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公开(公告)号：CN110199352A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201880008084.X
申请日：2018-01-16
申请人： 国立大学法人东北大学 , 柯尼卡美能达株式会社
摘要： 本发明涉及磁阻元件以及磁阻元件的制造方法。当形成磁阻效应膜时，有效地实现覆盖层的保护并且减少该覆盖层所造成的负面影响，实现所希望的磁阻特性。本制造方法包括：第一工序，将层叠膜加工成规定的形状，上述层叠膜包括通过磁场使电阻变化的磁阻效应膜4和该磁阻效应膜的上层的厚度10nm～60nm的范围内的覆盖层40(图4(栏b)(栏c))；第二工序，以绝缘膜61覆盖保护上述层叠膜(图4(d))；第三工序，通过反应性蚀刻在上述绝缘膜形成开口来使上述覆盖层的表面在该开口露出(图4(栏e))；第四工序，对通过第三工序而在开口露出的覆盖层的表面进行离子铣削，对该覆盖层在小于其总膜厚的范围内进行蚀刻(图4(栏f))；第五工序，与在第四工序后保留的覆盖层的表面接触，对成为产品的一部分的上部层(51)进行成膜(图4(栏g))。
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公开(公告)号：CN110178236B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201880007206.3
申请日：2018-01-17
申请人： 国立大学法人东北大学 , 柯尼卡美能达株式会社 , 旋转感应制造厂株式会社
摘要： 使具有足够厚度的B吸收层与MTJ的上侧CoFeB层邻接并经过磁化退火而实现了期望的TMR比后，高精度地去除该B吸收层。在去除经过了层叠工序以及磁场中热处理工序后的MTJ的上侧CoFeB层(31)的上层(51‑53、61)的干法蚀刻工序中，应用干法蚀刻装置以及识别由该干法蚀刻装置蚀刻的被蚀刻面的材料的分析装置，将蚀刻的结束设为由分析装置检测出所述CoFeB层的正上方B吸收层(51)暴露前的最终层(61、52或者53)减少至规定的水平或者所述正上方B吸收层增加至规定的水平的终点检测时。预先确定好分析装置的终点检测时之后的干法蚀刻装置的过蚀刻量，在层叠工序中，使从所述规定的水平到所述CoFeB层的上表面为止以仅与该过蚀刻量相当的层厚层叠所述正上方B吸收层。
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公开(公告)号：CN108431620B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201680076140.4
申请日：2016-12-28
申请人： 柯尼卡美能达株式会社 , 国立大学法人东北大学
摘要： 包括：包含多个隧道磁阻元件(20)的元件阵列(10a)，所述多个隧道磁阻元件(20)分别具有固定磁性层(21)、自由磁性层(22)、以及被设置于固定磁性层及自由磁性层(22)之间的绝缘层(23)，且在外界磁场的影响下分别使绝缘层(23)的隧道电阻改变；以及对构成元件阵列(10a)的多个隧道磁阻元件(20)施加电压的电路(30)，施加于各隧道磁阻元件(20)的电压在0.1mV以上且50mV以下。
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公开(公告)号：CN110199352B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201880008084.X
申请日：2018-01-16
申请人： 国立大学法人东北大学 , 柯尼卡美能达株式会社
摘要： 本发明涉及磁阻元件以及磁阻元件的制造方法。当形成磁阻效应膜时，有效地实现覆盖层的保护并且减少该覆盖层所造成的负面影响，实现所希望的磁阻特性。本制造方法包括：第一工序，将层叠膜加工成规定的形状，上述层叠膜包括通过磁场使电阻变化的磁阻效应膜4和该磁阻效应膜的上层的厚度10nm～60nm的范围内的覆盖层40(图4的b、图4的c)；第二工序，以绝缘膜61覆盖保护上述层叠膜(图4的d)；第三工序，通过反应性蚀刻在上述绝缘膜形成开口来使上述覆盖层的表面在该开口露出(图4的e)；第四工序，对通过第三工序而在开口露出的覆盖层的表面进行离子铣削，对该覆盖层在小于其总膜厚的范围内进行蚀刻(图4的f)；第五工序，与在第四工序后保留的覆盖层的表面接触，对成为产品的一部分的上部层(51)进行成膜(图4的g)。
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公开(公告)号：CN108431620A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680076140.4
申请日：2016-12-28
申请人： 柯尼卡美能达株式会社 , 国立大学法人东北大学
摘要： 包括：包含多个隧道磁阻元件(20)的元件阵列(10a)，所述多个隧道磁阻元件(20)分别具有固定磁性层(21)、自由磁性层(22)、以及被设置于固定磁性层及自由磁性层(22)之间的绝缘层(23)，且在外界磁场的影响下分别使绝缘层(23)的隧道电阻改变；以及对构成元件阵列(10a)的多个隧道磁阻元件(20)施加电压的电路(30)，施加于各隧道磁阻元件(20)的电压在0.1mV以上且50mV以下。
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公开(公告)号：CN109314181B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201780037564.4
申请日：2017-06-19
申请人： 国立大学法人东北大学 , 柯尼卡美能达株式会社 , 旋转感应制造厂株式会社
摘要： 本发明改进隧道磁阻元件的自由磁性层的结构，且实现线性度较高的磁阻特性。在从靠近基板(2)的一侧，按照固定磁性层(10)、绝缘层(20)、自由磁性层(30)的顺序层叠，自由磁性层具有：下表面与绝缘层接合的铁磁层(31)、以及与该铁磁层的上表面接触并层叠的软磁层(33)。构成自由磁性层的铁磁层及软磁层的易磁化轴(A2)为彼此相同的方向且相对于固定磁性层的易磁化轴(A1)为不同的方向。
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公开(公告)号：CN109314181A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780037564.4
申请日：2017-06-19
申请人： 国立大学法人东北大学 , 柯尼卡美能达株式会社
摘要： 本发明改进隧道磁阻元件的自由磁性层的结构，且实现线性度较高的磁阻特性。在从靠近基板(2)的一侧，按照固定磁性层(10)、绝缘层(20)、自由磁性层(30)的顺序层叠，自由磁性层具有：下表面与绝缘层接合的铁磁层(31)、以及与该铁磁层的上表面接触并层叠的软磁层(33)。构成自由磁性层的铁磁层及软磁层的易磁化轴(A2)为彼此相同的方向且相对于固定磁性层的易磁化轴(A1)为不同的方向。
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公开(公告)号：CN110178236A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201880007206.3
申请日：2018-01-17
申请人： 国立大学法人东北大学 , 柯尼卡美能达株式会社
摘要： 使具有足够厚度的B吸收层与MTJ的上侧CoFeB层邻接并经过磁化退火而实现了期望的TMR比后，高精度地去除该B吸收层。在去除经过了层叠工序以及磁场中热处理工序后的MTJ的上侧CoFeB层(31)的上层(51-53、61)的干法蚀刻工序中，应用干法蚀刻装置以及识别由该干法蚀刻装置蚀刻的被蚀刻面的材料的分析装置，将蚀刻的结束设为由分析装置检测出所述CoFeB层的正上方B吸收层(51)暴露前的最终层(61、52或者53)减少至规定的水平或者所述正上方B吸收层增加至规定的水平的终点检测时。预先确定好分析装置的终点检测时之后的干法蚀刻装置的过蚀刻量，在层叠工序中，使从所述规定的水平到所述CoFeB层的上表面为止以仅与该过蚀刻量相当的层厚层叠所述正上方B吸收层。
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公开(公告)号：CN106104828A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580010832.4
申请日：2015-02-23
申请人： 株式会社电装 , 国立大学法人东北大学
摘要： 磁传感器(1)具备磁化固定层(20)、磁场检测层(40)、以及中间层(30)。所述磁化固定层形成为薄膜状，磁化方向被固定为与面内方向平行的方向。所述磁场检测层的磁化方向根据外部磁场而变化。所述中间层被配置在所述磁化固定层与所述磁场检测层之间，且电阻值根据所述磁化固定层的所述磁化方向与所述磁场检测层的所述磁化方向之间的角度而变化。所述磁场检测层的每单位面积的磁化量小于0.2[memu/cm2]。
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