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公开(公告)号：CN110635044B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201910975570.5
申请日：2019-11-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种有机金属卤化物钙钛矿太阳能电池的复合封装薄膜及其制备方法，属于薄膜封装技术领域。包括基底、基底上的有机金属卤化物钙钛矿太阳能电池、封装于钙钛矿太阳能电池表面的有机－无机杂化隔离层以及封装于杂化隔离层表面的复合阻隔层，杂化隔离层和复合阻隔层共同构成所述复合封装薄膜；其中所述杂化隔离层为内部富含甲基的铝氧烷或富含乙基的锌氧烷，采用不饱和分子层沉积方法制备而成，主要起到保护器件不受封装过程损伤的作用；所述复合阻隔层包括至少两层由远程等离子体增强原子层沉积方法制备的无机阻隔层，以及由涂覆固化方法制备在相邻的两层无机阻隔层之间的一层有机阻隔层，起主要的水氧阻隔作用。
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公开(公告)号：CN113358536A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110613115.8
申请日：2021-06-02
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种封装薄膜制备仪器环境中的灰尘颗粒检测方法，包括下述步骤：S1、在衬底上生成一层金属薄膜，在金属薄膜的表面生长封装薄膜形成待测样品；S2、通过相机实时对待测样品进行成像；S3、判断图像的灰度值是否均匀下降，当图像的灰度值未均匀下降且局部灰度值下降迅速时，将所述图像中局部缺陷点的数量作为封装薄膜制备仪器环境中的灰尘颗粒数量。本方法可以检测出封装薄膜制备仪器环境中灰尘颗粒的数量，并且能够对当前环境的灰尘颗粒浓度进行评估。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110635044A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910975570.5
申请日：2019-11-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种有机金属卤化物钙钛矿太阳能电池的复合封装薄膜及其制备方法，属于薄膜封装技术领域。包括基底、基底上的有机金属卤化物钙钛矿太阳能电池、封装于钙钛矿太阳能电池表面的有机－无机杂化隔离层以及封装于杂化隔离层表面的复合阻隔层，杂化隔离层和复合阻隔层共同构成所述复合封装薄膜；其中所述杂化隔离层为内部富含甲基的铝氧烷或富含乙基的锌氧烷，采用不饱和分子层沉积方法制备而成，主要起到保护器件不受封装过程损伤的作用；所述复合阻隔层包括至少两层由远程等离子体增强原子层沉积方法制备的无机阻隔层，以及由涂覆固化方法制备在相邻的两层无机阻隔层之间的一层有机阻隔层，起主要的水氧阻隔作用。
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公开(公告)号：CN111458277B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202010450144.2
申请日：2020-05-25
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N15/08
Abstract: 本发明公开一种封装薄膜水汽透过率的测试方法，包括如下步骤：S1、寻找钙薄膜上所有的缺陷点；S2、根据缺陷点的位置将所述钙薄膜划分为无缺陷区域和有缺陷区域，并根据钙薄膜的尺寸确定无缺陷区域的电阻表达式与有缺陷区域去掉缺陷点的电阻表达式，联立获得钙薄膜的总电阻表达式；S3、测量所述钙薄膜在两个时刻的真实电阻值，并通过钙薄膜的总电阻表达式计算得到钙薄膜在两个时刻的实时厚度；S4、通过水汽透过率的公式计算得到全部缺陷点消除后的WVTR数值。本发明能够消除缺陷点的影响计算封装薄膜的WVTR值，使测试结果更加精准。
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公开(公告)号：CN111458277A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010450144.2
申请日：2020-05-25
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N15/08
Abstract: 本发明公开一种封装薄膜水汽透过率的测试方法，包括如下步骤：S1、寻找钙薄膜上所有的缺陷点；S2、根据缺陷点的位置将所述钙薄膜划分为无缺陷区域和有缺陷区域，并根据钙薄膜的尺寸确定无缺陷区域的电阻表达式与有缺陷区域去掉缺陷点的电阻表达式，联立获得钙薄膜的总电阻表达式；S3、测量所述钙薄膜在两个时刻的真实电阻值，并通过钙薄膜的总电阻表达式计算得到钙薄膜在两个时刻的实时厚度；S4、通过水汽透过率的公式计算得到全部缺陷点消除后的WVTR数值。本发明能够消除缺陷点的影响计算封装薄膜的WVTR值，使测试结果更加精准。
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公开(公告)号：CN110718635A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201911005371.8
申请日：2019-10-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种钙钛矿太阳能电池的薄膜封装方法，属于薄膜封装技术领域。首先是在钙钛矿太阳能电池的上表面制备ALD-AlOx薄层作为防潮层和保护壳，该层起到封装作用，同时也作为PMMA(存储TMA)的基底；再在ALD-AlOx薄层上制备PMMA(存储TMA)作为吸水牺牲层，然后在其上制备ALD-AlOx作为防潮层和保护壳。本发明利用原子层沉积技术将TMA作为除潮剂注入在PMMA层中，填充了PMMA薄层中的空隙，降低了PMMA自身的水汽透过率，并且将TMA的甲基存储在PMMA层中。TMA消耗进入器件的H2O的同时，可以与水反应形成新的AlOx水汽阻挡层，起到双重保护的作用。原子层沉积的低温沉积特性可以防止钙钛矿受到热损伤。
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公开(公告)号：CN109970353A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910261246.7
申请日：2019-04-02
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种促进钙钛矿薄膜结晶可控生长的化学吸附自限制辅助方法，属于光电子器件制备技术领域。本发明利用自限制化学吸附可以对钙钛矿结晶过程进行精准的原子级控制，通过控制脉冲时间、脉冲次数，精确地调节反应室内的环境条件以减缓钙钛矿的结晶过程，得到高质量的钙钛矿薄膜，且可重复性极强。同时，协同使用等离子体反应器，不仅能够改善钙钛矿薄膜表面一层的结晶形态，前驱体反应物A(液氯等)甚至可以深入膜体中，改善钙钛矿薄膜内部的结晶过程。这种化学吸附自限制辅助方法促进钙钛矿薄膜结晶可控生长方法对钙钛矿太阳能电池稳定性及PCE的提高有着重要的研究意义。
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