一种高热导率、高致密性氮化硅材料的高压快速制备方法

    公开(公告)号:CN108191434B

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN201810172165.5

    申请日:2018-03-01

    IPC分类号: C04B35/596 C04B35/593

    摘要: 本发明涉及一种高热导率、高致密性氮化硅材料的高压快速制备方法,该方法采用高温高压烧结技术,具体步骤是:在高压高温条件下(HPHT,4.5~5.5GPa,1400~1500℃),采用平均粒径为0.5μm及以上的金刚石、石墨烯、TiN、AlN、MgO、Y2O3粉末等作为烧结助剂,不同质量配比的氮化硅(β‑Si3N4)粉末作为骨架材料制备高热导率、高致密性氮化硅块体材料。本发明所述的制备高性能结构材料的方法是通过β‑Si3N4与助剂的混合粉末烧结技术,形成β‑Si3N4、金刚石、陶瓷硬质相等烧结相,其烧结体具有较高的热导率和致密性(低气孔率)。该方法操作性强,工艺简单,不需要超高温度,可以大大缩短结构材料的合成时间,是一种适用于航空航天、军工、电子等领域的新型陶瓷材料。