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公开(公告)号：CN109536821B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201811387468.5
申请日：2018-11-21
申请人： 哈尔滨工业大学(深圳)
摘要： 本发明提供了一种铕锌锑基Zintl相热电材料及其制备方法，所述铕锌锑基Zintl相热电材料的化学组成为Eu2Zn1‑xSb2，其中x满足0≤x≤0.1。与已经报道过的1‑2‑2型铕锌锑化合物相比，本发明公开的一种新的Eu、Zn、Sb三元化合物热电材料具有完全不同的晶体结构，该结构的化合物具有极低的晶格热导率以及较高的载流子迁移率，可以通过调节Zn空位可以有效改善材料的电输运性质，抑制双极扩散，提高材料的热电性能。
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公开(公告)号：CN108389956A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810194956.8
申请日：2018-03-09
申请人： 哈尔滨工业大学深圳研究生院
摘要： 本发明提供了一种n型SnSe基热电纳米材料的制备方法，其采用化学合成的方法，以2-乙基己酸铋作为Bi源，在SnSe基热电材料中掺入Bi元素，Bi元素掺杂的摩尔百分含量为1~5％。采用本发明的技术方案，通过采用金属有机物2-乙基己酸铋作为掺杂剂可以有效实现n型掺杂，获得在500℃时仍为稳定的n型导电的SnSe基热电材料；通过有效Bi掺杂，能够调控载流子浓度，从而优化SnSe基热电材料的功率因子，通过纳米化合成，能够增加声子散射，降低晶格热导率，从而优化其ZT值，其电学综合性能优于传统熔炼方法获得的Bi掺杂SnSe基热电材料。
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公开(公告)号：CN112310269A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011206645.2
申请日：2020-11-03
申请人： 哈尔滨工业大学(深圳)
摘要： 本发明属于热电材料技术领域，具体涉及一种兼具发电和制冷潜力的Mg3(Sb,Bi)2基热电材料及其制备方法。其中，包括：A掺杂在Sb位：Mg3.2‑m‑qMmSb2‑x‑yBixAy，和A掺杂在Mg位：Mg3.2‑m‑y‑qMmAySb2‑xBix。本发明通过成分调控，提出了一类可以兼具发电和制冷潜力的Mg3(Sb,Bi)2基热电材料。从热电性能结果可以看出，这类材料具有较高的热电优值，不仅能够满足温差发电的要求，其室温附近的热电性能也足以应对制冷的需要。本专利所提出的Mg3(Sb,Bi)2基热电材料有助于推进此类化合物的实际应用。
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公开(公告)号：CN109536821A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811387468.5
申请日：2018-11-21
申请人： 哈尔滨工业大学(深圳)
摘要： 本发明提供了一种铕锌锑基Zintl相热电材料及其制备方法，所述铕锌锑基Zintl相热电材料的化学组成为Eu2Zn1-xSb2，其中x满足0 ≤x ≤ 0.1。与已经报道过的1-2-2型铕锌锑化合物相比，本发明公开的一种新的Eu、Zn、Sb三元化合物热电材料具有完全不同的晶体结构，该结构的化合物具有极低的晶格热导率以及较高的载流子迁移率，可以通过调节Zn空位可以有效改善材料的电输运性质，抑制双极扩散，提高材料的热电性能。
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公开(公告)号：CN115701267A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202211020109.2
申请日：2022-08-24
申请人： 哈尔滨工业大学(深圳)
摘要： 本发明提供了一种n型SmMg2Sb2基热电材料及其制备方法，所述n型SmMg2Sb2基热电材料的化学通式为SmMg2.3Sb2‑x‑yBiyTex，0
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公开(公告)号：CN108389956B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201810194956.8
申请日：2018-03-09
申请人： 哈尔滨工业大学深圳研究生院
摘要： 本发明提供了一种n型SnSe基热电纳米材料的制备方法，其采用化学合成的方法，以2‑乙基己酸铋作为Bi源，在SnSe基热电材料中掺入Bi元素，Bi元素掺杂的摩尔百分含量为1~5％。采用本发明的技术方案，通过采用金属有机物2‑乙基己酸铋作为掺杂剂可以有效实现n型掺杂，获得在500℃时仍为稳定的n型导电的SnSe基热电材料；通过有效Bi掺杂，能够调控载流子浓度，从而优化SnSe基热电材料的功率因子，通过纳米化合成，能够增加声子散射，降低晶格热导率，从而优化其ZT值，其电学综合性能优于传统熔炼方法获得的Bi掺杂SnSe基热电材料。
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公开(公告)号：CN111081857A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911354868.0
申请日：2019-12-25
申请人： 哈尔滨工业大学(深圳)
摘要： 本发明提供了一种六方ZrBeSi结构的Zintl相热电材料及其制备方法，所述Zintl相热电材料具有六方ZrBeSi结构，其化学式为A2BC2，其中，A为元素Eu、Sr中的一种或两种的组合，B为元素Zn或Zn与第一掺杂元素的组合，C为元素Sb、Bi中的一种或两种的组合；或其化学式为DEF，其中D为元素Eu、Sr、Ba、Ca中的一种或两种以上的组合，B为元素Cu、Ag或Au中的一种或两种以上的组合，C为元素Sb、Bi中的一种或两种的组合。本发明公开了一类新的热电材料，其热电优值与目前主流热电材料的基体性能接近，另外通过掺杂调控后，该类化合物可以实现更高的热电优值，具有一定的潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN106898690A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710112857.6
申请日：2017-02-28
申请人： 哈尔滨工业大学深圳研究生院
摘要： 本发明公开了一种稀土掺杂SnTe基热电材料，所述SnTe基热电材料中掺入稀土元素，所述稀土元素掺杂的原子百分含量为0.1~2%。采用本发明的技术方案的稀土掺杂的SnTe基热电材料的热电性能优于现有的SnTe基热电材料，其电导率合适，热电性能高；当稀土元素加入后，容易取代Sn位，作为施主降低本征Sn空穴浓度，优化载流子浓度，从而提高了材料的热电性能。
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