离子迁移管信号提取电路、方法以及离子迁移探测器

    公开(公告)号:CN102592938B

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201210003936.0

    申请日:2012-01-06

    IPC分类号: H01J49/02 H01J49/26 G01N27/62

    CPC分类号: G01N27/622

    摘要: 本发明实施例涉及一种离子迁移管信号提取电路、方法以及离子迁移探测器,涉及物质检测技术领域,解决了现有技术存在法拉第盘上脉动电压的引出电路的设计以及制造难度比较大的技术问题。该离子迁移管信号提取电路,包括隔直通交模块,隔直通交模块用于去除由信号引入端从法拉第盘上引出的电压中的直流电压,并将由信号引入端从法拉第盘上引出的电压中的脉动电压从信号引出端输出。该离子迁移探测器,包括本发明提供的离子迁移管信号提取电路。该离子迁移管信号提取方法,包括:引出离子迁移管内的法拉第盘上的电压;去除由从法拉第盘上引出的电压中的直流电压,将从法拉第盘上引出的电压中的脉动电压输出。本发明用于引出法拉第盘上的脉动电压。

    涂硼中子探测器及其制造方法

    公开(公告)号:CN102749641B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201110096455.4

    申请日:2011-04-18

    IPC分类号: G01T3/00

    摘要: 本发明公开了一种涂硼中子探测器,该涂硼中子探测器包括:阴极管,其内部沿纵向形成多个通道,每个通道的内壁都涂有硼材料;电极丝,充当阳极,其被纵向地布置在每个所述通道内,该电极丝适于被施加高压;以及绝缘端板,所述阴极管的每一端都固定有所述绝缘端板,所述电极丝通过所述绝缘端板与所述阴极管固定在一起。优选,阴极管由多个涂有硼材料的基板拼接形成。该涂硼中子探测器通过阴极管内设置多个内壁涂有硼材料的通道,不仅提高了中子探测器的探测效率,使其能够达到甚至超过相同尺寸的3He中子探测器的探测效率,而且价格要比3He中子探测器便宜得多。

    涂硼中子探测器及其制造方法

    公开(公告)号:CN102749641A

    公开(公告)日:2012-10-24

    申请号:CN201110096455.4

    申请日:2011-04-18

    IPC分类号: G01T3/00

    摘要: 本发明公开了一种涂硼中子探测器,该涂硼中子探测器包括:阴极管,其内部沿纵向形成多个通道,每个通道的内壁都涂有硼材料;电极丝,充当阳极,其被纵向地布置在每个所述通道内,该电极丝适于被施加高压;以及绝缘端板,所述阴极管的每一端都固定有所述绝缘端板,所述电极丝通过所述绝缘端板与所述阴极管固定在一起。优选,阴极管由多个涂有硼材料的基板拼接形成。该涂硼中子探测器通过阴极管内设置多个内壁涂有硼材料的通道,不仅提高了中子探测器的探测效率,使其能够达到甚至超过相同尺寸的3He中子探测器的探测效率,而且价格要比3He中子探测器便宜得多。

    离子迁移管信号提取电路、方法以及离子迁移探测器

    公开(公告)号:CN102592938A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210003936.0

    申请日:2012-01-06

    IPC分类号: H01J49/02 H01J49/26 G01N27/62

    CPC分类号: G01N27/622

    摘要: 本发明实施例涉及一种离子迁移管信号提取电路、方法以及离子迁移探测器,涉及物质检测技术领域,解决了现有技术存在法拉第盘上脉动电压的引出电路的设计以及制造难度比较大的技术问题。该离子迁移管信号提取电路,包括隔直通交模块,隔直通交模块用于去除由信号引入端从法拉第盘上引出的电压中的直流电压,并将由信号引入端从法拉第盘上引出的电压中的脉动电压从信号引出端输出。该离子迁移探测器,包括本发明提供的离子迁移管信号提取电路。该离子迁移管信号提取方法,包括:引出离子迁移管内的法拉第盘上的电压;去除由从法拉第盘上引出的电压中的直流电压,将从法拉第盘上引出的电压中的脉动电压输出。本发明用于引出法拉第盘上的脉动电压。