公开(公告)号：CN204579648U

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201520244876.0

申请日：2015-04-22

申请人： 国家电网公司 ,  国网新疆电力公司电力科学研究院 ,  国网新疆电力公司哈密供电公司

发明人： 杨金成 ,  韩斌 ,  高磊 ,  石浩 ,  王晋魁 ,  陈彬 ,  李鑫 ,  咸英男 ,  罗函 ,  徐以泉 ,  黄梓恒 ,  魏琨 ,  张浩然

IPC分类号： A01M29/32

摘要： 本申请涉及一种应用于66kV110kV线路的防鸟刺装置，包括固定座和钢针聚集钢管，钢针聚集钢管固定连接在固定座上端，在所述钢针聚集钢管内呈发散状排布有钢针，所述固定座为一开口圆套，其开口处装设有紧固螺栓。所述固定座和钢针聚集钢管外表面设置有反光层，所述固定座或钢针聚集钢管外装设有蜂鸣器，所述钢针上绑扎有抖动声响带。由于实施上述技术方案，本申请结构简单，直接安装在横拉杆上即可，安装简单、结构稳定，并具有结构简单、防鸟害效果好的特点，适宜推广使用。

公开(公告)号：CN108387783A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201711432966.2

申请日：2017-12-26

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力公司 ,  国家电网公司

发明人： 唐新灵 ,  李现兵 ,  张朋 ,  武伟 ,  林仲康 ,  韩荣刚 ,  石浩 ,  张喆 ,  田丽纷 ,  张璧君 ,  王亮

IPC分类号： G01R27/26

摘要： 本发明公开一种基于IGBT器件开通的电感提取方法及装置，其中方法包括：获取待测IGBT器件在开通瞬态下的负载电流值、待测IGBT器件的集电极的至少四个不同开通电流值和发射极与集电极之间的至少四个不同开通电压值；根据测试参数，分别建立至少四个电压关系式，其分别包含四个不同的设定参数，四个不同的设定参数分别代表待测IGBT器件在开通瞬态下闭合回路中的续流支路电阻值、总电阻值、总电感值和电源电压值；计算四个电压关系式得到待测IGBT器件在开通瞬态下闭合回路中的总电感值。本发明通过获取待测IGBT器件在开通瞬态下其集电极多个不同开通电流值和发射极与集电极之间的多个不同开通电压值使得提取闭合回路的总电感值更加精确。

公开(公告)号：CN108281405A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201711307593.6

申请日：2017-12-11

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网公司

发明人： 武伟 ,  李现兵 ,  石浩 ,  张朋 ,  张喆 ,  唐新灵 ,  王亮 ,  林仲康 ,  田丽纷 ,  韩荣刚

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L29/739 ,  H01L21/60

摘要： 本发明提供一种功率器件封装结构及方法，该功率器件封装结构包括：第一组件、至少一个发射极上金属片和至少一个功率器件，至少一个发射极上金属片与至少一个功率器件一一对应设置；第一组件从上至下依次包括发射极顶板、第一弹簧、挡板及第二弹簧，第一弹簧和第二弹簧均为至少一个，第一弹簧、第二弹簧与发射极上金属片一一对应设置；第一组件设置在至少一个发射极上金属片上，至少一个发射极上金属片设置在至少一个功率器件上，功率器件的发射极在功率器件上侧；功率器件的栅极在功率器件上侧，通过栅极探针连接至挡板上。相比现有采用引线键合的方式将功率器件的栅极引出的方案，本发明避免了寄生电感的增加，增强了功率器件的可靠性。

公开(公告)号：CN107731701A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710842123.3

申请日：2017-09-18

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网公司

发明人： 王亮 ,  田丽纷 ,  李现兵 ,  张朋 ,  武伟 ,  林仲康 ,  石浩 ,  张喆 ,  唐新灵

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L2224/83053 ,  H01L2224/83095 ,  H01L2224/8384

摘要： 本发明提供的半导体器件的烧结方法及半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括半导体芯片、金属基板以及设置在所述半导体芯片与所述金属基板之间的焊膏，半导体器件的烧结方法包括：将所述半导体器件升温至第一预定温度；在酸性环境下保持所述第一预定温度第一预定时间；将所述半导体器件继续升温至第二预定温度，所述第二预定温度大于所述第一预定温度；保持所述第二预定温度第二预定时间。可以使焊膏内部的组织充分均匀化，有利于焊膏内部各成分之间的均匀扩散，提高了整个焊膏的导电性能。

公开(公告)号：CN108267680A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201711432950.1

申请日：2017-12-26

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力公司 ,  国家电网公司

发明人： 唐新灵 ,  张喆 ,  李现兵 ,  张朋 ,  武伟 ,  林仲康 ,  韩荣刚 ,  石浩 ,  田丽纷 ,  张璧君 ,  王亮

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开一种基于IGBT器件关断的电感提取方法及装置，其中方法包括：获取待测IGBT器件在关断瞬态下的负载电流值、待测IGBT器件的集电极的至少四个不同关断电流值和发射极与集电极之间的至少四个不同关断电压值；根据测试参数，分别建立至少四个电压关系式，其分别包含四个不同的设定参数，四个不同的设定参数分别代表待测IGBT器件在关断瞬态下闭合回路中的续流支路电阻值、总电阻值、总电感值和电源电压值；计算四个电压关系式得到待测IGBT器件在关断瞬态下闭合回路中的总电感值。本发明通过获取待测IGBT器件在关断瞬态下其集电极多个不同关断电流值和发射极与集电极之间的多个不同关断电压值使得提取闭合回路的总电感值更加精确。

公开(公告)号：CN108267643A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201711434609.X

申请日：2017-12-26

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力公司 ,  国家电网公司

发明人： 唐新灵 ,  张朋 ,  李现兵 ,  张喆 ,  武伟 ,  林仲康 ,  韩荣刚 ,  石浩 ,  田丽纷 ,  张璧君 ,  王亮

IPC分类号： G01R27/26

摘要： 本发明公开一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置，其中方法包括：获取待测IGBT器件在开通瞬态下第一电流参数和第一电压参数、关断瞬态下第二电流参数和第二电压参数；选择第一电流参数和第二电流参数相同的数参数作为目标电流参数；根据目标电流参数和其对应电压参数分别建立待测IGBT器件在开通瞬态和关断瞬态闭合回路的第一电压关系式和第二电压关系式；计算第一电压关系式和第二电压关系式的差值消除电阻参数变量得到闭合回路中的电感参数。本发明通过同时分别采集待测IGBT器件开通瞬态的第一电流参数和第一电压参数和关断瞬态的第二电流参数和第二电压参数，通过计算消除回路中的电阻参数变量，可以准确地提取闭合回路中电感参数。

公开(公告)号：CN108183090A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201711226416.5

申请日：2017-11-29

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网公司

发明人： 王亮 ,  林仲康 ,  田丽纷 ,  韩荣刚 ,  唐新灵 ,  石浩 ,  张朋 ,  李现兵 ,  张喆 ,  武伟

IPC分类号： H01L23/04 ,  H01L25/07 ,  H01L29/739 ,  H01L21/52

摘要： 一种芯片独立成型的压接式IGBT模块及其制备方法。本发明涉及电气元件制备技术领域，具体涉及大功率压接式IGBT模块封装技术领域。本发明提供的芯片结构，通过对烧结有第一导电平面和第二导电平面的半导体芯片进行绝缘外壳的包裹，能够最大限度的保护半导体芯片，避免环境对芯片的污染和破坏，降低芯片的储存环境要求苛刻度，并将储存、封装过程中有可能对半导体芯片带来损坏的风险降至最低。本发明所提供的芯片结构储存方便，环境宽松，并能够有效提高器件整体可靠性。本发明提供的压接式IGBT模块，接触热阻和接触电阻更低，器件可靠性高，早期失效率低，当其中并联的任一个芯片单元出现问题时，能够轻松进行更替。

公开(公告)号：CN108170944A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711432765.2

申请日：2017-12-26

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网公司

发明人： 林仲康 ,  田丽纷 ,  韩荣刚 ,  石浩 ,  张朋 ,  李现兵 ,  张喆 ,  武伟 ,  唐新灵 ,  王亮

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5018 ,  G06F2217/08 ,  G06F2217/40 ,  G06F2217/78

摘要： 本发明实施例提供了一种半导体器件的压力均衡制作参数优化方法及制作方法，该半导体器件的压力均衡制作参数优化方法包括：根据并联多芯片子模组的外轮廓确定半导体器件的电极盖板的形状，根据半导体器件参数建立半导体器件的有限元模型，并对有限元模型进行有限元分析，从而得到有限元分析结果，然后根据半导体器件的电极盖板的形状及有限元分析结果，确定半导体器件的制作参数。根据本发明实施例提供的半导体器件的压力均衡制作参数优化方法得到制作参数，利用该制作参数制作半导体器件，实现了半导体器件的压力均衡，提高了半导体器件的电气特性和可靠性。

公开(公告)号：CN105826924A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610164438.2

申请日：2016-03-22

申请人： 中电普瑞科技有限公司 ,  南京南瑞集团公司 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网公司 ,  山东大学

发明人： 王轩 ,  李鹏 ,  武丹 ,  石浩 ,  付永生 ,  燕翚 ,  王广柱 ,  欧朱建 ,  潘爱强

IPC分类号： H02J3/12 ,  H02J3/18

CPC分类号： Y02E40/30 ,  H02J3/12 ,  H02J3/1857

摘要： 本发明提供一种抑制HVDC换相失败的串?并联组合补偿器及方法，该补偿器设置在HVDC系统逆变侧交流母线与受端电网之间，且串?并联组合补偿器包括交换单元、相互连接的输出电压控制单元及输出电流控制单元；该方法根据电压信号；判断受端电网故障，并进行协调和优化控制，生成控制指令并进行控制。本发明提出的补偿器及方法实现了在受端电网发生故障时有效补偿直流输电系统逆变侧交流母线的电压跌落，提高线路传输能力并抑制换相失败的发生，保证了高压直流输电系统的可靠及稳定的运行。

公开(公告)号：CN109979826A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201711462442.8

申请日：2017-12-28

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网公司

发明人： 王亮 ,  武伟 ,  林仲康 ,  韩荣刚 ,  石浩 ,  田丽纷 ,  唐新灵 ,  李现兵 ,  张朋 ,  张喆

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L29/739 ,  H01L21/67 ,  H01L23/367

摘要： 本发明提供了一种功率芯片双面烧结的压接式IGBT模组的制备方法，该方法包括：从下至上将下钼片、焊片、IGBT芯片、焊片和上钼片组装到烧结卡具中；组装限位销压制压片；用连续真空烧结炉烧结得单芯片烧结连接结构；从下至上依次组装的塑料框架、弹簧探针和烧结结构，得所述单芯片压接子模组。本发明提供的制备方法用连续式真空烧结炉，能够大规模烧结芯片，极大地缩短了工序时长，效率高，速度快；本发明中提供的烧结方法采用的烧结卡具与压片，解决了芯片与钼片烧结后的对中问题，并且可以确保烧结后结构的厚度差值可控制在8μm以下。