公开(公告)号：CN108701768B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN201780013634.2

申请日：2017-02-27

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  日本化药株式会社

Inventor： 荒井俊人 ,  长谷川达生 ,  井上悟

IPC: H01L51/30 ,  C07D495/04 ,  C07D519/00 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明是涉及一种有机半导体组合物及包含这些的有机薄膜，以及其用途。本发明的含有选自由下述式(1)至(4)所表示的化合物所组成的群中的2种噻吩并噻吩化合物的组合物，能够在大范围内形成均质的有机薄膜，且含有该有机薄膜的有机半导体装置可以表现出高迁移率，(式(1)至(4)中，R1及R2的任一个表示烷基、具有烷基的芳香族烃基或具有烷基的杂环基，另一个表示氢原子、芳香族烃基、杂环基或下述式(5)所表示的取代基。(式(5)中，R3表示芳香族烃基或杂环基))。

公开(公告)号：CN108701768A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780013634.2

申请日：2017-02-27

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  日本化药株式会社

Inventor： 荒井俊人 ,  长谷川达生 ,  井上悟

IPC: H01L51/30 ,  C07D495/04 ,  C07D519/00 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: C07D495/04 ,  C07D519/00 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/0032 ,  H01L51/05 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明的含有选自由下述式(1)至(4)所表示的化合物所组成的群中的2种噻吩并噻吩化合物的组合物，能够在大范围内形成均质的有机薄膜，且含有该有机薄膜的有机半导体装置可以表现出高迁移率， (式(1)至(4)中，R1及R2的任一个表示烷基、具有烷基的芳香族烃基或具有烷基的杂环基，另一个表示氢原子、芳香族烃基、杂环基或下述式(5)所表示的取代基。 (式(5)中，R3表示芳香族烃基或杂环基))。

公开(公告)号：CN106796829B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201580046158.5

申请日：2015-08-19

Applicant: 田中贵金属工业株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 宫崎智史 ,  牧田勇一 ,  久保仁志 ,  长谷川达生 ,  山田寿一

IPC: H01B13/00 ,  B05D5/12 ,  B05D7/24 ,  B32B15/082 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01B5/14 ,  H05K1/09 ,  H05K3/10

Abstract: 本发明提供一种金属图案的形成方法，其在设定于基材上的一部分或全部的区域的图案形成部上形成金属图案，其特征在于，所述基材至少在包含所述图案形成部的表面上具备含氟树脂层，该方法包含以下工序：在所述含氟树脂层表面的图案形成部上通过紫外线照射等处理而形成官能团之后，将金属微粒分散液涂布于所述基材表面，并将所述金属微粒固定于所述图案形成部，其中所述金属微粒分散液是使由作为第1保护剂的胺化合物和作为第2保护剂的脂肪酸保护的金属微粒分散于溶剂而成的。

公开(公告)号：CN106796829A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580046158.5

申请日：2015-08-19

Applicant: 田中贵金属工业株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 宫崎智史 ,  牧田勇一 ,  久保仁志 ,  长谷川达生 ,  山田寿一

IPC: H01B13/00 ,  B05D5/12 ,  B05D7/24 ,  B32B15/082 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01B5/14 ,  H05K1/09 ,  H05K3/10

CPC classification number: H01B5/14 ,  B05D1/32 ,  B05D1/42 ,  B05D3/007 ,  B05D3/063 ,  B05D5/12 ,  B05D7/04 ,  B05D7/24 ,  B32B15/082 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01B13/00 ,  H05K1/09 ,  H05K3/10

Abstract: 本发明提供一种金属图案的形成方法，其在设定于基材上的一部分或全部的区域的图案形成部上形成金属图案，其特征在于，所述基材至少在包含所述图案形成部的表面上具备含氟树脂层，该方法包含以下工序：在所述含氟树脂层表面的图案形成部上通过紫外线照射等处理而形成官能团之后，将金属微粒分散液涂布于所述基材表面，并将所述金属微粒固定于所述图案形成部，其中所述金属微粒分散液是使由作为第1保护剂的胺化合物和作为第2保护剂的脂肪酸保护的金属微粒分散于溶剂而成的。

公开(公告)号：CN106663633A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580043636.7

申请日：2015-08-11

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 堤润也 ,  松冈悟志 ,  山田寿一 ,  长谷川达生

IPC: H01L21/336 ,  G01M11/00 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/66 ,  H01L29/786 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L51/05

CPC classification number: G01M11/00 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L29/786 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L51/0031 ,  H01L51/0508

Abstract: 本发明提供一种检测出有机TFT阵列中的断线缺陷和/或能评价各有机TFT元件的输出特性、响应速度的偏差的检测装置及其方法。本发明的装置及其方法是对作为有机TFT元件通道层的有机半导体薄膜中的载流子的蓄积的有无进行光学测定的装置及其方法，其特征在于，使各有机TFT中的源极和漏极短路，并在源极/漏极与栅极之间以规定周期使电压开/关，并且在照射单色光的同时，与所述规定周期同步进行电压施加前后的摄像，获得该差分图像。