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公开(公告)号：CN102433590B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110381838.6
申请日：2011-11-25
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 降低磷化锗锌晶体吸收系数的方法，它属于磷化锗锌晶体改性领域。本发明解决了现有生长态磷化锗锌晶体在在1.99～2.09μm处吸收系数还在0.10cm-1以上，而难于实现中远红外高功率激光输出的技术问题。方法如下：一、用混酸对磷化锗锌晶体刻蚀，然后用高纯去离子水冲洗干净，再吹干，然后放入石英管内，再抽真空后进行封装；二、退火；三、进行γ射线或电子辐照；即完成了降低磷化锗锌晶体吸收系数。经本发明方法处理后磷化锗锌晶体在1.99～2.09μm处吸收系数在0.02cm-1以下，满足高功率光参量激光器使用要求。
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公开(公告)号：CN101235542B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710144599.6
申请日：2007-11-14
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 磷化锗锌单晶生长的方法，它涉及磷化锗锌晶体生长的方法。本发明解决了目前磷化锗锌单晶的生长方法存在不易排出杂质的问题。本发明磷化锗锌单晶原核生长按如下步骤进行：一、定量；二、升温；三、坩埚下降、降温；即得磷化锗锌单晶。本发明磷化锗锌单晶有籽晶生长按如下步骤进行：一、定量；二、升温；三、坩埚下降、降温；即得磷化锗锌单晶。本发明单晶的生长具有易于排杂、晶体方向一致的优点。
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公开(公告)号：CN101555626A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910071890.4
申请日：2009-04-27
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 本发明提供了一种高近红外发光强度的Mg/Er－LiNbO3晶体及其制备方法。Mg/Er－LiNbO3晶体以99.99wt％MgO、99.99wt％Er2O3、99.99wt％Nb2O5、99.99wt％LiCO3为基础原料，MgO掺杂量为0～2mol％，Er2O3掺杂量为0.5～1mol％，Li/Nb摩尔比＝1.381。本发明综合运用抗光损伤元素掺杂与化学计量比生长两种手段，同时实现有源光波导器件基质材料－铌酸锂晶体的Er离子低簇位浓度、强抗光损伤能力，获得明显增强的1.5μm波段光发射性能，推动有源LN光波导器件向实用化阶段迈进。
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公开(公告)号：CN101235542A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710144599.6
申请日：2007-11-14
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 磷化锗锌的多晶合成与单晶生长的方法，它涉及磷化锗锌晶体的合成与生长的方法。本发明解决了目前磷化锗锌多晶的合成方法存在合成速率低的问题，磷化锗锌单晶的生长方法存在不易排出杂质的问题。本发明磷化锗锌多晶合成按如下步骤进行：1.定量；2.升温；即得到磷化锗锌多晶料。本发明磷化锗锌单晶原核生长按如下步骤进行：1.定量；2.升温；3.坩埚下降、降温；即得磷化锗锌单晶。本发明磷化锗锌单晶有籽晶生长按如下步骤进行：1.定量；2.升温；3.坩埚下降、降温；即得磷化锗锌单晶。本发明多晶的合成具有合成速率高的优点，单晶的生长具有易于排杂、晶体方向一致的优点。
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公开(公告)号：CN101092753A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710072455.4
申请日：2007-07-04
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 多温区防爆式多晶体合成装置及其方法。它涉及多晶体合成装置及其方法。它解决了温场精细调节，蒸气压过大，造成炉体受损的问题。外壁内有保温层，耐高温不锈钢管贯穿炉体，其两端固定保护帽，监测热电偶插固于保护帽上，监测热电偶参比端连显示装置输入端，炉体轴向上分布有控温组件，石英管放耐高温不锈钢管内。方法步骤如下：一、原料放入石英管两端；二、组装设备；三、一次加温，一温区一设定值＜二温区一设定值；二次加温，二温区二设定值＝二温区一设定值，一温区二设定值≥二温区一设定值，直至反应充分；四、冷却。所述装置温场可精细调节，稳定性好，纯度高。合成为两个阶段，产生高压气体的原料在阶段一已大量反应消耗，避免石英管爆裂。
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公开(公告)号：CN102433590A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110381838.6
申请日：2011-11-25
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 降低磷化锗锌晶体吸收系数的方法，它属于磷化锗锌晶体改性领域。本发明解决了现有生长态磷化锗锌晶体在在1.99～2.09μm处吸收系数还在0.10cm-1以上，而难于实现中远红外高功率激光输出的技术问题。方法如下：一、用混酸对磷化锗锌晶体刻蚀，然后用高纯去离子水冲洗干净，再吹干，然后放入石英管内，再抽真空后进行封装；二、退火；三、进行γ射线或电子辐照；即完成了降低磷化锗锌晶体吸收系数。经本发明方法处理后磷化锗锌晶体在1.99～2.09μm处吸收系数在0.02cm-1以下，满足高功率光参量激光器使用要求。
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公开(公告)号：CN101575734A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910071891.9
申请日：2009-04-27
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 本发明提供了一种掺铒－铌酸锂晶体及制备方法。它是以99.99wt％MgO、99.99wt％Er2O3、99.99wt％Nb2O5、99.99wt％LiCO3为基础原料，MgO的掺杂量分别为0～8mol％，Er2O3的掺杂量为1～4mol％，Li/Nb＝0.946～0.65。本发明综合运用抗光损伤元素掺杂与化学计量比生长两种手段，同时实现有源光波导器件基质材料－铌酸锂晶体的Er离子低簇位浓度、强抗光损伤能力，获得明显增强的1.5μm波段光发射性能，推动有源LN光波导器件向实用化阶段迈进。
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公开(公告)号：CN101555625A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910071889.1
申请日：2009-04-27
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 本发明提供了一种重掺抗光损伤元素的Er－LiNbO3晶体。以99.99wt％APE、99.99wt％Er2O3、99.99wt％Nb2O5和99.99wt％LiCO3为基础原料，APE包括ZnO、In2O3和ZrO2，ZnO的掺杂量为6～8mol％，In2O3的掺杂量为1.5～3mol％，ZrO2的掺杂量为4～8mol％，Er2O3的掺杂量为0.5～2mol％，Li/Nb摩尔比＝0.946。本发明同时解决了现有同成分掺铒铌酸锂晶体近红外发光效率低与抗光损伤能力的问题。本发明产品的发光效率最大增加5倍，抗光损伤能力提高三个数量级。本发明将极大推动掺铒铌酸锂晶体发光材料在波导激光器放大器与激光器领域的应用。本发明的方法工艺简单，便于操作。
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