公开(公告)号：CN108893725A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810882122.6

申请日：2018-08-06

申请人： 吉林大学

发明人： 段羽 ,  王浩然 ,  王振宇 ,  许湘晨 ,  陈平 ,  赵毅

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/455

摘要： 一种使用多步原子层沉积技术生长均匀混合金属氧化物的方法，属于薄膜沉积技术领域。是将衬底加热到30～400℃并保持稳定，抽真空后通入惰性气体；通入金属氧化物A的前驱体0.02～20s，等待惰性气体清洗，再通入金属氧化物B的前驱体0.02～20s，等待惰性气体清洗；然后通入氧化气体0.02～20s，在衬底表面生成金属氧化物A与B的混合氧化物，等待惰性气体清洗；重复上述步骤从而生长出均匀混合金属氧化物。本发明方法利用多个间隔的金属前驱体脉冲填补了位阻导致的空位，活性位点自限制吸附更加充分，且避免过多的前驱体注入产生物理吸附，可生长出致密平坦的薄膜。由于位阻在同层随机产生，生长出的金属氧化物薄膜均匀随机掺杂。

公开(公告)号：CN108893725B

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201810882122.6

申请日：2018-08-06

申请人： 吉林大学

发明人： 段羽 ,  王浩然 ,  王振宇 ,  许湘晨 ,  陈平 ,  赵毅

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/455

摘要： 一种使用多步原子层沉积技术生长均匀混合金属氧化物的方法，属于薄膜沉积技术领域。是将衬底加热到30～400℃并保持稳定，抽真空后通入惰性气体；通入金属氧化物A的前驱体0.02～20s，等待惰性气体清洗，再通入金属氧化物B的前驱体0.02～20s，等待惰性气体清洗；然后通入氧化气体0.02～20s，在衬底表面生成金属氧化物A与B的混合氧化物，等待惰性气体清洗；重复上述步骤从而生长出均匀混合金属氧化物。本发明方法利用多个间隔的金属前驱体脉冲填补了位阻导致的空位，活性位点自限制吸附更加充分，且避免过多的前驱体注入产生物理吸附，可生长出致密平坦的薄膜。由于位阻在同层随机产生，生长出的金属氧化物薄膜均匀随机掺杂。

公开(公告)号：CN110635044A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910975570.5

申请日：2019-11-04

申请人： 吉林大学

发明人： 段羽 ,  王浩然 ,  王振宇 ,  赵文卓 ,  许湘晨

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

摘要： 一种有机金属卤化物钙钛矿太阳能电池的复合封装薄膜及其制备方法，属于薄膜封装技术领域。包括基底、基底上的有机金属卤化物钙钛矿太阳能电池、封装于钙钛矿太阳能电池表面的有机－无机杂化隔离层以及封装于杂化隔离层表面的复合阻隔层，杂化隔离层和复合阻隔层共同构成所述复合封装薄膜；其中所述杂化隔离层为内部富含甲基的铝氧烷或富含乙基的锌氧烷，采用不饱和分子层沉积方法制备而成，主要起到保护器件不受封装过程损伤的作用；所述复合阻隔层包括至少两层由远程等离子体增强原子层沉积方法制备的无机阻隔层，以及由涂覆固化方法制备在相邻的两层无机阻隔层之间的一层有机阻隔层，起主要的水氧阻隔作用。

公开(公告)号：CN110635044B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201910975570.5

申请日：2019-11-04

申请人： 吉林大学

发明人： 段羽 ,  王浩然 ,  王振宇 ,  赵文卓 ,  许湘晨

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

摘要： 一种有机金属卤化物钙钛矿太阳能电池的复合封装薄膜及其制备方法，属于薄膜封装技术领域。包括基底、基底上的有机金属卤化物钙钛矿太阳能电池、封装于钙钛矿太阳能电池表面的有机－无机杂化隔离层以及封装于杂化隔离层表面的复合阻隔层，杂化隔离层和复合阻隔层共同构成所述复合封装薄膜；其中所述杂化隔离层为内部富含甲基的铝氧烷或富含乙基的锌氧烷，采用不饱和分子层沉积方法制备而成，主要起到保护器件不受封装过程损伤的作用；所述复合阻隔层包括至少两层由远程等离子体增强原子层沉积方法制备的无机阻隔层，以及由涂覆固化方法制备在相邻的两层无机阻隔层之间的一层有机阻隔层，起主要的水氧阻隔作用。

公开(公告)号：CN108258142A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201810028874.6

申请日：2018-01-12

申请人： 吉林大学

发明人： 段羽 ,  王浩然 ,  许湘晨 ,  陈平 ,  赵毅

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  C23C16/455 ,  C23C16/06

CPC分类号： H01L51/0021 ,  C23C16/06 ,  C23C16/45523 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/56

摘要： 一种基于分子层沉积技术制备超薄金属电极的方法，属于光电子器件技术领域。是将衬底在反应腔加热到100～300℃并保持稳定；抽真空后通入载气，使腔体气压稳定在0.1～0.3Torr；然后向反应腔内通入0.02～20s前驱体1，通入5～150s载气将多余前驱体1与副产物排出；再通入0.02～20s前驱体2，通入5～150s载气将多余前驱体2与副产物排出；重复以上步骤多次，从而在衬底表面得到厚度为10～100nm的表面存在大量规则化学键的种子层；再在种子层上热蒸发沉积5～10nm的超薄金属，从而制备得到超薄金属电极。在同样的厚度下，本发明方法沉积出来的超薄电极更快成膜，缺陷更少，光学特性和电学特性更好。