公开(公告)号：CN118938606A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410993764.9

申请日：2024-07-24

申请人： 同济大学

发明人： 程鑫彬 ,  邓晓 ,  朱静远 ,  董思禹 ,  解钰莹 ,  李同保

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/70

摘要： 本发明公开了一种基于自溯源光栅的电子束直写加工偏差校准修正方法，包括以下步骤:利用原子光刻技术制备标准光栅；获取涂有电子束光刻胶的衬底；生成特定周期的光栅GDS文件，并导入电子束光刻机的电脑，利用电子束光刻技术制备待测光栅；通过信号比对装置对标准光栅和待测光栅的周期信号进行计算和比对测量，得到电子束光刻制备的待测光栅的误差值；通过周期误差值反馈，在版图绘制中修改曝光版图的周期，并利用电子束光刻重新制备新光栅。本发明通过自溯源光栅修正电子束光刻制备光栅的周期误差，具有测量学上周期的自溯源性，可以为电子束光刻技术提供直接的精准标尺，解决了制备过程和传统测量方法带来的误差，减小了电子束光刻技术的误差。

公开(公告)号：CN116299812A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310029560.9

申请日：2023-01-09

申请人： 同济大学

发明人： 程鑫彬 ,  朱静远 ,  董思禹 ,  王占山 ,  宁燚 ,  刘亮

IPC分类号： G02B5/18 ,  G03F7/30 ,  G03F7/32 ,  G03F7/075 ,  C23C14/18 ,  C23C14/30 ,  C23C14/10 ,  C23C14/26

摘要： 本发明涉及一种金属‑介质偏振光栅及其制备方法，金属‑介质偏振光栅从下自上依次包括Si衬底层、SiO2介质层、SiO2光栅层、以及Al金属光栅层，所述SiO2光栅层上设有若干凹槽，所述凹槽表面上为Al/SiO2金属光栅层。该金属‑介质偏振光栅的制备方法为：(1)在Si衬底层表面镀上一层SiO2薄膜；(2)在步骤(1)的SiO2介质层表面旋涂一层HSQ光刻胶并依次进行低温固化、电子光刻曝光、热显影；(3)在步骤(2)的SiO2光栅层表面设置金属挡板，沉积金属，制备得到金属‑介质偏振光栅。与现有技术相比，本发明降低了制备难度，提升了其TM的透过率和消光比。

公开(公告)号：CN118864413A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410965293.0

申请日：2024-07-18

申请人： 同济大学

发明人： 王占山 ,  朱静远 ,  毛清源

IPC分类号： G06T7/00 ,  G06T7/11 ,  G06T7/12 ,  G06T7/90

摘要： 本发明涉及一种基于边缘检测的电子束光刻胶残胶定量分析方法及系统，其中方法通过扫描电子显微镜拍摄曝光、显影后的光刻胶结构，并将扫描电子显微镜拍摄得到的带有光刻胶结构特征的原始图像通过边缘检测算法分割为光刻胶结构区域和被显影区域，并分别计算两个区域的平均灰度，获得结构间残胶定量评价结果。与现有技术相比，本发明将电子束光刻胶结构中的残胶定量化，可以直观地比较不同曝光参数所得到的光刻胶曝光结果，有利于电子束光刻曝光参数的精确控制，更有潜力提高电子束光刻加工的效率和良品率。

公开(公告)号：CN118759779A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411072361.7

申请日：2024-08-06

申请人： 同济大学

发明人： 程鑫彬 ,  董思禹 ,  朱静远 ,  宁燚 ,  魏泽勇 ,  焦宏飞 ,  张锦龙 ,  王占山

IPC分类号： G02F1/29 ,  G02B5/18 ,  G02B26/08 ,  G02B26/10

摘要： 本发明公开了一种宽带MEMs光学相控阵装置及其移相方法，属于光学相控阵技术领域。其装置包括若干上层衍射层和若干下层MEMs位移驱动器，每个上层衍射层与每个下层MEMs位移驱动器连接组成一个MEMs移相单元，若干个MEMs移相单元组成的阵列构成一个光学相控阵。其移相方法为上层衍射光栅将一定角度的入射光反射到一个所需的衍射级次上；下层MEMs位移驱动器带动上层衍射光栅位移；根据光栅的位移‑相移定律，实现宽带移相器的功能；每个所述MEMs单元按特定相移需求进行位移，构成一个宽带光学相控阵装置。本发明与现有MEMs光学相控阵及移相技术相比，本发明的相位调制不随波长变化，并且调制速度能到达微秒量级，因此基于该移相器的光学相控阵在宽带应用场景下具有极大优势。

公开(公告)号：CN118759778A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411072357.0

申请日：2024-08-06

申请人： 同济大学

发明人： 程鑫彬 ,  董思禹 ,  朱静远 ,  宁燚 ,  魏泽勇 ,  焦宏飞 ,  张锦龙 ,  王占山

IPC分类号： G02F1/29 ,  G02B5/18 ,  G02B26/08 ,  G02B26/10

摘要： 本发明公开了一种基于超表面的MEMs光学相控阵，属于光学相控阵技术领域。其装置包括若干MEMs横向位移器和若干超表面光栅，每个MEMs横向位移器与每个超表面光栅由下到上集成连接组成一个移相器单元，每个移相器单元均位于控制电路上，若干个移相器单元组成相控阵。本发明提供的一种基于超表面的MEMs光学相控阵，其中超表面光栅器具有高衍射效率和高激光损伤阈值以及MEMs横向位移器具有微秒级的响应速度。与现有MEMs相控阵技术相比，本发明提出的基于超表面的MEMs光学相控阵具有更高的光学效率、更强的激光负载和更快的扫描速度，在满足光束扫描系统小型化和轻量化的同时具备更优的性能，在导弹制导、测绘、无人驾驶等领域有着重要的作用。

公开(公告)号：CN115343792A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202211014190.3

申请日：2022-08-23

申请人： 同济大学

发明人： 程鑫彬 ,  朱静远 ,  董思禹 ,  周健宇 ,  王占山

IPC分类号： G02B5/20 ,  G02B5/28 ,  G02B5/08 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/16 ,  G03F7/38 ,  G03F7/32 ,  G03F7/30

摘要： 本发明涉及一种金属‑介质混合材料FP腔滤波阵列结构及制备方法，所述阵列结构自下而上包括SiO2衬底、底部高反膜、间隔层和顶部高反膜；其中，高反膜为Ag/SiO2/TiO2膜系的金属‑介质混合材料多层膜；所述间隔层为采用电子束直写灰度光刻技术制备的不同高度的光刻胶间隔层，用以对应不同波长的光谱。与现有技术相比，本发明采用电子束直写灰度光刻技术制备不同高度的光刻胶间隔层，直写效率高，且采用金属‑介质混合材料多层膜替代传统金属反射层，极大提升FP腔滤波阵列光谱性能。