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公开(公告)号：CN117835790B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410252792.5
申请日：2024-03-06
申请人： 四川科尔威光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体致冷器基板金属化方法及半导体致冷器金属化基板，属于半导体制冷器制造领域，包括以下步骤：S1,将半导体致冷器基板放入中性清洗溶剂中清洗；S2,水洗，去除中性清洗溶剂；S3,甩干机离心甩干；S4,有机清洗；S5,甩干机离心甩干；S6,等离子机内清洗，功率为500‑1000W；S7,离子束清洗机清洗5~30 min，束流为100‑185 mA。本发明解决了金属化层的粘附力的较差以及高温环境下金属化层与基材容易起层分离的问题。
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公开(公告)号：CN118510362A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410962035.7
申请日：2024-07-18
申请人： 四川科尔威光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种高集成小型化半导体制冷器及其制备方法，包括陶瓷基板本体，陶瓷基板本体上开设有用于放置半导体制冷器的凹槽，半导体制冷器嵌入凹槽内与陶瓷基板本体的表面齐平。通过将半导体制冷器嵌入到陶瓷基板本体内部的凹槽内，保证了陶瓷基板本体表面的平整度，并且可以减小整个高速率通信模块的厚度，实现器件的小型化设计，同时将半导体制冷器的第二电极直接布设在凹槽底部，省略了下基板，可以减少基材使用，节约基板成本，将半导体制冷器内嵌后，在半导体制冷器上基板的上表面还可以布设其他电路，进一步缩小了高速率通信模块的整体尺寸。
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公开(公告)号：CN116230621B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310505300.4
申请日：2023-05-08
申请人： 四川科尔威光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/70 , H01L21/3205 , C25D5/54 , C25D3/38 , G03F7/038
摘要： 本发明公开了一种铁氧体基薄膜电路产品制备方法，属于微波集成电路技术领域；包括如下步骤：S1在铁氧体基板上依次制备过渡层和预制层；S2在预制层表面非图形部分覆盖光刻胶，其后电沉积铜镀层；S3在铜镀层表面依次沉积阻挡层和焊接层；S4去除预制层表面的光刻胶；S5对预制层表面非图形部分进行刻蚀，使得基板非图形部分绝缘；S6将铁氧体基板进行切割；其中，电沉积铜镀层时采用的电镀液包括硫酸铜、硫酸、氯化铜、改性氮化钛、改性活性炭、氧化石墨烯、改性壳聚糖、表面活性剂、硼酸、分散剂、消泡剂；光刻胶为负胶Futurrex；本发明能够显著提高镀层厚度均匀性以及晶粒致密性，还能够与光刻胶长期稳定相容。
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公开(公告)号：CN118510362B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410962035.7
申请日：2024-07-18
申请人： 四川科尔威光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种高集成小型化半导体制冷器及其制备方法，包括陶瓷基板本体，陶瓷基板本体上开设有用于放置半导体制冷器的凹槽，半导体制冷器嵌入凹槽内与陶瓷基板本体的表面齐平。通过将半导体制冷器嵌入到陶瓷基板本体内部的凹槽内，保证了陶瓷基板本体表面的平整度，并且可以减小整个高速率通信模块的厚度，实现器件的小型化设计，同时将半导体制冷器的第二电极直接布设在凹槽底部，省略了下基板，可以减少基材使用，节约基板成本，将半导体制冷器内嵌后，在半导体制冷器上基板的上表面还可以布设其他电路，进一步缩小了高速率通信模块的整体尺寸。
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公开(公告)号：CN118510364A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410962055.4
申请日：2024-07-18
申请人： 四川科尔威光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体制冷器及高速率光通信模块，包括上基板、下基板以及设置在上基板的下表面和下基板的上表面之间的若干个半导体晶粒，在下基板的下表面设有与外部电源电性连接且将电流向半导体晶粒传输的电极触点。通过在半导体下基板的下表面设置电极触点，通过电极触点直接与电路基板上的电源电极触点连接，而不使用任何额外的金线，避免由于金线跳线引起的线损，且可有效增加半导体制冷器的有效散热面积。
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公开(公告)号：CN113359398A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110693788.9
申请日：2021-06-22
申请人： 四川科尔威光电科技有限公司
发明人： 唐兴友
IPC分类号： G03F7/30
摘要： 本发明公开了一种显影装置，包括:喷液桩，其上设有至少两个对称分布的显影液雾化喷头和至少两个对称分布的纯水喷头；受液板，围绕喷液桩设置，且受液板倾斜设置；驱动齿轮，与受液板相连以驱动受液板围绕喷液桩旋转；接液槽，围绕喷液桩设置并位于受液板的下方，接液槽的底部设有接液槽出液口；排液槽，位于接液槽的下方，排液槽的底部设有排液槽出液口。采用雾化喷淋的方式，既能避免传统浸没式显影方式造成显影液中的有效成分浓度逐渐降低进而影响显影质量的问题，又能避免传统喷淋方式水压对光刻胶的外力破坏问题，并且受液板倾斜设置，解决了传统喷淋方式中平面旋转造成远近圆心处会有明显的显影程度差异的问题。
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公开(公告)号：CN117835790A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410252792.5
申请日：2024-03-06
申请人： 四川科尔威光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体致冷器基板金属化方法及半导体致冷器金属化基板，属于半导体制冷器制造领域，包括以下步骤：S1,将半导体致冷器基板放入中性清洗溶剂中清洗；S2,水洗，去除中性清洗溶剂；S3,甩干机离心甩干；S4,有机清洗；S5,甩干机离心甩干；S6,等离子机内清洗，功率为500‑1000W；S7,离子束清洗机清洗5~30 min，束流为100‑185 mA。本发明解决了金属化层的粘附力的较差以及高温环境下金属化层与基材容易起层分离的问题。
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公开(公告)号：CN116230621A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310505300.4
申请日：2023-05-08
申请人： 四川科尔威光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/70 , H01L21/3205 , C25D5/54 , C25D3/38 , G03F7/038
摘要： 本发明公开了一种铁氧体基薄膜电路产品制备方法，属于微波集成电路技术领域；包括如下步骤：S1在铁氧体基板上依次制备过渡层和预制层；S2在预制层表面非图形部分覆盖光刻胶，其后电沉积铜镀层；S3在铜镀层表面依次沉积阻挡层和焊接层；S4去除预制层表面的光刻胶；S5对预制层表面非图形部分进行刻蚀，使得基板非图形部分绝缘；S6将铁氧体基板进行切割；其中，电沉积铜镀层时采用的电镀液包括硫酸铜、硫酸、氯化铜、改性氮化钛、改性活性炭、氧化石墨烯、改性壳聚糖、表面活性剂、硼酸、分散剂、消泡剂；光刻胶为负胶Futurrex；本发明能够显著提高镀层厚度均匀性以及晶粒致密性，还能够与光刻胶长期稳定相容。
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公开(公告)号：CN115338180A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210541575.9
申请日：2022-05-18
申请人： 四川科尔威光电科技有限公司
摘要： 一种新型的铁氧体金属化清洗方法，涉及非金属磁性材料技术领域，解决了现有铁氧体基片无法彻底清洁干净导致后面器件使用带来巨大风险的技术问题，本发明包括多步清洗步骤，包括采用清洗溶剂、纯水、10％KOH溶液、3％盐酸溶液、异丙醇有机溶剂等超声清洗步骤，本发明通过自己配置的清洗溶剂，其内含丰富、高效的表面活性剂成分，再加上超声加热辅助，能有效去除铁氧体表面的粉尘、颗粒、有机物等脏污，多层次的清洗使得能够使得彻底清洗干净，避免了后面器件使用带来的风险。
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公开(公告)号：CN214704308U
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202121391290.9
申请日：2021-06-22
申请人： 四川科尔威光电科技有限公司
发明人： 唐兴友
IPC分类号： G03F7/30
摘要： 本实用新型公开了一种显影装置，包括:喷液桩，其上设有至少两个对称分布的显影液雾化喷头和至少两个对称分布的纯水喷头；受液板，围绕喷液桩设置，且受液板倾斜设置；驱动齿轮，与受液板相连以驱动受液板围绕喷液桩旋转；接液槽，围绕喷液桩设置并位于受液板的下方，接液槽的底部设有接液槽出液口；排液槽，位于接液槽的下方，排液槽的底部设有排液槽出液口。采用雾化喷淋的方式，既能避免传统浸没式显影方式造成显影液中的有效成分浓度逐渐降低进而影响显影质量的问题，又能避免传统喷淋方式水压对光刻胶的外力破坏问题，并且受液板倾斜设置，解决了传统喷淋方式中平面旋转造成远近圆心处会有明显的显影程度差异的问题。
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