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公开(公告)号:CN103289701B
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201310272370.6
申请日:2013-07-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 异质核壳结构CaF2:20Yb,2Ho@NaXF4纳米晶的制备方法,它涉及上转换荧光纳米材料制备领域,本发明要解决现有生物标识纳米晶体发光强度较弱、穿透性差、寿命短的问题。本发明的方法为:采用了水热法和高温裂解法合成了核结构纳米晶体以及核壳结构纳米晶体,同时采用980nm激光对其进行激发,通过我们包覆之后的纳米晶体发光增强了数倍。本发明的纳米晶大幅度增强上转换发射强度来提高设备灵敏度,具有强的上转换发射后,使发射光的颜色变化更加明显,进而使多色调节更具可操作性。
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公开(公告)号:CN102433590B
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201110381838.6
申请日:2011-11-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 降低磷化锗锌晶体吸收系数的方法,它属于磷化锗锌晶体改性领域。本发明解决了现有生长态磷化锗锌晶体在在1.99~2.09μm处吸收系数还在0.10cm-1以上,而难于实现中远红外高功率激光输出的技术问题。方法如下:一、用混酸对磷化锗锌晶体刻蚀,然后用高纯去离子水冲洗干净,再吹干,然后放入石英管内,再抽真空后进行封装;二、退火;三、进行γ射线或电子辐照;即完成了降低磷化锗锌晶体吸收系数。经本发明方法处理后磷化锗锌晶体在1.99~2.09μm处吸收系数在0.02cm-1以下,满足高功率光参量激光器使用要求。
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公开(公告)号:CN103343007A
公开(公告)日:2013-10-09
申请号:CN201310275297.8
申请日:2013-07-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 小尺寸异质核壳CaF2:2Er3+,20Yb3+@NaXF4纳米晶的制备方法,它涉及上转换荧光纳米材料制备领域,本发明要解决现存的对于生物体示踪无法调节器发光颜色的问题。本发明的方法为:采用水热和热裂解法制备纳米晶体,本发明的纳米晶大幅度增强上转换发射强度来提高设备灵敏度,具有强的上转换发射后,使发射光的颜色变化更加明显,进而使多色调节更具可操作性。
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公开(公告)号:CN101892523A
公开(公告)日:2010-11-24
申请号:CN201010234895.7
申请日:2010-07-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Zr、Ru、Fe三掺杂的铌酸锂晶体的制备方法,它涉及一种三掺杂的铌酸锂晶体的制备方法。本发明解决了双掺Fe、Ru的铌酸锂晶体响应速度慢的问题。本方法如下:称取ZrO2、RuO2、Fe2O3、Nb2O5和Li2CO3,然后混合,得到混合物;将混合物烘干后放入铂坩埚,然后在750℃煅烧3小时,再在1150℃烧结4小时,再将铂坩埚放入中频炉内,然后在提拉速度为0.5~1.8mm/h、轴向温度梯度为40~50℃/cm、旋转速度为15~25r/min的条件下提拉,即得Zr、Ru、Fe三掺杂的铌酸锂晶体。本发明制备的Zr、Ru、Fe三掺杂的铌酸锂晶体的响应时间能达到48秒,光折变灵敏度可以达到1.058cm/J。
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公开(公告)号:CN100494519C
公开(公告)日:2009-06-03
申请号:CN200710071637.X
申请日:2007-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Zr:Fe:LiNbO3晶体及其制备方法,它涉及一种晶体及其制备方法。本发明解决了目前Fe:LiNbO3晶体反应速度慢、光折变性能差和抗光损伤能力低的问题。本发明的晶体由纯度都为99.99%的ZrO2、Fe2O3、LiCO3和Nb2O5制成;其中ZrO2的掺杂量为2~6mol%、Fe2O3的掺杂浓度为0.01~0.04wt%、Li与Nb摩尔比为0.946。本发明的方法的步骤如下:一、称取ZrO2、Fe2O3、LiCO3和Nb2O5,充分混合;二、把混合好的原料放入Pt坩锅中,采用提拉法进行晶体生长;三、将经步骤二得到的晶体极化;再把极化后的晶体准确定向,并按照Y面切割,再把切割后的晶体对其表面进行光学质量级抛光;即得到Zr:Fe:LiNbO3晶体。本发明Zr:Fe:LiNbO3晶体可作为海量全息存储器件。本发明具有衍射效率降低的幅度小、写入时间短、灵敏度高和抗光损伤能力强的优点。
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公开(公告)号:CN101024902A
公开(公告)日:2007-08-29
申请号:CN200710071637.X
申请日:2007-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Zr:Fe:LiNbO3晶体及其制备方法,它涉及一种晶体及其制备方法。本发明解决了目前Fe:LiNbO3晶体反应速度慢、光折变性能差和抗光损伤能力低的问题。本发明的晶体由纯度都为99.99%的ZrO2、Fe2O3、LiCO3和Nb2O5制成;其中ZrO2的掺杂量为2~6mol%、Fe2O3的掺杂浓度为0.01~0.04wt%、Li与Nb摩尔比为0.946。本发明的方法的步骤如下:一、称取ZrO2、Fe2O3、LiCO3和Nb2O5,充分混合;二、把混合好的原料放入Pt坩锅中,采用提拉法进行晶体生长;三、将经步骤二得到的晶体极化;再把极化后的晶体准确定向,并按照Y面切割,再把切割后的晶体对其表面进行光学质量级抛光;即得到Zr:Fe:LiNbO3晶体。本发明Zr:Fe:LiNbO3晶体可作为海量全息存储器件。本发明具有衍射效率降低的幅度小、写入时间短、灵敏度高和抗光损伤能力强的优点。
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公开(公告)号:CN101024901A
公开(公告)日:2007-08-29
申请号:CN200710071636.5
申请日:2007-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Zr:LiNbO3晶体及其制备方法,它涉及一种晶体及其制备方法。它为了解决铌酸锂晶体抗光损伤能力低,而提供的一种Zr:LiNbO3晶体及其制备方法。Zr:LiNbO3晶体由纯度都为99.99%的ZrO2、Nb2O5和LiCO3制成;其中ZrO2的掺杂量为ZrO2、Nb2O5和LiCO3总物质的量的4%~6%,Li与Nb的摩尔比为0.946。制备方法:(一)称取并混合ZrO2、Nb2O5和LiCO3;(二)提拉法进行晶体生长;(三)极化;(四)晶体切割后表面光学质量级抛光,即得到Zr:LiNbO3晶体。本发明Zr:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生;在保证了铌酸锂晶体原有优良性能的同时抗光损伤能力比5mol%Mg:LiNbO3,6.5%Zn:LiNbO3和4mol%Hf:LiNbO3分别提高了85%、100%和112%以上。本发明Zr:LiNbO3晶体的制备方法简单,便于操作,晶体生长速度快。
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公开(公告)号:CN103289701A
公开(公告)日:2013-09-11
申请号:CN201310272370.6
申请日:2013-07-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 异质核壳结构CaF2:20Yb,2Ho@NaXF4纳米晶的制备方法,它涉及上转换荧光纳米材料制备领域,本发明要解决现有生物标识纳米晶体发光强度较弱、穿透性差、寿命短的问题。本发明的方法为:采用了水热法和高温裂解法合成了核结构纳米晶体以及核壳结构纳米晶体,同时采用980nm激光对其进行激发,通过我们包覆之后的纳米晶体发光增强了数倍。本发明的纳米晶大幅度增强上转换发射强度来提高设备灵敏度,具有强的上转换发射后,使发射光的颜色变化更加明显,进而使多色调节更具可操作性。
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公开(公告)号:CN102296366B
公开(公告)日:2013-06-19
申请号:CN201110234534.7
申请日:2011-08-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: LiGaS2多晶的合成方法,它涉及多晶的合成方法。本发明解决了现有的LiGaS2多晶原料合成的过程中,由于合成原料在高温下产生的高压及含锂化合物的腐蚀使合成使用的石英管炸裂的技术问题。方法:将长石英管和石墨坩埚放到高温的水平电阻炉中,通入混有丙酮蒸汽的氩气,使其内壁镀一层裂解碳;将镓和锂先经水平单温区管式电阻炉的高温反应,得到LiGa合金;将LiGa合金与硫放到内壁镀裂解碳的石墨坩埚中,再将石墨坩埚放到内壁镀裂解碳的长石英管中,熔封后放入垂直电阻炉中,石墨坩埚一端为高温端,将高温端加热反应,得到LiGaS2多晶。反应过程中长石英管不会炸裂,本发明制备LiGaS2多晶可用于制备单晶。
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公开(公告)号:CN101555626A
公开(公告)日:2009-10-14
申请号:CN200910071890.4
申请日:2009-04-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种高近红外发光强度的Mg/Er-LiNbO3晶体及其制备方法。Mg/Er-LiNbO3晶体以99.99wt%MgO、99.99wt%Er2O3、99.99wt%Nb2O5、99.99wt%LiCO3为基础原料,MgO掺杂量为0~2mol%,Er2O3掺杂量为0.5~1mol%,Li/Nb摩尔比=1.381。本发明综合运用抗光损伤元素掺杂与化学计量比生长两种手段,同时实现有源光波导器件基质材料-铌酸锂晶体的Er离子低簇位浓度、强抗光损伤能力,获得明显增强的1.5μm波段光发射性能,推动有源LN光波导器件向实用化阶段迈进。
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