一种镁基电子探针微束成分分析标准样品及其制备方法

    公开(公告)号:CN114295663B

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202111631842.3

    申请日:2021-12-28

    发明人: 朱继浩 李艾燃

    IPC分类号: G01N23/225 G01N23/2202

    摘要: 本发明公开了一种镁基电子探针微束成分分析标准样品及其制备方法,属于电子探针微束分析技术领域。一种镁基电子探针微束成分分析标准样品的制备方法,其特征在于:制备方法主要包括如下步骤:S1、熔融处理:将高纯度的Mg和高纯度的Sb单质粉末进行均匀混合,使用钽管将Mg和Sb混合物密封,接着再将钽管密封在石英玻璃管中,然后将石英玻璃管置于马弗炉中,在850℃进行高温熔融处理;S2、退火处理:对Mg3Sb2进行退火处理,以2℃/小时的速度从850℃降温至650℃,使Mg3Sb2单晶缓慢长大。使用Mg3Sb2单晶作为标准样品,能够有效消除基体效应对镁基热电材料电子探针微区原位成分分析的影响,主要用于对镁基热电材料测试数据进行校准,还可用于对测试过程进行质量控制。

    高能射线下SF6气体电离状态对GIS损伤的定性评估方法

    公开(公告)号:CN118258839A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202211635402.X

    申请日:2022-12-19

    IPC分类号: G01N23/225

    摘要: 本申请公开了高能射线下SF6气体电离状态对GIS损伤的定性评估方法,包括建立与待评估GIS检测项目的理论等效管;以待评估GIS检测项目相同阳极丝电压U,管内SF6压强P和射线能量eV注入理论等效管;通过Garfield可将电子输运到极低能量,能够模拟电子雪崩过程,获得电子雪崩并转化成流注放电起始临界值K,通过Geant4/TOPAS模拟射线与物质相互作用过程,通过MCCM算法计算位移原子的相对数量来评估GIS材料的辐照损伤程度。本发明能够对高能X射线照射下SF6气体电离产生的电子、离子的迁移规律进行充分的展示,评估GIS内部部件中能量沉积与辐射损伤程度,实现多物理场耦合下SF6气体的绝缘性变化规律,掌握高能X射线辐照下的GIS无损检测射线安全阙值。

    一种亚共析钢带状组织的定量评定方法

    公开(公告)号:CN113447512B

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202110283600.3

    申请日:2021-03-16

    IPC分类号: G01N23/225 G01N23/2251

    摘要: 本发明提供了一种亚共析钢带状组织的定量评定方法,属于金属材料检测技术领域,包括:将亚共析钢制备成待测样品,对分析区域进行碳元素面分析,获得碳元素的计数强度面分布图;选取数个碳元素的含量已知的标准样品,后建立碳元素的含量‑计数强度校准曲线;根据所述碳元素的含量‑计数强度校准曲线,将所述碳元素的计数强度面分布图转换为碳元素含量面分布图,后选取出全部珠光体带;计算全部所述珠光体带内的平均碳含量值Cin,并计算所述珠光体带以外区域的平均碳含量值Cout;采用b=Cin/Cout表征所述分析区域的带状组织的严重程度。该方法操作简单,能够快速对亚共析钢带状组织进行评定,且评定精度高。

    薄层材料的缺陷检测装置和方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117347408A

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202311316477.6

    申请日:2023-10-11

    IPC分类号: G01N23/225 G01N23/20

    摘要: 本发明公开了一种薄层材料的缺陷检测装置和方法,该缺陷检测装置包括扫描系统和探测器;扫描系统用于将H2+离子定向至薄层材料上;探测器用于检测该H2+离子从薄层材料经过后的H2+离子和/或产生的H+离子,以基于H2+离子和/或H+离子检测结果确定薄层材料是否存在缺陷。本发明通过扫描系统将H2+离子定向至薄层材料上;通过探测器检测薄层材料上的H2+离子和/或H+离子,以基于H2+离子和/或H+离子检测结果确定薄层材料是否存在缺陷,能够快速、简单的实现基于H2+离子对薄层材料缺陷的检测,提高了薄层材料缺陷检测的精确度。

    一种高真空下绝缘材料表面电位控制方法

    公开(公告)号:CN115996506A

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN202211464993.9

    申请日:2022-11-22

    摘要: 本发明公开了一种高真空下绝缘材料表面电位控制方法,采用紫外光源辐照绝缘材料试样,使其产生辐射诱导电导率,通过电荷对地泄放的方式将电荷排出。本发明中,采用紫外光源辐照绝缘材料试样,使其产生辐射诱导电导率,通过电荷对地泄放的方式将电荷排出,可有效消除绝缘材料试样表面积累电荷形成的表面电位,无需另外配备电子枪、离子源等价格昂贵的设备,降低了电位控制的成本,无复杂的外部电路设计,增加了测试可靠性;利用紫外辐照方式实现高真空条件下绝缘材料表面电位控制,无需接触样品表面即可完成中和表面电位操作,避免破坏样品表面形貌进而影响其二次电子发射特性,增加了测试稳定性,提高二次电子发射系数测量的准确性。