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公开(公告)号：CN105247117A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480030086.0
申请日：2014-03-11
申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC分类号： C30B29/42 , C30B15/22 , C30B27/02 , H01L31/0735
CPC分类号： H01L31/03042 , C30B15/04 , C30B15/20 , C30B15/203 , C30B15/22 , C30B15/30 , C30B27/02 , C30B29/40 , C30B29/42 , H01L31/0735 , H01L31/184 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： 对于将含有Zn作为杂质的III-V族化合物半导体单晶作为基板的光电转换元件，可以不使转换效率降低，而将基板大型化。在耐热性的容器中填充原料和密封剂，将原料和密封剂加热，由此将原料熔解制成熔融液，同时使密封剂熔解，用密封剂将上述熔融液从上方覆盖，控制容器内的温度，以使相对于密封剂下部，密封剂上部的温度在不成为密封剂下部的温度以上的范围升高，在熔融液中浸渍晶种，将晶种相对于熔融液向上方提拉，由此使单晶由晶种生长。由此，虽然Zn的平均浓度是5×1017cm-3以上且3×1018cm-3以下的不会表现结晶硬化效果的低浓度，但可以得到直径2英寸以上的大型的、位错密度低、为5000cm-2的化合物半导体晶片。
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公开(公告)号：CN102859051B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201180016917.5
申请日：2011-03-11
申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社
CPC分类号： C22C1/02 , C30B11/002 , C30B29/48
摘要： 本发明提供II-VI族化合物半导体多晶的合成方法，其中，即使不使用石英安瓿作为多晶合成中使用的容器，也可以进行合成，由此在不降低收率的情况下，可以实现容器的大型化，实现成本降低。其中，将两种以上原料元素放入到半密闭型pBN制内侧容器(6a)内，进而将该内侧容器放入到半密闭型耐热性外侧容器(6b)中，并配置在具有加热机构(7)的高压炉(1)内，对高压炉内进行排气并用规定压力的惰性气体充满后，利用加热机构加热外侧容器和内侧容器使其升温，使内侧容器内的原料元素熔解、反应后，缓慢降低温度，由此使多晶生长。
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公开(公告)号：CN108977888A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810941688.1
申请日：2014-03-11
申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC分类号： C30B29/40 , C30B29/42 , C30B15/00 , H01L31/0304 , H01L31/0735 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03042 , C30B15/04 , C30B15/20 , C30B15/203 , C30B15/22 , C30B15/30 , C30B27/02 , C30B29/40 , C30B29/42 , H01L31/0735 , H01L31/184 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及化合物半导体晶片、光电转换元件、以及III-V族化合物半导体单晶的制造方法。在耐热性的容器中填充原料和密封剂，将原料和密封剂加热，由此将原料熔解制成熔融液，同时使密封剂熔解，用密封剂将上述熔融液从上方覆盖，控制容器内的温度，以使相对于密封剂下部，密封剂上部的温度在不成为密封剂下部的温度以上的范围升高，在熔融液中浸渍晶种，将晶种相对于熔融液向上方提拉，由此使单晶由晶种生长。由此，虽然Zn的平均浓度是5×1017cm-3以上且3×1018cm-3以下的不会表现结晶硬化效果的低浓度，但可以得到直径2英寸以上的大型的、位错密度低、为5000cm-2的化合物半导体晶片。
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公开(公告)号：CN102859051A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180016917.5
申请日：2011-03-11
申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社
CPC分类号： C22C1/02 , C30B11/002 , C30B29/48
摘要： 本发明提供II-VI族化合物半导体多晶的合成方法，其中，即使不使用石英安瓿作为多晶合成中使用的容器，也可以进行合成，由此在不降低收率的情况下，可以实现容器的大型化，实现成本降低。其中，将两种以上原料元素放入到半密闭型pBN制内侧容器(6a)内，进而将该内侧容器放入到半密闭型耐热性外侧容器(6b)中，并配置在具有加热机构(7)的高压炉(1)内，对高压炉内进行排气并用规定压力的惰性气体充满后，利用加热机构加热外侧容器和内侧容器使其升温，使内侧容器内的原料元素熔解、反应后，缓慢降低温度，由此使多晶生长。
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