公开(公告)号：CN104254906B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201380022014.7

申请日：2013-04-26

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 川田博美 ,  水田浩德 ,  前泽典明

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/32 ,  C11D7/36

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/36 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明的目的在于提供一种钨配线或钨合金配线的耐腐蚀性优异、在化学机械抛光工序后的半导体基板表面、特别是TEOS膜等硅氧化膜表面残存的二氧化硅或氧化铝等研磨微粒(颗粒)的除去性优异的半导体基板用清洗剂、以及半导体基板表面的处理方法。本发明涉及一种半导体基板用清洗剂以及半导体基板表面的处理方法，该半导体基板用清洗剂的特征在于，其为在具有钨配线或钨合金配线和硅氧化膜的半导体基板的化学机械抛光工序的后工序中使用的清洗剂，含有(A)膦酸系螯合剂、(B)分子内具有至少1个烷基或羟基烷基的一元伯胺或一元仲胺和(C)水，pH超过6且小于7。

公开(公告)号：CN104254906A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201380022014.7

申请日：2013-04-26

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 川田博美 ,  水田浩德 ,  前泽典明

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/32 ,  C11D7/36

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/36 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明的目的在于提供一种钨配线或钨合金配线的耐腐蚀性优异、在化学机械抛光工序后的半导体基板表面、特别是TEOS膜等硅氧化膜表面残存的二氧化硅或氧化铝等研磨微粒(颗粒)的除去性优异的半导体基板用清洗剂、以及半导体基板表面的处理方法。本发明涉及一种半导体基板用清洗剂以及半导体基板表面的处理方法，该半导体基板用清洗剂的特征在于，其为在具有钨配线或钨合金配线和硅氧化膜的半导体基板的化学机械抛光工序的后工序中使用的清洗剂，含有(A)膦酸系螯合剂、(B)分子内具有至少1个烷基或羟基烷基的一元伯胺或一元仲胺和(C)水，pH超过6且小于7。

公开(公告)号：CN103228775A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180057321.X

申请日：2011-11-28

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 川田博美 ,  白旗里志 ,  水田浩德 ,  柿沢政彦 ,  白木一夫

IPC: C11D7/32 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  H01L21/304

CPC classification number: C11D7/3245 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明的目的在于提供一种铜配线用基板清洗剂、以及特征在于使用了该铜配线用基板清洗剂的铜配线半导体基板的清洗方法，在半导体基板的制造工艺中，对化学机械抛光(CMP)工序后的半导体基板进行清洗时，所述铜配线用基板清洗剂可以充分地抑制金属铜的溶出、且可以除去在化学机械抛光(CMP)工序中产生的氢氧化铜(II)、氧化铜(II)等杂质或颗粒。本发明涉及铜配线用基板清洗剂、以及特征在于使用了该铜配线用基板清洗剂的铜配线半导体基板的清洗方法，所述铜配线用基板清洗剂由含有[I]以下述通式[1]表示的氨基酸和[II]烷基羟胺的水溶液构成，(式中，R1表示氢原子、羧甲基或羧乙基；R2和R3各自独立地表示氢原子、或具有或不具有羟基的碳原子数为1～4的烷基，其中，R1～R3均为氢原子的情况除外)。