公开(公告)号：CN108026412B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201680051105.7

申请日：2016-08-31

申请人： 嘉柏微电子材料股份公司

发明人： 崔骥 ,  林越 ,  S.格拉宾

IPC分类号： H01L21/302 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306 ,  H01L21/321

摘要： 描述了用于使用抛光组合物(亦称为“浆料”)及研磨垫来加工(抛光或平坦化)含有图案化介电材料的基板的材料及方法，例如，CMP加工。

公开(公告)号：CN110088881A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201780077334.0

申请日：2017-11-29

申请人： 嘉柏微电子材料股份公司

发明人： 黄禾琳 ,  崔骥

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/02

摘要： 本文阐述CMP后清洗溶液，及可用于自CMP基板移除残留物或防止残留物在CMP基板表面上形成的方法。

公开(公告)号：CN113637412A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110855832.1

申请日：2018-03-23

申请人： 嘉柏微电子材料股份公司

发明人： A.W.海恩斯 ,  张柱然 ,  李常怡 ,  林越 ,  崔骥 ,  S.布罗斯南 ,  南哲祐

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/14 ,  H01L21/3105

摘要： 本发明涉及自停止性抛光组合物及用于块状氧化物平坦化的方法。具体地说，本发明提供了包含研磨剂、自停止剂、水性载剂及任选地阳离子型聚合物的化学机械抛光组合物，而且，提供了适用于抛光基板的方法。

公开(公告)号：CN103946958A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280056948.8

申请日：2012-09-10

申请人： 嘉柏微电子材料股份公司

发明人： 崔骥 ,  S.格拉宾 ,  G.怀特纳 ,  林致安

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

摘要： 本发明提供一种化学机械抛光组合物，其包含经包覆的α-氧化铝颗粒、有机羧酸、及水。本发明还提供一种化学机械抛光组合物，其包含在抛光组合物中具有负的ζ电位的研磨剂、有机羧酸、至少一种烷基二苯醚二磺酸盐表面活性剂、及水，其中该抛光组合物不进一步包含杂环化合物。该研磨剂在抛光组合物中是胶体稳定的。本发明进一步提供使用前述抛光组合物抛光基材的方法。

公开(公告)号：CN111183195A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201880064240.4

申请日：2018-10-03

申请人： 嘉柏微电子材料股份公司

发明人： 崔骥 ,  黄禾琳 ,  K.P.多克里 ,  P.K.辛格 ,  黄宏聪 ,  简智贤

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/14

摘要： 本发明提供化学机械抛光组合物，其包含(a)研磨剂，选自：氧化铝、氧化铈、氧化钛、氧化锆及其组合，其中该研磨剂表面包覆有包含磺酸单体单元及羧酸单体单元的组合、磺酸单体单元及膦酸单体单元的组合的共聚物，(b)氧化剂，及(c)水，其中该抛光组合物具有约2至约5的pH。本发明进一步提供利用本发明化学机械抛光组合物化学机械抛光基板的方法。典型地，该基板包含钨或钴以及硅氧化物。

公开(公告)号：CN110520493A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201880025600.X

申请日：2018-03-23

申请人： 嘉柏微电子材料股份公司

发明人： A.W.海恩斯 ,  张柱然 ,  李常怡 ,  林越 ,  崔骥 ,  S.布罗斯南 ,  南哲祐

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306

摘要： 本发明提供了包含研磨剂、自停止剂、水性载剂及任选地阳离子型聚合物的化学机械抛光组合物，而且，提供了适用于抛光基板的方法。

公开(公告)号：CN103946958B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201280056948.8

申请日：2012-09-10

申请人： 嘉柏微电子材料股份公司

发明人： 崔骥 ,  S.格拉宾 ,  G.怀特纳 ,  林致安

IPC分类号： H01L21/304

摘要： 本发明提供一种化学机械抛光组合物，其包含经包覆的α‑氧化铝颗粒、有机羧酸、及水。本发明还提供一种化学机械抛光组合物，其包含在抛光组合物中具有负的ζ电位的研磨剂、有机羧酸、至少一种烷基二苯醚二磺酸盐表面活性剂、及水，其中该抛光组合物不进一步包含杂环化合物。该研磨剂在抛光组合物中是胶体稳定的。本发明进一步提供使用前述抛光组合物抛光基材的方法。

公开(公告)号：CN111566785A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201980007840.1

申请日：2019-01-04

申请人： 嘉柏微电子材料股份公司

发明人： W.J.沃德 ,  M.E.卡恩斯 ,  崔骥 ,  K.龙

IPC分类号： H01L21/321 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

摘要： 本发明提供化学机械抛光基板的方法，包括：提供基板，该基板包含在该基板表面上的钨层及在该基板表面上的硅氧化物层；提供化学机械抛光组合物，其包含：a)经表面改性的胶体氧化硅颗粒，该颗粒的表面上包含带负电荷的基团，其中该经表面改性的胶体氧化硅颗粒具有负电荷、约90nm至约350nm的粒径及在约2的pH下约-20mV至约-70mV的ζ电位，b)铁化合物，c)稳定剂及d)水性载剂；以及，使该基板与抛光垫及该化学机械抛光组合物接触，从而抛光该基板。

公开(公告)号：CN108026412A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680051105.7

申请日：2016-08-31

申请人： 嘉柏微电子材料股份公司

发明人： 崔骥 ,  林越 ,  S.格拉宾

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306 ,  H01L21/321

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

摘要： 描述了用于使用抛光组合物(亦称为“浆料”)及研磨垫来加工(抛光或平坦化)含有图案化介电材料的基板的材料及方法，例如，CMP加工。

公开(公告)号：CN107851568A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680041504.5

申请日：2016-07-12

申请人： 嘉柏微电子材料股份公司

发明人： 林越 ,  崔骥

IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B57/02 ,  H01L21/306

CPC分类号： B24B37/044 ,  C09G1/02

摘要： 描述了用于使用抛光组合物(也称为“浆料”)及研磨垫加工(抛光或平坦化)含有图案介电材料的基板的材料及方法，例如，CMP加工。