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公开(公告)号：CN111898564B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202010770755.5
申请日：2020-08-04
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: G06V20/13 , G06V10/774 , G06V10/80 , G06V10/82 , G06N3/0464
Abstract: 本发明提供了一种时序卷积网络模型、模型训练和目标识别方法、装置，涉及遥感图像识别技术领域。时序卷积网络模型包括：输入层、多卷积结构、特征融合层以及输出层；多卷积结构包括图像特征提取子结构和时序特征提取子结构；输入层用于接收时序卷积网络模型的输入图像并分别导入图像特征提取子结构和时序特征提取子结构；图像特征提取子结构用于提取出图像特征；时序特征提取子结构用于提取出时序特征；特征融合层用于对图像特征和时序特征融合得到数据特征；输出层用于对数据特征进行数据分类，并输出分类结果。本方案通过提取输入图像上的重要时序特征，以实现对多个类别的目标进行识别。
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公开(公告)号：CN111506998B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202010297290.6
申请日：2020-04-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/18
Abstract: 一种构建机电产品制造过程参数漂移故障特征样本库的方法，属于制造过程建模与诊断技术领域，包括如下步骤：结合制造过程建立机电产品虚拟样机模型，并将关键制造过程参数注入虚拟样机模型；基于试验设计技术和虚拟样机模型，建立制造过程参数‑产品性能参数快速计算模型；针对具体制造过程参数确定其均值或方差可能出现故障，通过蒙特卡洛方法虚拟出对应批次制造过程参数数据，并带入快速计算模型得到对应批次产品性能参数数据，对数据进行统计和特征提取，存入数据库中，建立制造过程参数均值或方差漂移故障特征样本库。本发明的故障特征样本库应用于机电产品制造过程故障诊断中，极大降低了故障诊断方法的复杂度，具有良好的推广应用前景。
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公开(公告)号：CN111898564A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010770755.5
申请日：2020-08-04
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种时序卷积网络模型、模型训练和目标识别方法、装置，涉及遥感图像识别技术领域。时序卷积网络模型包括：输入层、多卷积结构、特征融合层以及输出层；多卷积结构包括图像特征提取子结构和时序特征提取子结构；输入层用于接收时序卷积网络模型的输入图像并分别导入图像特征提取子结构和时序特征提取子结构；图像特征提取子结构用于提取出图像特征；时序特征提取子结构用于提取出时序特征；特征融合层用于对图像特征和时序特征融合得到数据特征；输出层用于对数据特征进行数据分类，并输出分类结果。本方案通过提取输入图像上的重要时序特征，以实现对多个类别的目标进行识别。
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公开(公告)号：CN109190245B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811015010.7
申请日：2018-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于LTSPICE软件的SiC MOSFET SPICE模型的建立方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、SiC MOS建模；步骤二、体二极管建模；步骤三、PCB寄生参数建模；步骤四：通过Saber快速建模和实际测量计算寄生参数，提取建立SiC MOSFET的模型的各项参数，基于提取的参数在LTspice软件中建立SiC MOSFET SPICE模型，通过双脉冲仿真测试与厂家提供模型进行对比，验证建立模型的正确性。本发明结合Saber软件的Model Architect参数提取工具、MOSFET分部分建模及LTSPICE仿真分析等方法，建立了一种精度高、通用性强的SPICE模型。
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公开(公告)号：CN108333532A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810109817.0
申请日：2018-02-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/40
CPC classification number: G01R31/40
Abstract: 本发明公开了一种用于反激电源在线监测的设备和测试方法，所述设备包括反激电源模块、信号切换及调理模块、上位机系统、示波器，其中：所述的反激电源模块设置有若干个关键测试节点；所述的信号切换及调理模块与反激电源模块的关键测试节点相连；所述的上位机系统与信号切换及调理模块、示波器相连；所述的示波器与信号切换及调理模块、上位机系统相连。本发明通过上位机的人机交互界面直接设置所需测试的电路节点，待示波器自动测试完成后，将数据传输到上位机并保存。通过本发明可实时准确地监测反激电源各关键节点的电压信号变化情况，并可以通过上位机系统对历史数据进行调用及处理分析。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103240478A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310179859.9
申请日：2013-05-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于铝-钛异种金属连接的电弧加热搅拌熔钎焊方法，它涉及一种异种金属连接的方法。本发明是要解决现有铝与钛及其合金的异种金属焊接方法不能同时具备低成本和避免金属间化合物的扩展问题。方法：一、清理待焊的试片；二、工件定位；三、通入氩气；四、装卡搅拌头；五、启动设备，开始焊接；六、冷却；即完成铝-钛异种金属连接的电弧加热搅拌熔钎焊。本发明的优点：一、本发明所用装置简单，大大降低成本，提高了效率；二、采用搅拌头进行加压搅拌能够细化晶粒，改善焊缝组织性能，促进焊缝成形，能够有效去除金属间化合物膜，提高焊缝成形和性能。本发明可用于铝与钛及其合金的异种金属焊接。
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公开(公告)号：CN107742046B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201711092963.9
申请日：2017-11-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。本发明涉及一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。步骤一：在Simulink软件中建立待分析电路的定性模型；步骤二：根据所述定性模型及电路功能，确定由继电器类单机所控制的激励器件及执行器件；步骤三：按照继电器类单机贮存退化过程中t时刻的动作时间分布情况，通过蒙特卡洛方法随机抽样组合生成n组动作时间数据，作为激励器件的输入数据；步骤四：将所述n组动作时间数据分别输入至步骤一所建立的Simulink电路定性模型中。本发明用于考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。
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公开(公告)号：CN103240478B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310179859.9
申请日：2013-05-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于铝-钛异种金属连接的电弧加热搅拌熔钎焊方法，它涉及一种异种金属连接的方法。本发明是要解决现有铝与钛及其合金的异种金属焊接方法不能同时具备低成本和避免金属间化合物的扩展问题。方法：一、清理待焊的试片；二、工件定位；三、通入氩气；四、装卡搅拌头；五、启动设备，开始焊接；六、冷却；即完成铝-钛异种金属连接的电弧加热搅拌熔钎焊。本发明的优点：一、本发明所用装置简单，大大降低成本，提高了效率；二、采用搅拌头进行加压搅拌能够细化晶粒，改善焊缝组织性能，促进焊缝成形，能够有效去除金属间化合物膜，提高焊缝成形和性能。本发明可用于铝与钛及其合金的异种金属焊接。
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公开(公告)号：CN107357955B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201710418855.X
申请日：2017-06-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/10 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开一种综合考虑制造和温度噪声的电子系统参数设计方法，包括：由可控因素、第一参数噪声因素和第二参数噪声因素的基础数据，建立稳健性参数设计分析表；计算所述分析表的目标仿真结果；由内外表下的第二参数统计得到中心值及方差；归一化处理；确定第一参数噪声权重和第二参数噪声权重，得到第二参数噪声评估值；将所述第二参数噪声评估值填入内外表中，统计内表对应的信噪比和灵敏度特征值；对所述信噪比和灵敏度特征值进行方差分析，确定优化后的参数水平组合；通过模拟获得优化前后设计不同第二参数下的输出分布；如果优化方案满足要求，则停止优化；否则调整所述第一参数噪声权重和所述第二参数噪声权重，重新优化参数水平组合。
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公开(公告)号：CN109190245A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811015010.7
申请日：2018-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明公开了一种基于LTSPICE软件的SiC MOSFET SPICE模型的建立方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、SiC MOS建模；步骤二、体二极管建模；步骤三、PCB寄生参数建模；步骤四：通过Saber快速建模和实际测量计算寄生参数，提取建立SiC MOSFET的模型的各项参数，基于提取的参数在LTspice软件中建立SiC MOSFET SPICE模型，通过双脉冲仿真测试与厂家提供模型进行对比，验证建立模型的正确性。本发明结合Saber软件的Model Architect参数提取工具、MOSFET分部分建模及LTSPICE仿真分析等方法，建立了一种精度高、通用性强的SPICE模型。
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