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公开(公告)号：CN101671355A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910073021.5
申请日：2009-09-30
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： C07F7/18 , B01J27/128 , B01J23/72
摘要： 一种采用多级流化床合成三烷氧基硅烷的方法，它涉及一种三烷氧基硅烷的合成方法。本发明解决了现有三烷氧基硅烷的合成工艺中催化剂难以回收、反应效率低、产物不易分离，硅粉与铜系催化剂接触不良、硅铜触体生产率低、反应活性低，及催化剂遇水易失效、产物遇水易水解的问题。本发明的三烷氧基硅烷的合成方法是：一、制备含有不同氯化亚铜质量百分比的硅铜触体；二、将步骤一得到的硅铜触体分级装料至多层流化床反应器中；三、向多级流化床反应器中通入经正硅酸乙酯干燥后的醇气体反应合成得到三烷氧基硅烷。本发明的采用多级流化床合成三烷氧基硅烷的方法三烷氧基硅烷选择性达到95％，反应转化率为95％。
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公开(公告)号：CN101920178A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010266194.1
申请日：2010-08-30
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 制备甲硅烷气体的管式反应器及使用其制备甲硅烷的方法，涉及制备甲硅烷气体的反应器及使用其制备甲硅烷的方法。解决现有制备甲硅烷气体的釜式反应器安全性能差、单釜甲硅烷气体产率低、不能实现连续化生产的问题。反应器为管式反应器，管式反应器由第一壳体、第二壳体、冷却水盘管、第一筛网和第二筛网构成；及管式反应器由第一壳体、第二壳体、电机、搅拌桨和一组折流板构成。方法：填装催化剂，向反应器中通反应液，进行反应；生成的粗硅烷通入冷凝器处理，生成液回流至反应器反应；生成液中三烷氧基硅烷含量达标后，生成液通入精馏塔进行精馏分离。本发明反应器简单、安全性好、实现连续化操作，甲硅烷产量及产率高、纯度高。
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公开(公告)号：CN101671028A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910073023.4
申请日：2009-09-30
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种硅烷气体的制备方法，它涉及一种电子气体的制备方法。本发明解决了现有制备硅烷气体的工艺中催化速率难控制、催化剂加料困难、回收难度大，以及在三烷氧基硅烷的制备过程中硅铜触体生产率低、反应活性低，催化剂遇水易失效、产物易水解，及醇利用率低的问题。本发明的制备方法是：一、利用硅粉和醇制备三烷氧基硅烷；二、制备催化缓释剂；三、采用步骤一的三烷氧基硅烷，在催化缓释剂的作用下反应制备得到硅烷气体。本发明制备三烷氧基硅烷的选择性达到95％，转化率为90％；本发明中三烷氧基硅烷的分解率为99.8％，硅烷产率为90～93％，纯度为99％，硅烷可用于制造非晶硅薄膜太阳能电池及LED、LCD行业。
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公开(公告)号：CN101671355B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910073021.5
申请日：2009-09-30
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： C07F7/18 , B01J27/128 , B01J23/72
摘要： 一种采用多级流化床合成三烷氧基硅烷的方法，它涉及一种三烷氧基硅烷的合成方法。本发明解决了现有三烷氧基硅烷的合成工艺中催化剂难以回收、反应效率低、产物不易分离，硅粉与铜系催化剂接触不良、硅铜触体生产率低、反应活性低，及催化剂遇水易失效、产物遇水易水解的问题。本发明的三烷氧基硅烷的合成方法是：一、制备含有不同氯化亚铜质量百分比的硅铜触体；二、将步骤一得到的硅铜触体分级装料至多层流化床反应器中；三、向多级流化床反应器中通入经正硅酸乙酯干燥后的醇气体反应合成得到三烷氧基硅烷。本发明的采用多级流化床合成三烷氧基硅烷的方法三烷氧基硅烷选择性达到95％，反应转化率为95％。
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公开(公告)号：CN101555626A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910071890.4
申请日：2009-04-27
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 本发明提供了一种高近红外发光强度的Mg/Er－LiNbO3晶体及其制备方法。Mg/Er－LiNbO3晶体以99.99wt％MgO、99.99wt％Er2O3、99.99wt％Nb2O5、99.99wt％LiCO3为基础原料，MgO掺杂量为0～2mol％，Er2O3掺杂量为0.5～1mol％，Li/Nb摩尔比＝1.381。本发明综合运用抗光损伤元素掺杂与化学计量比生长两种手段，同时实现有源光波导器件基质材料－铌酸锂晶体的Er离子低簇位浓度、强抗光损伤能力，获得明显增强的1.5μm波段光发射性能，推动有源LN光波导器件向实用化阶段迈进。
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公开(公告)号：CN101920178B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010266194.1
申请日：2010-08-30
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 制备甲硅烷气体的管式反应器系统及使用其制备甲硅烷的方法，涉及制备甲硅烷气体的反应系统及使用其制备甲硅烷的方法。解决现有制备甲硅烷气体的釜式反应器安全性能差、单釜甲硅烷气体产率低、不能实现连续化生产的问题。反应器为管式反应器，管式反应器由第一壳体、第二壳体、冷却水盘管、第一筛网和第二筛网构成；及管式反应器由第一壳体、第二壳体、电机、搅拌桨和一组折流板构成。方法：填装催化剂，向反应器中通反应液，进行反应；生成的粗硅烷通入冷凝器处理，生成液回流至反应器反应；生成液中三烷氧基硅烷含量达标后，生成液通入精馏塔进行精馏分离。本发明反应器简单、安全性好、实现连续化操作，甲硅烷产量及产率高、纯度高。
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公开(公告)号：CN101671028B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910073023.4
申请日：2009-09-30
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种硅烷气体的制备方法，它涉及一种电子气体的制备方法。本发明解决了现有制备硅烷气体的工艺中催化速率难控制、催化剂加料困难、回收难度大，以及在三烷氧基硅烷的制备过程中硅铜触体生产率低、反应活性低，催化剂遇水易失效、产物易水解，及醇利用率低的问题。本发明的制备方法是：一、利用硅粉和醇制备三烷氧基硅烷；二、制备催化缓释剂；三、采用步骤一的三烷氧基硅烷，在催化缓释剂的作用下反应制备得到硅烷气体。本发明制备三烷氧基硅烷的选择性达到95％，转化率为90％；本发明中三烷氧基硅烷的分解率为99.8％，硅烷产率为90～93％，纯度为99％，硅烷可用于制造非晶硅薄膜太阳能电池及LED、LCD行业。
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公开(公告)号：CN101575734A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910071891.9
申请日：2009-04-27
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 本发明提供了一种掺铒－铌酸锂晶体及制备方法。它是以99.99wt％MgO、99.99wt％Er2O3、99.99wt％Nb2O5、99.99wt％LiCO3为基础原料，MgO的掺杂量分别为0～8mol％，Er2O3的掺杂量为1～4mol％，Li/Nb＝0.946～0.65。本发明综合运用抗光损伤元素掺杂与化学计量比生长两种手段，同时实现有源光波导器件基质材料－铌酸锂晶体的Er离子低簇位浓度、强抗光损伤能力，获得明显增强的1.5μm波段光发射性能，推动有源LN光波导器件向实用化阶段迈进。
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公开(公告)号：CN101555625A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910071889.1
申请日：2009-04-27
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 本发明提供了一种重掺抗光损伤元素的Er－LiNbO3晶体。以99.99wt％APE、99.99wt％Er2O3、99.99wt％Nb2O5和99.99wt％LiCO3为基础原料，APE包括ZnO、In2O3和ZrO2，ZnO的掺杂量为6～8mol％，In2O3的掺杂量为1.5～3mol％，ZrO2的掺杂量为4～8mol％，Er2O3的掺杂量为0.5～2mol％，Li/Nb摩尔比＝0.946。本发明同时解决了现有同成分掺铒铌酸锂晶体近红外发光效率低与抗光损伤能力的问题。本发明产品的发光效率最大增加5倍，抗光损伤能力提高三个数量级。本发明将极大推动掺铒铌酸锂晶体发光材料在波导激光器放大器与激光器领域的应用。本发明的方法工艺简单，便于操作。
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