高效BIPV光伏系统
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118156349A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202211520994.0

    申请日:2022-11-30

    摘要: 本发明公开了一种高效BIPV光伏系统,所述高效BIPV光伏系统包括光伏电池、前封装层、背封装层、前盖板、背盖板、前修饰层和背修饰层,所述前封装层设置在所述光伏电池的前表面上,所述背封装层设置在所述光伏电池的后表面上,所述前盖板设置在所述前封装层的前表面上,所述背盖板设置在所述背封装层的背表面上,所述前修饰层设置在所述前盖板的前表面和所述光伏电池的前表面之间,所述背修饰层设置在所述背盖板的背表面和所述光伏电池的背表面之间。本发明实施例的高效BIPV光伏系统通过嵌入前修饰层和背修饰层,可以增强光伏电池对光的利用率,从而提高光伏电池的效率,增加光伏系统的发电量,并且不会降低采光效果。

    脉冲退火装置
    6.
    发明公开
    脉冲退火装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN117737356A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202211109914.2

    申请日:2022-09-13

    IPC分类号: C21D1/26 C21D1/34 C21D9/00

    摘要: 本发明公开了一种脉冲退火装置,所述脉冲退火装置包括退火炉、样品台、脉冲组件、滤光件和遮光板,所述样品台设在所述退火炉内,所述脉冲组件设在所述退火炉内且位于所述样品台上方,所述脉冲组件用于向所述样品台发射脉冲光,所述滤光件设在所述样品台和所述脉冲组件之间,所述遮光板沿水平方向可移动地设在所述样品台和所述脉冲组件之间,所述遮光板上设有狭缝。本发明实施例的脉冲退火装置通过设置脉冲组件,利用脉冲光对样品进行加热升温和降温时间短且可大面积加热,有利于提高钙钛矿薄膜质量及稳定性,有利于大面积钙钛矿薄膜的生产。

    应用叠层电池的光伏组件
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118156344A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202211520997.4

    申请日:2022-11-30

    IPC分类号: H01L31/048 H01L31/049

    摘要: 本发明公开了一种应用叠层电池的光伏组件,所述应用叠层电池的光伏组件包括钙钛矿/晶硅两端叠层电池、前封装层、背封装层、前盖板、背盖板、前修饰层和背修饰层,所述前修饰层设置在所述前盖板的前表面和所述钙钛矿/晶硅两端叠层电池的前表面之间,所述前修饰层的材料为下转换发光材料,所述背修饰层设置在所述背盖板的背表面和所述钙钛矿/晶硅两端叠层电池的背表面之间,所述背修饰层的材料为高反射材料或多角度散射材料。本发明实施例的应用叠层电池的光伏组件可以提高钙钛矿/晶硅两端叠层电池的效率,增加光伏组件的发电量,并且不会对采光产生负面影响。

    大面积钙钛矿薄膜制备方法及制备装置

    公开(公告)号:CN117750859A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202211109422.3

    申请日:2022-09-13

    IPC分类号: H10K71/40 H10K71/12 H10K30/50

    摘要: 本发明公开了一种大面积钙钛矿薄膜制备方法及制备装置,所述大面积钙钛矿薄膜制备方法包括:提供一衬底,在所述衬底上制备第一电荷传输层;将所述衬底和所述电荷传输层固定,从所述衬底的一端开始,使用狭缝涂布工艺制备钙钛矿薄膜;利用光脉冲对所述衬底上已涂布的所述钙钛矿薄膜进行快速退火,直至完整的所述钙钛矿薄膜全部退火完成;在所述钙钛矿薄膜上制备第二电荷传输层和电极。本发明利用光脉冲对钙钛矿薄膜进行快速退火,升温和降温时间短且可大面积加热,有利于提高钙钛矿薄膜质量及稳定性,同时由于脉冲光为辐射加热,并可通过控制脉冲时间、波长等手段实现选择性加热,工艺耗时短,易于集成,有利于大面积钙钛矿薄膜的生产。

    半透明钙钛矿电池及其制备方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117677255A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202211008882.7

    申请日:2022-08-22

    摘要: 本发明提出一种半透明钙钛矿电池及其制备方法,在电子传输层中通过溶液法在C60层上制备CYTOP层,在CYTOP层上通过原子气相沉积法制备SnO2层。得到的半透明钙钛矿电池的结构包括自下而上依次制备的基底、第一透明导电层、空穴传输层、钙钛矿层、C60层、CYTOP层、SnO2层、第二透明导电层和金属栅线电极。本发明的制备方法中,通过在电子传输层中引入CYTOP,来改善C60上界面的形貌,进而改善SnO2的沉积质量,使SnO2更致密,使SnO2沉积相较于之前更小的厚度即可阻挡后续的磁控溅射;利用本发明的制备方法制备出的半透明钙钛矿电池中,引入CYTOP后,由于CYTOP优异的疏水性能和致密性,使得钙钛矿层更好的不被暴露于水和可能的高温下,使得钙钛矿器件更为稳定。