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公开(公告)号：CN118510362B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410962035.7
申请日：2024-07-18
申请人： 四川科尔威光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种高集成小型化半导体制冷器及其制备方法，包括陶瓷基板本体，陶瓷基板本体上开设有用于放置半导体制冷器的凹槽，半导体制冷器嵌入凹槽内与陶瓷基板本体的表面齐平。通过将半导体制冷器嵌入到陶瓷基板本体内部的凹槽内，保证了陶瓷基板本体表面的平整度，并且可以减小整个高速率通信模块的厚度，实现器件的小型化设计，同时将半导体制冷器的第二电极直接布设在凹槽底部，省略了下基板，可以减少基材使用，节约基板成本，将半导体制冷器内嵌后，在半导体制冷器上基板的上表面还可以布设其他电路，进一步缩小了高速率通信模块的整体尺寸。
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公开(公告)号：CN118510364A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410962055.4
申请日：2024-07-18
申请人： 四川科尔威光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体制冷器及高速率光通信模块，包括上基板、下基板以及设置在上基板的下表面和下基板的上表面之间的若干个半导体晶粒，在下基板的下表面设有与外部电源电性连接且将电流向半导体晶粒传输的电极触点。通过在半导体下基板的下表面设置电极触点，通过电极触点直接与电路基板上的电源电极触点连接，而不使用任何额外的金线，避免由于金线跳线引起的线损，且可有效增加半导体制冷器的有效散热面积。
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公开(公告)号：CN118510362A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410962035.7
申请日：2024-07-18
申请人： 四川科尔威光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种高集成小型化半导体制冷器及其制备方法，包括陶瓷基板本体，陶瓷基板本体上开设有用于放置半导体制冷器的凹槽，半导体制冷器嵌入凹槽内与陶瓷基板本体的表面齐平。通过将半导体制冷器嵌入到陶瓷基板本体内部的凹槽内，保证了陶瓷基板本体表面的平整度，并且可以减小整个高速率通信模块的厚度，实现器件的小型化设计，同时将半导体制冷器的第二电极直接布设在凹槽底部，省略了下基板，可以减少基材使用，节约基板成本，将半导体制冷器内嵌后，在半导体制冷器上基板的上表面还可以布设其他电路，进一步缩小了高速率通信模块的整体尺寸。
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公开(公告)号：CN117810072A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410231449.2
申请日：2024-03-01
申请人： 四川科尔威光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/288 , C25D7/12
摘要： 本发明公开了一种晶圆芯片金锡合金均匀性的控制方法，属于晶圆芯片制作工艺，包括以下步骤：S1,在晶圆基片的表面依次溅射钛层、PT层和金层，形成活化金属层；S2,在晶圆基片上光刻图形化；S3,电镀金锡合金，在晶圆基片的镀面电镀金锡合金，电镀的方式为水平式电镀；S4,去除活化金属层；S5,切割，得晶圆芯片产品。本发明改善了金锡合金均匀性，提高了芯片性能。
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