 ,  王衍

IPC分类号： C30B29/10 ,  C30B13/16 ,  C30B28/02

摘要： 本发明公开了一种大尺寸、高性能的GdB6单晶，及其制备方法。所述GdB6单晶不包含GdB4，特别地，GdB6单晶的直径为3～7mm。所述GdB6单晶的摇摆曲线半高宽仅为0.1～0.25°；其在1873K的温度下的最高发射电流密度为6.50A/cm2以上。本发明所述的大尺寸、高性能的GdB6单晶非常适合用作电子束焊机中的阴极材料。

公开(公告)号：CN107245758B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201710441703.1

申请日：2017-06-13

申请人： 合肥工业大学

发明人： 张久兴 ,  王衍 ,  杨新宇 ,  王盼 ,  宁舒羽 ,  胡可 ,  李志

IPC分类号： C30B29/10 ,  C30B28/02 ,  C30B13/00

摘要： 本发明公开了一种多元稀土六硼化物(La0.6CexPr0.4‑x)B6单晶体的制备方法，是采用放电等离子烧技术结合光学区熔法制备得到高质量、高性能、大尺寸的(La0.6CexPr0.4‑x)B6单晶体。本发明所得样品单一物相，没有杂质生成，且单晶质量良好没有出现孪晶现象。

公开(公告)号：CN111793823B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202010683734.X

申请日：2020-07-16

申请人： 合肥工业大学

发明人： 杨新宇 ,  宁舒羽 ,  张久兴 ,  王衍

IPC分类号： C30B29/10 ,  C30B1/10

摘要： 本发明公开了一种高纯度六硼化钆多晶，及其制备方法。所述六硼化钆多晶中不含有四硼化钆杂质，优选地所述六硼化钆多晶的致密度超过80％，直径为15mm以上。

公开(公告)号：CN107236991B

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN201710441779.4

申请日：2017-06-13

申请人： 合肥工业大学

发明人： 张久兴 ,  宁舒羽 ,  王盼 ,  王衍 ,  杨新宇 ,  李志 ,  胡可

IPC分类号： C30B29/10 ,  C30B13/00 ,  H01J1/148

摘要： 本发明公开了一种大尺寸六元稀土硼化物单晶阴极材料及其制备方法，其组成为(LaxCeyPrzNduGdv)B6，其中x+y+z+u+v＝1，其采用放电等离子烧结与悬浮区域熔炼相结合的方法制备获得。本发明所制备的六元稀土硼化物单晶体具有尺寸大、质量高、电流发射密度较高的特点。

公开(公告)号：CN109133993B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201810901744.9

申请日：2018-08-09

申请人： 合肥工业大学

发明人： 张久兴 ,  王正红 ,  杨新宇 ,  王衍

IPC分类号： C04B41/80 ,  C04B35/58

摘要： 本发明公开了一种LaB6‑(Zr,V)B2共晶复合材料的制备方法，其是以ZrB2、LaB6及VB2粉末为原料，经球磨、预压烧结后，通过光学区熔获得。本发明采用光学区熔技术，通过工艺参数的精确控制，获得了组织均匀、力学与热发射性能良好的高性能LaB6‑(Zr,V)B2共晶复合材料，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN111793823A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010683734.X

申请日：2020-07-16

申请人： 合肥工业大学

发明人： 杨新宇 ,  宁舒羽 ,  张久兴 ,  王衍

IPC分类号： C30B29/10 ,  C30B1/10

摘要： 本发明公开了一种高纯度六硼化钆多晶，及其制备方法。所述六硼化钆多晶中不含有四硼化钆杂质，优选地所述六硼化钆多晶的致密度超过80％，直径为15mm以上。