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公开(公告)号:CN115275525A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202211012590.0
申请日:2022-08-23
申请人: 吉林师范大学
IPC分类号: H01M50/457 , H01M50/417 , H01M50/431 , H01M50/403 , H01M10/052
摘要: 本发明公开了一种抑制多硫化物穿梭效应的隔膜及其制备工艺和使用该隔膜的锂硫电池,所述隔膜包括基膜和设置于基膜表面的复合层,所述复合层掺杂有纳米氧化锌和溴化锂。金属氧化物具有吸附、催化性能,LiBr为S基正极提供了原位保护涂层利用物理阻隔和化学吸附作用,充分发挥金属氧化物的催化作用,提高稳定性,有效防止多硫化物的穿梭,缓解体积膨胀,使得所制复合层抑制了穿梭效应,提高锂硫电池的库伦效率和循环寿命。
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公开(公告)号:CN108191434B
公开(公告)日:2020-09-18
申请号:CN201810172165.5
申请日:2018-03-01
申请人: 吉林师范大学
IPC分类号: C04B35/596 , C04B35/593
摘要: 本发明涉及一种高热导率、高致密性氮化硅材料的高压快速制备方法,该方法采用高温高压烧结技术,具体步骤是:在高压高温条件下(HPHT,4.5~5.5GPa,1400~1500℃),采用平均粒径为0.5μm及以上的金刚石、石墨烯、TiN、AlN、MgO、Y2O3粉末等作为烧结助剂,不同质量配比的氮化硅(β‑Si3N4)粉末作为骨架材料制备高热导率、高致密性氮化硅块体材料。本发明所述的制备高性能结构材料的方法是通过β‑Si3N4与助剂的混合粉末烧结技术,形成β‑Si3N4、金刚石、陶瓷硬质相等烧结相,其烧结体具有较高的热导率和致密性(低气孔率)。该方法操作性强,工艺简单,不需要超高温度,可以大大缩短结构材料的合成时间,是一种适用于航空航天、军工、电子等领域的新型陶瓷材料。
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公开(公告)号:CN111416089A
公开(公告)日:2020-07-14
申请号:CN202010279094.6
申请日:2020-04-10
申请人: 吉林师范大学
IPC分类号: H01M2/14 , H01M2/16 , H01M10/0525
摘要: 本发明涉及一种诱导和抑制锂枝晶生长的复合隔膜及制备方法和使用该隔膜的锂离子电池。由基底隔膜、基底隔膜表面的金属化合物层和金属化合物层上面的导电碳层组成。制备方法是在基底隔膜表面依次涂覆金属化合物层和导电碳层。本申请还包括带有上述复合隔膜的锂离子电池。复合隔膜可以有效抑制锂枝晶的生长以及碳层的脱落,物理诱导锂枝晶的生长方向。该复合隔膜的原料来源广泛,成本低,使用隔膜涂布制备方法,便于大规模制备。
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公开(公告)号:CN115275525B
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202211012590.0
申请日:2022-08-23
申请人: 吉林师范大学
IPC分类号: H01M50/457 , H01M50/417 , H01M50/431 , H01M50/403 , H01M10/052
摘要: 本发明公开了一种抑制多硫化物穿梭效应的隔膜及其制备工艺和使用该隔膜的锂硫电池,所述隔膜包括基膜和设置于基膜表面的复合层,所述复合层掺杂有纳米氧化锌和溴化锂。金属氧化物具有吸附、催化性能,LiBr为S基正极提供了原位保护涂层利用物理阻隔和化学吸附作用,充分发挥金属氧化物的催化作用,提高稳定性,有效防止多硫化物的穿梭,缓解体积膨胀,使得所制复合层抑制了穿梭效应,提高锂硫电池的库伦效率和循环寿命。
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公开(公告)号:CN111416089B
公开(公告)日:2022-06-10
申请号:CN202010279094.6
申请日:2020-04-10
申请人: 吉林师范大学
IPC分类号: H01M50/457 , H01M50/403 , H01M10/0525
摘要: 本发明涉及一种诱导和抑制锂枝晶生长的复合隔膜及制备方法和使用该隔膜的锂离子电池。由基底隔膜、基底隔膜表面的金属化合物层和金属化合物层上面的导电碳层组成。制备方法是在基底隔膜表面依次涂覆金属化合物层和导电碳层。本申请还包括带有上述复合隔膜的锂离子电池。复合隔膜可以有效抑制锂枝晶的生长以及碳层的脱落,物理诱导锂枝晶的生长方向。该复合隔膜的原料来源广泛,成本低,使用隔膜涂布制备方法,便于大规模制备。
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公开(公告)号:CN108191434A
公开(公告)日:2018-06-22
申请号:CN201810172165.5
申请日:2018-03-01
申请人: 吉林师范大学
IPC分类号: C04B35/596 , C04B35/593
CPC分类号: C04B35/587 , C04B35/593 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/3886 , C04B2235/425 , C04B2235/427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/96 , C04B2235/9607
摘要: 本发明涉及一种高热导率、高致密性氮化硅材料的高压快速制备方法,该方法采用高温高压烧结技术,具体步骤是:在高压高温条件下(HPHT,4.5~5.5GPa,1400~1500℃),采用平均粒径为0.5μm及以上的金刚石、石墨烯、TiN、AlN、MgO、Y2O3粉末等作为烧结助剂,不同质量配比的氮化硅(β-Si3N4)粉末作为骨架材料制备高热导率、高致密性氮化硅块体材料。本发明所述的制备高性能结构材料的方法是通过β-Si3N4与助剂的混合粉末烧结技术,形成β-Si3N4、金刚石、陶瓷硬质相等烧结相,其烧结体具有较高的热导率和致密性(低气孔率)。该方法操作性强,工艺简单,不需要超高温度,可以大大缩短结构材料的合成时间,是一种适用于航空航天、军工、电子等领域的新型陶瓷材料。
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