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公开(公告)号：CN116540253A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202210996157.9
申请日：2022-08-19
申请人： 吉林师范大学
摘要： 本发明公开一种用于激光测距仪的空域预警方法及预警系统，其步骤包括获取空域飞机的实时信息；根据空域飞机的实时信息进行外推位置计算，计算得到指定时刻飞机的外推位置；获取激光测距仪的激光束指向实时信息，采用拉格朗日内插法获得指定时刻激光束的外推指向位置；对激光测距仪的当前时刻和指定时刻分别计算激光束指向安全区域；分别判断飞机的实时信息和指定时刻飞机的实时外推位置是否突破激光束指向安全区域；若飞机的实时信息和指定时刻飞机的外推位置的任一突破激光束指向安全区域，则在天球图上显示预警飞机位置和/或立即关闭激光测距仪。本发明的技术方案能够降低激光测距仪运行过程中带来的飞机安全风险。
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公开(公告)号：CN105177648B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201510449811.4
申请日：2015-07-28
申请人： 吉林师范大学
摘要： 本发明提供一种激光诱导离子液体电沉积制备锗纳米阵列的方法，属于锗纳米阵列制备方法技术领域。解决现有的锗纳米阵列的制备方法要求高温度，且制备工艺复杂有毒的问题。该方法是利用离子液体电沉积技术与激光辐照技术的结合，使用无毒无污染的绿色离子液体1‑乙基‑3‑甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐做为溶剂，Gecl4为电解质，脉冲激光器辐照电解液，一步法电沉积制备锗纳米阵列。该制备方法不要求高温度，工艺简单，操作方便，易于实现。
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公开(公告)号：CN104988546B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510450048.7
申请日：2015-07-28
申请人： 吉林师范大学
摘要： 本发明提供一种激光诱导离子液体电沉积制备锗纳米阵列的方法，属于锗纳米阵列制备方法技术领域。解决现有的锗纳米阵列的制备方法要求高温度，且制备工艺复杂有毒的问题。该方法是利用离子液体电沉积技术与激光辐照技术的结合，使用无毒无污染的绿色离子液体1‑乙基‑3‑甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐做为溶剂，Gecl4为电解质，脉冲激光器辐照电解液，一步法电沉积制备锗纳米阵列。该制备方法不要求高温度，工艺简单，操作方便，易于实现。
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公开(公告)号：CN117089880A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310925551.8
申请日：2023-07-26
申请人： 吉林师范大学
IPC分类号： C25B11/091 , C25B1/04 , B82Y30/00
摘要： 本发明公开了一种Co4S3/Fe3S4/MoS2复合纳米电催化剂及其制备方法，属于电催化电极材料技术领域，本发明采用Co(NO3)2·6H2O、2‑甲基咪唑、CH3CSNH2、Na2MoO4·2H2O和泡沫铁(IF)为主要原料，现在经过盐酸预处理的IF表面原位生长ZIF67，获得ZIF67/IF复合结构，然后利用溶剂热方法，以7.5mL无水乙醇和7.5mL去离子水为溶剂，CH3CSNH2、Na2MoO4·2H2O和ZIF67/IF在120℃下反应6h，然后升温至200℃再反应8h，将ZIF67/IF硫化同时掺入Mo元素，实现最终目标产物的制备。
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公开(公告)号：CN110061143A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910401174.1
申请日：2019-05-15
申请人： 吉林师范大学
摘要： 本发明公开一种具有NP型复合空穴注入层的磷光有机发光二极管及其制备方法，属于有机电致发光器件技术领域。所述有机发光二极管自下而上依次为基底层、空穴注入层、空穴传输层、超薄发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述空穴注入层为NP型复合空穴注入层，包括N型半导体材料C60层和P型半导体材料MoO3层；所述超薄发光层的材料为磷光有机材料；本发明的有机发光二极管及其制备方法，其通过引入C60/MoO3复合结构作为空穴注入层，提高了器件的空穴注入能力，减小了阳极层和发光层之间的能级势垒，降低了驱动电压，从而提高了器件的发光效率；同时，所述有机发光二极管采用非掺杂结构，可以简化制备工艺，可重复性强，易于实现规模化生产。
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公开(公告)号：CN116356367A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310427273.3
申请日：2023-04-20
申请人： 吉林师范大学
IPC分类号： C25B11/091 , C25B11/065 , C25B1/04
摘要： 本发明公开了一种MoS2/Ni3S2@N‑rGO纳米片阵列电催化剂及其制备方法属于析氧析氢电催化技术领域，本发明分两次溶剂热法制备，一次用于在在泡沫镍上原位生长氮掺杂还原氧化石墨烯，一次用于负载的MoS2/Ni3S2异质结构。该催化剂中MoS2生长在Ni3S2纳米片阵列表面构成MoS2/Ni3S2异质结构，由Ni3S2纳米片阵列对生长在其表面的超薄MoS2起到支撑和拉伸的作用，从而暴露出大量有利于电催化水裂解的Mo‑S边缘位点；MoS2和Ni3S2之间形成的异质界面有利于含氢和含氧中间体的同步化学吸附，从而提高整体水裂解的催化活性。氮掺杂还原氧化石墨烯原位生长在泡沫镍上，并负载了MoS2/Ni3S2异质结构。氮掺杂还原氧化石墨烯(rGO)的引入，提供了一个快速的电子传递通道和大量的活性中心。
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公开(公告)号：CN110061143B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201910401174.1
申请日：2019-05-15
申请人： 吉林师范大学
摘要： 本发明公开一种具有NP型复合空穴注入层的磷光有机发光二极管及其制备方法，属于有机电致发光器件技术领域。所述有机发光二极管自下而上依次为基底层、空穴注入层、空穴传输层、超薄发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述空穴注入层为NP型复合空穴注入层，包括N型半导体材料C60层和P型半导体材料MoO3层；所述超薄发光层的材料为磷光有机材料；本发明的有机发光二极管及其制备方法，其通过引入C60/MoO3复合结构作为空穴注入层，提高了器件的空穴注入能力，减小了阳极层和发光层之间的能级势垒，降低了驱动电压，从而提高了器件的发光效率；同时，所述有机发光二极管采用非掺杂结构，可以简化制备工艺，可重复性强，易于实现规模化生产。
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公开(公告)号：CN104088008B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410310067.5
申请日：2014-06-30
申请人： 吉林师范大学
IPC分类号： C30B5/00
摘要： 本发明提供一种用于制备胶体晶体的系统及胶体晶体的制备方法，属于胶体晶体制备方法领域。该系统包括：微球注射系统、红外波长热源、金属框架、样品凹槽、金属平台、螺纹轴、金属移动模块、聚四氟乙烯板和驱动电动机，驱动电动机设置在金属框架的左端，螺纹轴与驱动电动机连接，金属移动模块套在螺纹轴上，金属移动模块与金属平台连接，样品凹槽设置在金属平台上，聚四氟乙烯板固定在金属框架的上端并与样品凹槽相接触，所述的驱动电动机旋转驱动螺纹轴带动金属移动模块向右侧移动。本发明还提供一种胶体晶体的制备方法，该方法能够在较短的时间范围内组装出单一粒径及多粒径复合的胶体晶体模板，且得到的胶体晶体厚度可控、大面积有序。
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公开(公告)号：CN104062249B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410310069.4
申请日：2014-06-30
申请人： 吉林师范大学
摘要： 本发明提供一种检测SiGe材料在电化学沉积过程中带隙变化的方法，属于SiGe电沉积制备方法领域。该方法利用原位光谱电化学技术，观察沉积过程中SiGe材料吸收光谱的变化，分析沉积过程及SiGe带隙变化；本发明利用离子液体电沉积技术与原位光谱电化学法的结合，使用无毒无污染的绿色离子液体[EMIm]Tf2N+GeCl4+SiCl4做为电解液，调控电化学沉积步骤及吸收光谱测量，原位表征SiGe在离子液体中的电沉积过程，本方法利用了半导体能够强烈的吸收光能，通过吸收光谱的变化可以反映出电化学沉积过程进行的快慢、沉积过程中带隙的变化。该检测方法工艺简单，操作方便，易于实现。
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公开(公告)号：CN104988546A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510450048.7
申请日：2015-07-28
申请人： 吉林师范大学
摘要： 本发明提供一种激光诱导离子液体电沉积制备锗纳米阵列的方法，属于锗纳米阵列制备方法技术领域。解决现有的锗纳米阵列的制备方法要求高温度，且制备工艺复杂有毒的问题。该方法是利用离子液体电沉积技术与激光辐照技术的结合，使用无毒无污染的绿色离子液体1-乙基-3-甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐做为溶剂，Gecl4为电解质，脉冲激光器辐照电解液，一步法电沉积制备锗纳米阵列。该制备方法不要求高温度，工艺简单，操作方便，易于实现。
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