公开(公告)号：CN111175276B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202010016916.1

申请日：2020-01-08

申请人： 吉林大学

发明人： 徐抒平 ,  田雨 ,  徐蔚青 ,  丛丽丽

IPC分类号： G01N21/65 ,  C23C14/14 ,  C23C14/18 ,  C23C14/24 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56

摘要： 一种基于金属二聚体近场耦合波导模式的表面增强拉曼散射芯片及其制备方法和工作方式，属于表面增强拉曼散射(SERS)技术领域。该SERS芯片为金属二聚体复合非对称平面介质波导的结构。用阳极氧化铝(AAO)为模板，通过两次方向相反的斜蒸镀，在波导表面获得具有与AAO周期一致的金属二聚体阵列结构。与其他SERS芯片不同，本专利中入射光斜入射至金属二聚体，在共振角下由于金属二聚体可以近场耦合波导模式，进一步增强了SERS信号。通过实验和理论模拟证明了入射光斜入射时，波导模式可以被直接激发，从而得到更强的SERS信号。

公开(公告)号：CN111175276A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN202010016916.1

申请日：2020-01-08

申请人： 吉林大学

发明人： 徐抒平 ,  田雨 ,  徐蔚青 ,  丛丽丽

IPC分类号： G01N21/65 ,  C23C14/14 ,  C23C14/18 ,  C23C14/24 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56

摘要： 一种基于金属二聚体近场耦合波导模式的表面增强拉曼散射芯片及其制备方法和工作方式，属于表面增强拉曼散射(SERS)技术领域。该SERS芯片为金属二聚体复合非对称平面介质波导的结构。用阳极氧化铝(AAO)为模板，通过两次方向相反的斜蒸镀，在波导表面获得具有与AAO周期一致的金属二聚体阵列结构。与其他SERS芯片不同，本专利中入射光斜入射至金属二聚体，在共振角下由于金属二聚体可以近场耦合波导模式，进一步增强了SERS信号。通过实验和理论模拟证明了入射光斜入射时，波导模式可以被直接激发，从而得到更强的SERS信号。