一种具有NP型复合空穴注入层的磷光有机发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN110061143B

    公开(公告)日:2021-09-03

    申请号:CN201910401174.1

    申请日:2019-05-15

    IPC分类号: H01L51/50 H01L51/54 H01L51/56

    摘要: 本发明公开一种具有NP型复合空穴注入层的磷光有机发光二极管及其制备方法,属于有机电致发光器件技术领域。所述有机发光二极管自下而上依次为基底层、空穴注入层、空穴传输层、超薄发光层、电子传输层、电子注入层和阴极;所述空穴注入层为NP型复合空穴注入层,包括N型半导体材料C60层和P型半导体材料MoO3层;所述超薄发光层的材料为磷光有机材料;本发明的有机发光二极管及其制备方法,其通过引入C60/MoO3复合结构作为空穴注入层,提高了器件的空穴注入能力,减小了阳极层和发光层之间的能级势垒,降低了驱动电压,从而提高了器件的发光效率;同时,所述有机发光二极管采用非掺杂结构,可以简化制备工艺,可重复性强,易于实现规模化生产。

    一种具有NP型复合空穴注入层的磷光有机发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN110061143A

    公开(公告)日:2019-07-26

    申请号:CN201910401174.1

    申请日:2019-05-15

    IPC分类号: H01L51/50 H01L51/54 H01L51/56

    摘要: 本发明公开一种具有NP型复合空穴注入层的磷光有机发光二极管及其制备方法,属于有机电致发光器件技术领域。所述有机发光二极管自下而上依次为基底层、空穴注入层、空穴传输层、超薄发光层、电子传输层、电子注入层和阴极;所述空穴注入层为NP型复合空穴注入层,包括N型半导体材料C60层和P型半导体材料MoO3层;所述超薄发光层的材料为磷光有机材料;本发明的有机发光二极管及其制备方法,其通过引入C60/MoO3复合结构作为空穴注入层,提高了器件的空穴注入能力,减小了阳极层和发光层之间的能级势垒,降低了驱动电压,从而提高了器件的发光效率;同时,所述有机发光二极管采用非掺杂结构,可以简化制备工艺,可重复性强,易于实现规模化生产。

    一种CdS有机电致发光器件

    公开(公告)号:CN103915568A

    公开(公告)日:2014-07-09

    申请号:CN201310003237.0

    申请日:2013-01-06

    IPC分类号: H01L51/50 H01L51/54

    CPC分类号: H01L51/5092

    摘要: 本发明涉及一种白光照明领域的发光器件,具体的说是一种硫化镉(CdS)有机电致发光器件,该发光器件由下至上依次包括ITO玻璃阳极衬底、NPB层、Rubrene层、NPB层、DPVBi层、Alq3层、LiF层和Al阴极层,其特征在于:它还包括一个CdS电子注入层,所述的CdS电子注入层设置在Alq3层和LiF层之间;本发明器件提高电子的注入,改善载流子的平衡,同时提高激子形成的比率,从而提高白色有机电致发光器件的效率。

    一种CdS有机电致发光器件

    公开(公告)号:CN103915568B

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201310003237.0

    申请日:2013-01-06

    IPC分类号: H01L51/50 H01L51/54

    摘要: 本发明涉及一种白光照明领域的发光器件,具体的说是一种硫化镉(CdS)有机电致发光器件,该发光器件由下至上依次包括ITO玻璃阳极衬底、NPB层、Rubrene层、NPB层、DPVBi层、Alq3层、LiF层和Al阴极层,其特征在于:它还包括一个CdS电子注入层,所述的CdS电子注入层设置在Alq3层和LiF层之间;本发明器件提高电子的注入,改善载流子的平衡,同时提高激子形成的比率,从而提高白色有机电致发光器件的效率。

    一种单向激光测距系统延迟标校方法及装置

    公开(公告)号:CN116500592A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310202769.0

    申请日:2023-03-06

    IPC分类号: G01S7/497 G01S17/08

    摘要: 本发明公开一种单向激光测距系统延迟标校方法及装置,包括:分光系统:对激光进行分光处理;光电转化系统:将对分光处理后的激光转化为电信号;时间比对系统:电信号传输至时间比对系统;记录电信号传输至时间比对系统的时间,及激光被发射时传输至时间比对系统的发射的时间;计算用于校正激光测距系统的延时误差τ1。本发明的技术方案设计一种能够准确测量单向激光测距系统延迟的方法,进而校正激光测距系统的延迟误差,能够便捷、快速、精确的对激光测距系统单向延迟进行标校,提高了激光测距系统单向延迟测量精度,且提高了测量方法的便捷性与稳定性。