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公开(公告)号：CN109970353A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910261246.7
申请日：2019-04-02
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种促进钙钛矿薄膜结晶可控生长的化学吸附自限制辅助方法，属于光电子器件制备技术领域。本发明利用自限制化学吸附可以对钙钛矿结晶过程进行精准的原子级控制，通过控制脉冲时间、脉冲次数，精确地调节反应室内的环境条件以减缓钙钛矿的结晶过程，得到高质量的钙钛矿薄膜，且可重复性极强。同时，协同使用等离子体反应器，不仅能够改善钙钛矿薄膜表面一层的结晶形态，前驱体反应物A(液氯等)甚至可以深入膜体中，改善钙钛矿薄膜内部的结晶过程。这种化学吸附自限制辅助方法促进钙钛矿薄膜结晶可控生长方法对钙钛矿太阳能电池稳定性及PCE的提高有着重要的研究意义。
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公开(公告)号：CN108893725A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810882122.6
申请日：2018-08-06
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 一种使用多步原子层沉积技术生长均匀混合金属氧化物的方法，属于薄膜沉积技术领域。是将衬底加热到30～400℃并保持稳定，抽真空后通入惰性气体；通入金属氧化物A的前驱体0.02～20s，等待惰性气体清洗，再通入金属氧化物B的前驱体0.02～20s，等待惰性气体清洗；然后通入氧化气体0.02～20s，在衬底表面生成金属氧化物A与B的混合氧化物，等待惰性气体清洗；重复上述步骤从而生长出均匀混合金属氧化物。本发明方法利用多个间隔的金属前驱体脉冲填补了位阻导致的空位，活性位点自限制吸附更加充分，且避免过多的前驱体注入产生物理吸附，可生长出致密平坦的薄膜。由于位阻在同层随机产生，生长出的金属氧化物薄膜均匀随机掺杂。
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公开(公告)号：CN106868470A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710116077.9
申请日：2017-03-01
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/04 , C23C16/18 , C23C16/455 , H01L31/0224 , H01L33/36 , G02F1/1343
CPC classification number: C23C16/042 , C23C16/18 , C23C16/45553 , G02F1/13439 , H01L31/022425 , H01L33/36
Abstract: 一种利用原子层沉积技术通过置换反应制备透明铜薄膜导电电极的方法，属于透明导电电极制备技术领域。首先是将透明基底进行清洁处理，再用氮气吹干；然后透明基底的同一侧表面粘贴两条相互分立的保护膜，两条保护膜对称地位于基底表面靠近边缘处的位置，得到图形化透明基底，然后将该图形化透明基底送入原子层沉积设备的反应室中进行透明铜薄膜的生长；最后将透明基底及其上沉积生长的透明铜薄膜高温退火，退火温度为200～300℃，退火时间为20～30min，从而在透明基底上得到图形化的均匀透明铜薄膜导电电极。本发明制备的透明铜薄膜导电电极均匀性好，光电性能优异，可用于制造太阳能电池、发光二极管、LCD以及手机等光电器件。
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公开(公告)号：CN110635044B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201910975570.5
申请日：2019-11-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种有机金属卤化物钙钛矿太阳能电池的复合封装薄膜及其制备方法，属于薄膜封装技术领域。包括基底、基底上的有机金属卤化物钙钛矿太阳能电池、封装于钙钛矿太阳能电池表面的有机－无机杂化隔离层以及封装于杂化隔离层表面的复合阻隔层，杂化隔离层和复合阻隔层共同构成所述复合封装薄膜；其中所述杂化隔离层为内部富含甲基的铝氧烷或富含乙基的锌氧烷，采用不饱和分子层沉积方法制备而成，主要起到保护器件不受封装过程损伤的作用；所述复合阻隔层包括至少两层由远程等离子体增强原子层沉积方法制备的无机阻隔层，以及由涂覆固化方法制备在相邻的两层无机阻隔层之间的一层有机阻隔层，起主要的水氧阻隔作用。
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公开(公告)号：CN108258142A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810028874.6
申请日：2018-01-12
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L51/52 , H01L51/56 , C23C16/455 , C23C16/06
CPC classification number: H01L51/0021 , C23C16/06 , C23C16/45523 , H01L51/5203 , H01L51/56
Abstract: 一种基于分子层沉积技术制备超薄金属电极的方法，属于光电子器件技术领域。是将衬底在反应腔加热到100～300℃并保持稳定；抽真空后通入载气，使腔体气压稳定在0.1～0.3Torr；然后向反应腔内通入0.02～20s前驱体1，通入5～150s载气将多余前驱体1与副产物排出；再通入0.02～20s前驱体2，通入5～150s载气将多余前驱体2与副产物排出；重复以上步骤多次，从而在衬底表面得到厚度为10～100nm的表面存在大量规则化学键的种子层；再在种子层上热蒸发沉积5～10nm的超薄金属，从而制备得到超薄金属电极。在同样的厚度下，本发明方法沉积出来的超薄电极更快成膜，缺陷更少，光学特性和电学特性更好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118330552A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410471347.8
申请日：2024-04-18
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种基于互质阵列的分数阶累积量波达方向估计方法，属于阵列信号处理中波达方向估计技术领域。基于两个稀疏均匀阵列建立互质阵列，根据步骤一中所建立的互质阵列建立阵列接收信号，计算阵列接收信号的分数阶累积量函数并构建分数阶累积量协方差矩阵，通过对协方差矩阵的特征矢量阵进行子空间分解，实现波达方向估计。优点是解决一维阵列结构在多个信源距离过近情况下导致的信号之间互相干性太强，从而DOA参数估计效果不佳的问题，所用的分数阶累积量方法具有线性和半不变性可以更好的抑制α噪声，从而提高DOA结果精度，在保证算法精度的同时，算法复杂度上具有优越性。
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公开(公告)号：CN116597285B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310868244.0
申请日：2023-07-17
Applicant: 吉林大学 , 沈阳医学院附属中心医院
IPC: G06V10/82 , G06N3/0455 , G06N3/0895 , G06V10/764 , G06V10/774
Abstract: 本发明属于医疗图像处理技术领域，具体涉及一种肺部组织病理图像处理模型、构建方法及图像处理方法，获取肺部组织病理图像的数据集，并将所述数据集进行预处理后按照比例划分为训练数据集和测试数据集；建立上游任务，对训练数据集中的每个图像按比例融合相加后生成新的样本，并将新的样本进行训练，得到训练好的掩码自编码器上游模型；建立下游任务，利用上游任务训练好的掩码自编码器上游模型，采用测试数据集对所述掩码自编码器上游模型性能进行评估，解决目前主流算法中的卷积操作和子注意力机制过于复杂，算法的训练时间较长导致诊断系统复杂等问题，具有高效并能够简化诊断系统的作用。
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公开(公告)号：CN108893725B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201810882122.6
申请日：2018-08-06
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 一种使用多步原子层沉积技术生长均匀混合金属氧化物的方法，属于薄膜沉积技术领域。是将衬底加热到30～400℃并保持稳定，抽真空后通入惰性气体；通入金属氧化物A的前驱体0.02～20s，等待惰性气体清洗，再通入金属氧化物B的前驱体0.02～20s，等待惰性气体清洗；然后通入氧化气体0.02～20s，在衬底表面生成金属氧化物A与B的混合氧化物，等待惰性气体清洗；重复上述步骤从而生长出均匀混合金属氧化物。本发明方法利用多个间隔的金属前驱体脉冲填补了位阻导致的空位，活性位点自限制吸附更加充分，且避免过多的前驱体注入产生物理吸附，可生长出致密平坦的薄膜。由于位阻在同层随机产生，生长出的金属氧化物薄膜均匀随机掺杂。
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公开(公告)号：CN110635044A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910975570.5
申请日：2019-11-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种有机金属卤化物钙钛矿太阳能电池的复合封装薄膜及其制备方法，属于薄膜封装技术领域。包括基底、基底上的有机金属卤化物钙钛矿太阳能电池、封装于钙钛矿太阳能电池表面的有机－无机杂化隔离层以及封装于杂化隔离层表面的复合阻隔层，杂化隔离层和复合阻隔层共同构成所述复合封装薄膜；其中所述杂化隔离层为内部富含甲基的铝氧烷或富含乙基的锌氧烷，采用不饱和分子层沉积方法制备而成，主要起到保护器件不受封装过程损伤的作用；所述复合阻隔层包括至少两层由远程等离子体增强原子层沉积方法制备的无机阻隔层，以及由涂覆固化方法制备在相邻的两层无机阻隔层之间的一层有机阻隔层，起主要的水氧阻隔作用。
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公开(公告)号：CN109457234A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811265574.6
申请日：2018-10-29
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/455
Abstract: 一种高能光子辅助的原子层沉积方法，属于光电子器件制备技术领域。其是在前驱体材料未到达衬底表面的短暂时间(＜1s)内，利用高能光子对反应物以及衬底表面进行辐射，增强反应物和衬底表面不饱和化学键的活性，提高化学吸附比例，使薄膜质量提升的同时保证低的薄膜损伤。利用高能光子对前驱体以及衬底表面进行曝光可以大幅增加二者的活性，促进表面反应的进行，提高化学吸附饱和值。该方法可解决由于衬底或反应物活性不足所引起的物理吸附比例偏高导致出现岛状生长以及薄膜生长不均匀等问题，反应物和衬底活性的增长使得薄膜生长更趋向于层状生长，在相同配方、相同生长温度的条件下提升薄膜质量。
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