公开(公告)号：CN108701768B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN201780013634.2

申请日：2017-02-27

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  日本化药株式会社

Inventor： 荒井俊人 ,  长谷川达生 ,  井上悟

IPC: H01L51/30 ,  C07D495/04 ,  C07D519/00 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明是涉及一种有机半导体组合物及包含这些的有机薄膜，以及其用途。本发明的含有选自由下述式(1)至(4)所表示的化合物所组成的群中的2种噻吩并噻吩化合物的组合物，能够在大范围内形成均质的有机薄膜，且含有该有机薄膜的有机半导体装置可以表现出高迁移率，(式(1)至(4)中，R1及R2的任一个表示烷基、具有烷基的芳香族烃基或具有烷基的杂环基，另一个表示氢原子、芳香族烃基、杂环基或下述式(5)所表示的取代基。(式(5)中，R3表示芳香族烃基或杂环基))。

公开(公告)号：CN108701768A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780013634.2

申请日：2017-02-27

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  日本化药株式会社

Inventor： 荒井俊人 ,  长谷川达生 ,  井上悟

IPC: H01L51/30 ,  C07D495/04 ,  C07D519/00 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: C07D495/04 ,  C07D519/00 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/0032 ,  H01L51/05 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明的含有选自由下述式(1)至(4)所表示的化合物所组成的群中的2种噻吩并噻吩化合物的组合物，能够在大范围内形成均质的有机薄膜，且含有该有机薄膜的有机半导体装置可以表现出高迁移率， (式(1)至(4)中，R1及R2的任一个表示烷基、具有烷基的芳香族烃基或具有烷基的杂环基，另一个表示氢原子、芳香族烃基、杂环基或下述式(5)所表示的取代基。 (式(5)中，R3表示芳香族烃基或杂环基))。