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公开(公告)号：CN113436963B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202110721586.0
申请日：2021-06-28
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/02 , H01L29/12 , H01L29/267 , H01L29/778
Abstract: 本申请涉及集成电路技术领域，提供一种二维半导体调制掺杂的覆盖层筛选方法及所得异质结，所述覆盖层筛选方法根据沟道层材料的本征属性，筛选覆盖层材料及其内缺陷种类，基于密度泛函理论，根据覆盖层材料内缺陷与沟道层材料间的电荷转移为判据，确定掺杂类型(电子掺杂或空穴掺杂)，从而达到为沟道层材料的N/P型掺杂，筛选出特定的覆盖层材料和其缺陷种类的目的。本申请实施例提供的覆盖层筛选方法，获得的掺杂方案稳定性良好、不破坏沟道材料晶格，并能够与现有集成电路工艺实现较好的兼容。
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公开(公告)号：CN112864316B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202110261251.5
申请日：2021-03-10
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本申请示出一种新相变信息存储材料的高通量筛选方法，包括：读取材料数据；进行高通量筛选，包括：组分筛选，材料为包含四、五、六主族元素且不含氧元素的二元或三元材料；带隙筛选，带隙值在0.01‑1eV之间；结构筛选，原子组成为八面体结构或三角共面结构；相稳定性筛选，相稳定能小于100meV/原子；波恩有效电荷筛选，波恩有效电荷的平均值处于3.6～6.7e之间；内聚能筛选，内聚能值在2.6～3.4eV/原子之间；键角偏移特性筛选，材料包含处于75～105°之间的键角，且用该范围键角计算所得DBAD的值处于2.6‑6.4°之间，层层筛选后输出材料信息；将满足所有筛选判据的材料抽样进行分子动力学模拟检验。本申请能够缩短新相变存储材料筛选周期，降低筛选成本，有针对性的筛选出新相变存储材料。
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公开(公告)号：CN110323130A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910629571.4
申请日：2019-07-12
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/225 , H01L21/268 , H01L31/0288
Abstract: 一种铬掺杂黑硅材料及其制备方法，属于半导体光电材料技术领域。本发明通过在单晶硅衬底上采用射频磁控溅射技术沉积铬薄膜，将金属铬作为掺杂剂，采用飞秒激光脉冲辐照镀铬的单晶硅表面，从而制备铬掺杂黑硅材料。本发明方法制得的铬掺杂黑硅材料铬浓度为1020～1021cm-3，载流子浓度低于1017cm-3，该黑硅材料在紫外至近红外波段(0.25～2.2μm)具有吸收增强特性，且在红外区的吸收率具有良好的热稳定性，该发明方法制备的黑硅材料可应用于红外光电探测领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118782197A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411260944.2
申请日：2024-09-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本申请提供一种低功耗相变超晶格材料设计方法及系统，涉及相变超晶格材料技术领域，方法包括：构建实验模型和对照模型，对相变超晶格材料和晶体材料进行第一性原理计算，并根据计算结果利用机器学习势模型生成机器学习势；利用机器学习势对相变超晶格材料和晶体材料进行熔化过程模拟，并对模拟结果进行计算，以得到相变超晶格材料的局域熔化表征结果；在具有局域熔化特点时，改变相变超晶格材料的堆叠顺序，直至得到相变超晶格材料的熔点最低值，将对应的材料作为低功耗相变超晶格材料。通过对模拟结果进行计算来判断材料是否具有局域熔化特点，以及在改变堆叠顺序后获取材料的熔点最低值，可提高设计的低功耗相变超晶格材料的可靠性。
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公开(公告)号：CN120048404A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510164702.1
申请日：2025-02-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本申请提供一种二维忆阻材料筛选方法、系统及二维忆阻材料，涉及二维忆阻材料技术领域，方法包括：根据二维材料的物理化学属性获取二维极性半导体材料；在二维极性半导体材料中制造缺陷以得到缺陷材料；计算缺陷的第一形成能，并在第一形成能小于形成能阈值时计算缺陷的第一电离能；在第一电离能小于电离能阈值时对缺陷材料进行极化翻转操作，以改变缺陷材料的导电性质；计算极化翻转后缺陷的第二电离能，以计算第一电离能与第二电离能的差值；将差值大于差值阈值的二维极性半导体材料作为二维忆阻材料。只需计算不同缺陷的形成能和电离能，就可筛选出本身具有阻变性质的二维忆阻材料，可提高材料筛选效率，解决二维忆阻材料筛选困难的问题。
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公开(公告)号：CN118782197B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411260944.2
申请日：2024-09-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本申请提供一种低功耗相变超晶格材料设计方法及系统，涉及相变超晶格材料技术领域，方法包括：构建实验模型和对照模型，对相变超晶格材料和晶体材料进行第一性原理计算，并根据计算结果利用机器学习势模型生成机器学习势；利用机器学习势对相变超晶格材料和晶体材料进行熔化过程模拟，并对模拟结果进行计算，以得到相变超晶格材料的局域熔化表征结果；在具有局域熔化特点时，改变相变超晶格材料的堆叠顺序，直至得到相变超晶格材料的熔点最低值，将对应的材料作为低功耗相变超晶格材料。通过对模拟结果进行计算来判断材料是否具有局域熔化特点，以及在改变堆叠顺序后获取材料的熔点最低值，可提高设计的低功耗相变超晶格材料的可靠性。
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公开(公告)号：CN113436963A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110721586.0
申请日：2021-06-28
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/02 , H01L29/12 , H01L29/267 , H01L29/778
Abstract: 本申请涉及集成电路技术领域，提供一种二维半导体调制掺杂的覆盖层筛选方法及所得异质结，所述覆盖层筛选方法根据沟道层材料的本征属性，筛选覆盖层材料及其内缺陷种类，基于密度泛函理论，根据覆盖层材料内缺陷与沟道层材料间的电荷转移为判据，确定掺杂类型(电子掺杂或空穴掺杂)，从而达到为沟道层材料的N/P型掺杂，筛选出特定的覆盖层材料和其缺陷种类的目的。本申请实施例提供的覆盖层筛选方法，获得的掺杂方案稳定性良好、不破坏沟道材料晶格，并能够与现有集成电路工艺实现较好的兼容。
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公开(公告)号：CN112864316A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110261251.5
申请日：2021-03-10
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本申请示出一种新相变信息存储材料的高通量筛选方法，包括：读取材料数据；进行高通量筛选，包括：组分筛选，材料为包含四、五、六主族元素且不含氧元素的二元或三元材料；带隙筛选，带隙值在0.01‑1eV之间；结构筛选，原子组成为八面体结构或三角共面结构；相稳定性筛选，相稳定能小于100meV/原子；波恩有效电荷筛选，波恩有效电荷的平均值处于3.6～6.7e之间；内聚能筛选，内聚能值在2.6～3.4eV/原子之间；键角偏移特性筛选，材料包含处于75～105°之间的键角，且用该范围键角计算所得DBAD的值处于2.6‑6.4°之间，层层筛选后输出材料信息；将满足所有筛选判据的材料抽样进行分子动力学模拟检验。本申请能够缩短新相变存储材料筛选周期，降低筛选成本，有针对性的筛选出新相变存储材料。
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