公开(公告)号：CN112638895A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980055254.4

申请日：2019-08-29

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  Pi-克瑞斯托株式会社

Inventor： 冈本敏宏 ,  竹谷纯一 ,  三谷真人 ,  伊藤阳介 ,  松室智纪

IPC: C07D333/50 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: 本发明提供一种具有优异的载流子迁移率的新型的含氧族元素的有机半导体化合物。其为由下式(1a)或式(1b)表示的化合物，[化学式1]在式(1a)和(1b)中，X表示S、O或Se，并且R1分别独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、芳基、芳烷基、吡啶基、呋喃基、噻吩基或噻唑基。

公开(公告)号：CN114401966B

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202080064863.9

申请日：2020-09-04

Applicant: 富士胶片株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 杉浦宽记 ,  谷征夫 ,  松下哲也 ,  渡边哲也 ,  冈本敏宏

IPC: C07D471/22 ,  C07D471/06 ,  C07D471/16 ,  C07D221/18 ,  C07D237/26 ,  H10K85/60 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明的第一课题在于，提供一种收率及纯度优异的环状酰亚胺化合物的制造方法。另外，本发明的第二课题在于，提供一种能够用于收率及纯度优异的环状酰亚胺化合物的制造方法的组合物。另外，本发明的第三课题在于，提供一种能够用于收率及纯度优异的环状酰亚胺化合物的制造方法的中间体化合物。本发明的环状酰亚胺化合物的制造方法是一种使下述式(1)表示的化合物和至少1种胺化合物反应，获得下述式(2)表示的化合物的制造方法。#imgabs0#

公开(公告)号：CN111542939A

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN201880085108.1

申请日：2018-12-27

Applicant: 富士胶片株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 谷征夫 ,  白兼研史 ,  渡边哲也 ,  冈本敏宏 ,  竹谷纯一

IPC: H01L51/30 ,  C08F20/36 ,  C08G61/12 ,  C08G73/10 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明提供一种具备含有特定的聚合物的有机半导体层的有机薄膜晶体管元件、优选作为该有机半导体层的有机半导体膜及其制造方法以及优选作为该有机半导体膜的构成材料的聚合物及组合物，该特定的聚合物具有包含特定的式所表示的结构的重复单元。

公开(公告)号：CN116057058B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202180054043.6

申请日：2021-09-01

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  株式会社大赛璐

Inventor： 冈本敏宏 ,  黑泽忠法 ,  C·P·余 ,  竹谷纯一 ,  山元明人 ,  池田大次

IPC: C07D471/22 ,  H10K85/60 ,  H10K71/12

Abstract: 本发明提供一种能够通过印刷工艺形成体现高电荷迁移率的有机半导体的化合物。本公开的化合物如下述式(1)所示。下述式(1)中，X1、X2相同或不同，表示‑O‑、‑NR1‑或‑PR2‑。Y1、Y2相同或不同，表示氧原子或硫原子。Z1～Z8相同或不同，表示＝N‑或＝CR3‑。所述R1、R2、R3相同或不同，表示氢原子或有机基团。n表示0以上的整数。#imgabs0#

公开(公告)号：CN115397803A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202180028713.7

申请日：2021-04-15

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  株式会社大赛璐

Inventor： 冈本敏宏 ,  黑泽忠法 ,  竹谷纯一 ,  池田大次 ,  横尾健 ,  赤井泰之

IPC: C07C211/56 ,  C08G61/12 ,  H01B1/12

Abstract: 本发明提供一种能形成具有高导电性的导体材料的掺杂剂。本公开涉及一种包含下述式(1)所示的自由基阳离子和抗衡阴离子的掺杂剂。下述式(1)中，R1～R3相同或不同，表示一价芳香族基团或下述式(r)所示的基团。需要说明的是，R1～R3中的至少一个为下述式(r)所示的基团。n表示自由基阳离子的价数，等于式中的氮原子的个数(n)。下述式(r)中，Ar1、Ar2、Ar3相同或不同，表示二价芳香族基团，Ar4、Ar5、Ar6、Ar7相同或不同，表示任选地具有下述式(sb)所示的取代基的一价芳香族基团。m、n相同或不同，表示0以上的整数。

公开(公告)号：CN107210365B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201680008803.9

申请日：2016-02-03

Applicant: 富士胶片株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 津山博昭 ,  宇佐美由久 ,  冈本敏宏 ,  竹谷纯一

IPC: H01L51/30 ,  C07D495/14 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明的目的在于提供高迁移率的有机半导体元件、能够形成高迁移率的有机半导体膜的有机半导体膜形成用组合物、以及由上述有机半导体膜形成用组合物形成的有机半导体元件的制造方法和有机半导体膜的制造方法。本发明的有机半导体元件的特征在于，其具有半导体活性层，该半导体活性层包含由式1表示且分子量为3,000以下的化合物。本发明的有机半导体膜形成用组合物的特征在于，其含有由式1表示且分子量为3,000以下的化合物、以及溶剂。

公开(公告)号：CN106104833B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201580014491.8

申请日：2015-03-26

Applicant: 富士胶片株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 津山博昭 ,  野村公笃 ,  宇佐美由久 ,  福崎英治 ,  小柳雅史 ,  北村哲 ,  渡边哲也 ,  冈本敏宏 ,  竹谷纯一

IPC: H01L51/30 ,  C07D493/14 ,  C07D495/14 ,  C07D497/14 ,  C07D513/14 ,  C07D517/14 ,  C07D519/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/368 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 一种有机晶体管，其具有半导体有源层，该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR5；Y和Z为CR6、氧、硫、硒、氮原子或NR7；含有Y和Z的环为芳香族杂环；R1和R2中的任意一个与含有Y和Z的芳香族杂环、或者、R3和R4中的任意一个与苯环可以经由特定的二价连接基团而键合；R1、R2、R5～R8为氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基；R3和R4为烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基；m和n为0～2的整数)，该有机晶体管的载流子迁移率高。本发明提供化合物、非发光性有机半导体器件用有机半导体材料、有机晶体管用材料、非发光性有机半导体器件用涂布液、有机晶体管的制造方法、有机半导体膜的制造方法、非发光性有机半导体器件用有机半导体膜、有机半导体材料的合成方法。

公开(公告)号：CN106165105A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580015681.1

申请日：2015-03-26

Applicant: 富士胶片株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 津山博昭 ,  野村公笃 ,  宇佐美由久 ,  汤本真敏 ,  北村哲 ,  小柳雅史 ,  渡边哲也 ,  冈本敏宏 ,  竹谷纯一

IPC: H01L29/786 ,  C07D495/14 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0074 ,  C07D495/14 ,  C09B57/00 ,  C09D5/24 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0558 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种非发光性有机半导体器件用涂布液，其含有通式(2)表示的化合物和沸点为100℃以上的溶剂(通式(2)中，R11和R12各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、炔基或烷氧基，也可以具有取代基，通式(2)中的芳香族部分可以取代有卤原子)，该涂布液的载流子迁移率高。本发明提供有机晶体管、化合物、非发光性有机半导体器件用有机半导体材料、有机晶体管用材料、有机晶体管的制造方法和有机半导体膜的制造方法。

公开(公告)号：CN115135640B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202080096972.9

申请日：2020-02-19

Applicant: 株式会社大赛璐 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 池田大次 ,  横尾健 ,  赤井泰之 ,  冈本敏宏 ,  黑泽忠法 ,  竹谷纯一 ,  岑鼎海

IPC: C07D307/77 ,  C07D333/50 ,  C07D409/14 ,  C07D417/14 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H10K85/60 ,  H10K10/46 ,  H10K101/30

Abstract: 本发明提供化学稳定性优异、对溶剂具有高溶解性、且显示出优异的载流子迁移率的化合物。所述化合物为下述式(1)表示的化合物。[式(1)中，X1、X2、X3、R1～R10如说明书中所定义。]#imgabs0#

公开(公告)号：CN114401966A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202080064863.9

申请日：2020-09-04

Applicant: 富士胶片株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 杉浦宽记 ,  谷征夫 ,  松下哲也 ,  渡边哲也 ,  冈本敏宏

IPC: C07D471/22 ,  C07D471/06 ,  C07D471/16 ,  C07D221/18 ,  C07D237/26 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05

Abstract: 本发明的第一课题在于，提供一种收率及纯度优异的环状酰亚胺化合物的制造方法。另外，本发明的第二课题在于，提供一种能够用于收率及纯度优异的环状酰亚胺化合物的制造方法的组合物。另外，本发明的第三课题在于，提供一种能够用于收率及纯度优异的环状酰亚胺化合物的制造方法的中间体化合物。本发明的环状酰亚胺化合物的制造方法是一种使下述式(1)表示的化合物和至少1种胺化合物反应，获得下述式(2)表示的化合物的制造方法。